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減少光刻顯影周期缺陷的沖洗方法

華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造 ? 來(lái)源:華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造 ? 作者:華林科納半導(dǎo)體設(shè) ? 2022-06-07 16:17 ? 次閱讀
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引言

隨著線(xiàn)寬尺寸的不斷減小,防止更小的缺陷對(duì)于保持產(chǎn)量變得至關(guān)重要。在顯影周期中產(chǎn)生并附著在BARC表面的缺陷,例如水點(diǎn)或光刻膠殘留物,一直是人們關(guān)注的問(wèn)題,通常以犧牲產(chǎn)量為代價(jià)來(lái)去除。有各種選擇可以減少這些類(lèi)型的缺陷,但每種都有缺點(diǎn)。一個(gè)這樣例子是雙水坑顯影工藝。這個(gè)過(guò)程的缺點(diǎn)是曝光劑量可能必須改變。另一個(gè)例子是將沖洗時(shí)間增加到幾分鐘,從而導(dǎo)致生產(chǎn)量減少。本文將討論能夠?qū)@影類(lèi)型缺陷減少70%同時(shí)將晶片間差異減少80%的清洗替代方案。通過(guò)將總清洗時(shí)間保持在20秒以下,該工藝可以顯著增加產(chǎn)量,并且對(duì)測(cè)量的線(xiàn)寬的影響最小(變化小于2%)。這些清洗工藝?yán)昧?00毫米晶片加工可接受的快速連續(xù)變化的旋轉(zhuǎn)速度和加速度。還研究了設(shè)計(jì)用于減少193納米光致抗蝕劑中線(xiàn)塌陷的含表面活性劑的漂洗溶液,以確定它們?cè)跍p少與新開(kāi)發(fā)的水漂洗工藝一致的顯影后缺陷方面的有效性。將要討論的漂洗過(guò)程將具有整合含表面活性劑的漂洗溶液的靈活性,同時(shí)保持盡可能短的循環(huán)時(shí)間。同時(shí),這些工藝將減少缺陷和圖案塌陷。

關(guān)鍵詞:ArF、KrF、光刻、BARC、顯影、衛(wèi)星缺陷、光致抗蝕劑、底部抗反射涂層、表面調(diào)節(jié)劑。

介紹

為了保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),各公司都在努力改進(jìn)制造流程,以減少各個(gè)層面的各種缺陷。隨著器件尺寸的不斷縮小,曾經(jīng)不被關(guān)注的缺陷現(xiàn)在被認(rèn)為是致命缺陷。顯影后缺陷(PDDs)也稱(chēng)為清晰視野缺陷,就是這樣一種情況。這些缺陷不會(huì)直接影響產(chǎn)量,但會(huì)掩蓋致命缺陷,直到器件足夠小,PDD留下的殘留物可以被認(rèn)為是蝕刻塊。因此,在檢查前必須拆除PDD。不斷增加的成本和產(chǎn)量壓力增加了減少或消除PDD的緊迫性。

迄今為止,通過(guò)以某種方式修改光致抗蝕劑烘烤和顯影工藝,去除產(chǎn)生PDD的顆粒,已經(jīng)取得了最佳效果。1,2已知有幾種技術(shù)可以減少PDD,但它們都有缺點(diǎn)。在生產(chǎn)中最容易實(shí)現(xiàn)的是延長(zhǎng)沖洗時(shí)間,其明顯的缺點(diǎn)是產(chǎn)量較低。漂洗過(guò)程中的一系列低/高轉(zhuǎn)速循環(huán)也可以減少瑕疵,但這仍然會(huì)延長(zhǎng)漂洗周期。該過(guò)程的另一個(gè)缺點(diǎn)是,在“高”周期中,晶片速度可能接近或超過(guò)3000 rpm,這不利于300mm晶片的處理。另一種方法是在清洗開(kāi)始之前,在晶片上第二次攪拌新鮮的顯影劑,這被稱(chēng)為“雙攪拌”由于可能危及整個(gè)晶片的CD均勻性的曝光劑量偏移,這種雙攪拌工藝需要相當(dāng)大的優(yōu)化。在當(dāng)今最新的具有掃描顯影劑分配噴嘴的涂布機(jī)軌道中,第二次攪拌可能是不可能的,因?yàn)閲娮炜拷砻婵赡茉诟街絿娮旒舛藭r(shí)導(dǎo)致缺陷,并且這種缺陷可能轉(zhuǎn)移到其他晶片。

