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有助于提高半導(dǎo)體微細(xì)化和持久性的成膜新工藝

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2022-06-23 16:22 ? 次閱讀
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通過使用液態(tài)釕前驅(qū)物“TRuST”的2段ALD工藝,實(shí)現(xiàn)了可防止基板氧化、質(zhì)量更高電阻更低的較薄薄膜

可期應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心IoT等的要求技術(shù)革新的先進(jìn)技術(shù)

東京, 2022年6月23日 - (亞太商訊) - 田中貴金屬集團(tuán)旗下經(jīng)營制造事業(yè)的田中貴金屬工業(yè)株式會社(總公司:東京都千代田區(qū)、執(zhí)行總裁: 田中 浩一朗)宣布確立了液態(tài)釕(Ru)前驅(qū)物"TRuST"的2段成膜工藝。"TRuST"是對氧和氫都有良好的反應(yīng)性,并具有能形成更高純度釕膜的特征的前驅(qū)物。本工藝是一種2段ALD成膜工藝(ALD=Atomic Layer Deposition),先通過氫成膜形成較薄的防氧化膜,再通過氧成膜實(shí)現(xiàn)質(zhì)量更高的釕膜成膜。通過這種方法,可消除因氧造成基板氧化的顧慮,同時還能抑制因氫成膜引起的釕純度下降。

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在本開發(fā)的過程中,成膜工藝的設(shè)想方案由韓國嶺南大學(xué)工科學(xué)院新材料工學(xué)部的SOO-HYUN, KIM教授提出,其成膜工藝的開發(fā)及評估由KIM教授和田中貴金屬工業(yè)共同實(shí)施。

由于通過本技術(shù)預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的進(jìn)一步微細(xì)化和提高持久性,可期應(yīng)用于要求執(zhí)行更大容量數(shù)據(jù)處理的數(shù)據(jù)中心和智能手機(jī),以及有助于要求更高水平技術(shù)革新的IoT和自動駕駛等的先進(jìn)技術(shù)。

■利用氧和氫的2段成膜工藝

田中貴金屬工業(yè)正在以釕為中心開發(fā)面向下一代半導(dǎo)體的更高純度的貴金屬前驅(qū)物。在進(jìn)行成膜時,迄今為止的主流工藝是利用氧的1段成膜,此次成功地確立了利用氧和氫的2段成膜工藝。

通過這種2段成膜的工藝,可通過氫成膜降低底層的表面氧化風(fēng)險(xiǎn),并通過氧成膜實(shí)現(xiàn)釕純度基本保持100%的更高純度成膜。而且先通過氫成膜形成底層,在此基礎(chǔ)上進(jìn)行氧成膜所形成的釕膜也更平滑精密,可實(shí)現(xiàn)超越以往的更低電阻值。

通常,隨著膜厚的降低比電阻會增加,這是半導(dǎo)體成膜的一個課題。但是,此次確認(rèn)到特別是在10 nm以下的區(qū)域內(nèi),通過在氧成膜的基礎(chǔ)上,利用氫實(shí)施2段成膜,可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)更低電阻值。今后,隨著半導(dǎo)體尺寸進(jìn)一步縮小,預(yù)計(jì)對于釕膜也有更薄更低電阻成膜的需求,利用2段成膜將有可能解決這個課題。此外,本次宣布的由2段成膜形成的電阻更低純度更高的釕薄膜,無論在哪個階段都可以以相同原料、相同成膜溫度來實(shí)現(xiàn),所以可在相同的成膜設(shè)備內(nèi)進(jìn)行成膜,可降低設(shè)備投資成本。詳細(xì)內(nèi)容,我們將于6月28日在比利時根特市召開的ALD2022學(xué)會的AA2-TuA: ALD for BEOL部分中進(jìn)行發(fā)表。

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■田中貴金屬工業(yè)的液態(tài)釕前驅(qū)物"TRuST"

在半導(dǎo)體的薄膜及線路材料中,迄今為止主要使用銅及鎢、鈷,但是面向半導(dǎo)體的進(jìn)一步微細(xì)化,對電阻更低、持久性更高的貴金屬釕的期待也在增加。因此,田中貴金屬工業(yè)開發(fā)了實(shí)現(xiàn)世界級行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)蒸汽壓力數(shù)值的CVD/ALD用液態(tài)釕前驅(qū)物"TRuST",并從2020年開始提供樣品。

該前驅(qū)物與原有的前驅(qū)物相比,通過將蒸汽壓力提高約100倍以上達(dá)到世界級行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值,提高成膜室內(nèi)的前驅(qū)物濃度及在基板表面的前驅(qū)物分子的吸附密度,實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的臺階覆蓋性和成膜速度的提高。

