晶體管的密度,同時(shí)減少了芯片的橫向面積。
相比傳統(tǒng)的FinFET和納米片晶體管,叉片晶體管能夠顯著減少nFET和pFET之間的間距,從而在相同的芯片
發(fā)表于 06-20 10:40
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí),臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻!據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,臺(tái)積電2nm芯片良品率已突破 90%,實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)飛躍!
發(fā)表于 06-04 15:20
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晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
發(fā)表于 04-14 17:24
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃中,無論是臺(tái)積電還是三星都在積極布局,或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片
發(fā)表于 03-14 00:14
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下),同時(shí)其晶體管密度是上一代3nm制程的1.15倍。這些顯著優(yōu)勢主要得益于臺(tái)積電的全柵極(Gate-All-Around, GAA)納米片晶體管、N2 NanoFlex設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)
發(fā)表于 12-16 09:57
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Rapidus 的 2nm 制程生產(chǎn)流程之中。 IBM 宣稱,當(dāng)制程推進(jìn)到 2nm 階段時(shí),晶體管的結(jié)構(gòu)會(huì)從長久以來所采用的 FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)轉(zhuǎn)換為 GAAFET(全
發(fā)表于 12-12 15:01
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壞,引腳是否彎曲或斷裂。 2. 極性測試 二極管測試 :使用萬用表的二極管測試功能,檢查晶體管的基極和發(fā)射極之間的正向和反向電壓降。 3. 電流增益測試 直流電流增益 :測量
發(fā)表于 12-03 09:52
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晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 : 晶體管 :晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
發(fā)表于 12-03 09:42
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近日,聯(lián)發(fā)科在AI相關(guān)領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)力引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。據(jù)悉,聯(lián)發(fā)科正采用新思科技以AI驅(qū)動(dòng)的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)流程,用于2nm制程上的先進(jìn)芯片設(shè)計(jì),這一舉措標(biāo)志著聯(lián)發(fā)科正朝著2nm芯
發(fā)表于 11-11 15:52
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近日,高性能ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)世芯電子(Alchip)宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破——成功流片了一款2nm測試芯片。這一里程碑式的成就,使世芯電子成為首批成功采用革命性納米片(或全能門GAA)晶體管架構(gòu)的IC創(chuàng)新者之一。
發(fā)表于 11-01 17:21
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Rapidus,一家致力于半導(dǎo)體制造的先鋒企業(yè),正緊鑼密鼓地推進(jìn)其2027年量產(chǎn)2nm芯片的計(jì)劃。然而,這一雄心勃勃的目標(biāo)背后,是高達(dá)5萬億日元(約合336億美元)的資金需求。
發(fā)表于 10-14 16:11
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NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
發(fā)表于 09-13 14:10
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CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
發(fā)表于 09-13 14:09
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三星電子在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域再下一城,成功獲得美國知名半導(dǎo)體企業(yè)安霸的青睞,承接其2nm制程的ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))芯片代工項(xiàng)目。
發(fā)表于 09-12 16:26
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有媒體爆料稱;蘋果公司的iPhone 17系列手機(jī)極大可能將無法搭載臺(tái)積電2nm前沿制程技術(shù)芯片,iPhone 17系列手機(jī)的處理器預(yù)計(jì)將沿用當(dāng)前的3nm工藝。2nm技術(shù)
發(fā)表于 07-19 18:12
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評(píng)論