中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國(guó)三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)奇跡般的崛起，擁有全領(lǐng)域最高單位面積的存儲(chǔ)密度，這些，長(zhǎng)江存儲(chǔ)只用了3年的時(shí)間，完成了同領(lǐng)域需要6年才能走完的路。

懂行的朋友應(yīng)該清楚，三星在存儲(chǔ)芯片的層數(shù)最高量產(chǎn)也就是192層，也就是現(xiàn)在的世界頂尖水平，200層以上，韓國(guó)三星還沒(méi)能突破技術(shù)瓶頸，無(wú)法達(dá)到量產(chǎn)的水平。此前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng) 推出了UFS3.1規(guī)格通用閃存芯片--UC023，要知道，在這一方面，NAND閃存的最高規(guī)格也就是US3.1，至于更高更先進(jìn)的，韓國(guó)三星還僅存在于理論層面，沒(méi)有技術(shù)支持，那么，這些意味著什么呢？

科學(xué)技術(shù)是第一生產(chǎn)力，創(chuàng)新是引領(lǐng)發(fā)展的第一動(dòng)力，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)突破帶領(lǐng)國(guó)家發(fā)展走向更加現(xiàn)代化、科技化的道路，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的成功，離不開自身對(duì)科研發(fā)展的熱愛和追求，同時(shí)也離不開國(guó)家對(duì)科研工作的大力支持。現(xiàn)在長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND 閃存芯片應(yīng)用非常廣泛，依托中國(guó)這個(gè)全球最大的市場(chǎng)，加上中國(guó)力推芯片自主化，長(zhǎng)江存儲(chǔ)得到了前所未有的發(fā)展機(jī)遇，如今除了華為，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也打入了蘋果供應(yīng)鏈，為iPhone SE 3供應(yīng)閃存芯片，這也是中國(guó)科技力量最好的體現(xiàn)。

當(dāng)然，客觀來(lái)講，我們?cè)谶@一領(lǐng)域需要努力的地方還有很多，畢竟我國(guó)起步較晚，加上西方國(guó)家對(duì)核心技術(shù)的惡意封鎖，導(dǎo)致我們需要付出比常人更多的努力，但從成果來(lái)看，我們已經(jīng)取得了跨越性進(jìn)步。另外，在行業(yè)里看，其他廠商的發(fā)展速度也不能忽視，三星還在追趕224層3D閃存芯片的量產(chǎn)計(jì)劃，所以從這個(gè)維度來(lái)看，我們離全球最頂尖水平還有1到2年的時(shí)間，不過(guò)我們相信，用不了多久，一定可以消除這個(gè)差距。

總體來(lái)講，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的192層3D NAND閃存芯片，是中國(guó)芯片發(fā)展的一大里程碑，同時(shí)它也意味著，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在追趕美國(guó)、韓國(guó)頂尖企業(yè)的道路上，又邁進(jìn)了一大步，由此可以帶動(dòng)其他芯片技術(shù)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，只有掌握科學(xué)技術(shù)的核心，才能真正改變?nèi)祟惿a(chǎn)生活的方式，進(jìn)而影響世界發(fā)展格局，這些都是我們努力就可以做到的事情，弘揚(yáng)科學(xué)精神、傳播科學(xué)思想，是我們新一代年輕人應(yīng)該為社會(huì)發(fā)展、構(gòu)建人類命運(yùn)共同體做出的貢獻(xiàn)。