■半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所處的狀況和背景

由于IoT/AI/5G/元宇宙等各種先進(jìn)技術(shù)的發(fā)展,數(shù)據(jù)中心及以智能手機(jī)為首的電子設(shè)備中使用的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)量迅速增加。隨之而來,在半導(dǎo)體開發(fā)中,為了實(shí)現(xiàn)性能更高且省電的器件,前所未有地要求半導(dǎo)體的微細(xì)化。此外,在持久性方面,因底層氧化造成的劣化在半導(dǎo)體開發(fā)中也是重大的課題。而且,在汽車產(chǎn)業(yè)中也一樣,隨著電動汽車和自動駕駛汽車的開發(fā),在車載半導(dǎo)體等微細(xì)化的同時,希望進(jìn)一步提高持久性。

田中貴金屬工業(yè)在今后追求進(jìn)一步微細(xì)化和提高持久性的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,在以期通過提高液態(tài)釕前驅(qū)物的成膜速度來降低成本和實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量的同時,為半導(dǎo)體的進(jìn)一步微細(xì)化和提高持久性作出貢獻(xiàn),并為開發(fā)半導(dǎo)體開辟的新型先進(jìn)技術(shù)作出貢獻(xiàn)。

■關(guān)于田中貴金屬集團(tuán)

田中貴金屬集團(tuán)自1885年(明治18年)創(chuàng)業(yè)以來,營業(yè)范圍以貴金屬為中心,并以此展開廣泛活動。在日本國內(nèi),以高水準(zhǔn)的貴金屬交易量為傲,長年以來不遺余力地進(jìn)行產(chǎn)業(yè)用貴金屬制品的制造和銷售,以及提供作為寶石飾品及資產(chǎn)的貴金屬商品。并且,作為貴金屬相關(guān)的專家集團(tuán),國內(nèi)外的各集團(tuán)公司進(jìn)行制造、銷售以及技術(shù)一體化,攜手合作提供產(chǎn)品及服務(wù)。

2020年度(2021年3月期)的連結(jié)營業(yè)額為1兆4,256億日元,擁有5,193名員工。


近期會議

2022年7月5日,由ACT雅時國際商訊主辦,《半導(dǎo)體芯科技》&CHIP China晶芯研討會將在蘇州·洲際酒店隆重舉行!屆時業(yè)內(nèi)專家將齊聚蘇州,與您共探半導(dǎo)體制造業(yè),如何促進(jìn)先進(jìn)制造與封裝技術(shù)的協(xié)同發(fā)展。大會現(xiàn)已啟動預(yù)約登記,報(bào)名請點(diǎn)擊:http://w.lwc.cn/s/AzeQr2

2022年7月28日 The12th CHIP China Webinar,誠邀您與業(yè)內(nèi)專家學(xué)者共探半導(dǎo)體器件檢測面臨的挑戰(zhàn)及應(yīng)對、工藝缺陷故障、光學(xué)檢測特性分析與挑戰(zhàn)、先進(jìn)封裝半導(dǎo)體檢測難點(diǎn)及應(yīng)用等熱門話題,解鎖現(xiàn)代檢測技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展和機(jī)遇!報(bào)名請點(diǎn)擊:http://w.lwc.cn/s/maymIv

關(guān)于我們

《半導(dǎo)體芯科技》(Silicon Semiconductor China, SiSC)是面向中國半導(dǎo)體行業(yè)的專業(yè)媒體,已獲得全球知名雜志《Silicon Semiconductor》的獨(dú)家授權(quán);本刊針對中國半導(dǎo)體市場特點(diǎn)遴選相關(guān)優(yōu)秀文章翻譯,并匯集編輯征稿、國內(nèi)外半導(dǎo)體行業(yè)新聞、深度分析和權(quán)威評論、產(chǎn)品聚焦等多方面內(nèi)容。由雅時國際商訊(ACT International)以簡體中文出版、雙月刊發(fā)行一年6期。每期紙質(zhì)書12,235冊,電子書發(fā)行15,749,內(nèi)容覆蓋半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)、封裝、設(shè)備、材料、測試、MEMSIC設(shè)計(jì)、制造等。每年主辦線上/線下 CHIP China晶芯研討會,搭建業(yè)界技術(shù)的有效交流平臺。獨(dú)立運(yùn)營相關(guān)網(wǎng)站,更多詳情可點(diǎn)擊官網(wǎng)鏈接:http://www.siscmag.com/

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審核編輯:符乾江

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