隨著193納米曝光系統(tǒng)的上線(xiàn),另一個(gè)變得更加明顯的缺陷問(wèn)題是光致抗蝕劑線(xiàn)塌陷。當(dāng)沖洗水在管線(xiàn)之間變干并將管線(xiàn)拉向彼此時(shí),管線(xiàn)塌陷是由于表面張力效應(yīng)造成的。減少或消除線(xiàn)塌陷的最直接的方法是用混合有表面活性劑的水沖洗晶片,或者使用表面張力低于水的另一種液體。這些溶液的一個(gè)缺點(diǎn)是表面活性劑或其他液體可能在晶片上留下殘留物,導(dǎo)致PDDs。第二個(gè)缺點(diǎn)是,如果使用除水以外的較低表面張力的液體,那么顯影劑處理模塊需要另一個(gè)噴嘴來(lái)分配這種材料以及顯影劑和去離子水。

這項(xiàng)研究將考慮通過(guò)改變沖洗周期來(lái)減少或消除缺陷的可能性,以最大限度地?cái)噭?dòng)晶片表面上的沖洗水,而不增加沖洗時(shí)間,同時(shí)保持300毫米晶片加工的晶片速度低于2000 rpm。新的沖洗工藝對(duì)測(cè)量的線(xiàn)寬也應(yīng)該影響很小或沒(méi)有影響。重要的沖洗因素,必須加以修改,以減少PDDs和維持所有的剛剛討論的屬性將從實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)中確定。此外,還將討論在使用表面調(diào)節(jié)劑時(shí)消除缺陷所涉及的關(guān)鍵參數(shù),從最壞情況到最好情況,缺陷最多可減少80%。

實(shí)驗(yàn)

2.1去離子水沖洗研究

沖洗過(guò)程分為三個(gè)部分:開(kāi)始、中間和結(jié)束。田口L16篩選實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)了八個(gè)因素來(lái)測(cè)試所有三個(gè)部分中的因素。用于篩選的其他七個(gè)因素可能代表分析步驟中的交叉項(xiàng),如果發(fā)現(xiàn)它們很重要的話(huà)。開(kāi)始和結(jié)束因素是旋轉(zhuǎn)速度和時(shí)間。中段因素是低/高循環(huán)次數(shù)、循環(huán)高速和循環(huán)時(shí)間。圖1顯示了本設(shè)計(jì)中使用的工藝序列。表1中詳細(xì)列出了圖1中突出顯示的測(cè)試因素,其中包含列出的每個(gè)因素的設(shè)置。

選擇普通的BARC和普通的248納米亞太經(jīng)社會(huì)光致抗蝕劑用于本研究,因?yàn)檫@種組合的內(nèi)部測(cè)試表明PDDs存在。所有的測(cè)試都是在TEL Mk8涂布機(jī)軌道上用含表面活性劑的0.26N顯影劑進(jìn)行的。用寬帶曝光源進(jìn)行曝光,該曝光源將在200毫米晶片的中心曝光一個(gè)大約110毫米的正方形。KLA2112以1.25 m像素尺寸用于掃描曝光區(qū)域的缺陷。

幾個(gè)晶片在DOE之前僅用BARC運(yùn)行,并被掃描以檢查BARC涂層的清潔度。來(lái)自BARC涂層的每個(gè)晶片的平均缺陷數(shù)是12個(gè),平均來(lái)自四個(gè)晶片。用BARC和光致抗蝕劑涂覆三個(gè)晶片,并對(duì)DOE的15次實(shí)驗(yàn)運(yùn)行中的每一次進(jìn)行曝光。每次實(shí)驗(yàn)運(yùn)行后,在KLA上掃描三個(gè)晶片。從三個(gè)晶片計(jì)算每個(gè)晶片的平均和中間缺陷數(shù),以及晶片的最小和最大缺陷數(shù)。然后使用DesignEase DOE軟件對(duì)晶片涂層的結(jié)果進(jìn)行分析,并在此展示。

決定將八個(gè)因素中對(duì)消除缺陷貢獻(xiàn)最大的三個(gè)因素用于進(jìn)一步的工藝優(yōu)化。此外,對(duì)于所使用的DOE類(lèi)型,其余八個(gè)因素中任何一個(gè)的貢獻(xiàn)大于三個(gè)真實(shí)因素中任何一個(gè)的因素都將被視為三個(gè)真實(shí)因素的非線(xiàn)性效應(yīng),并將通過(guò)進(jìn)一步的優(yōu)化工作進(jìn)行更詳細(xì)的調(diào)查。

結(jié)果和討論

去離子水

在正性光致抗蝕劑中形成PDDs的最廣泛持有的理論是,曝光區(qū)域的光致抗蝕劑成分被顯影劑去除,但是在顯影和沖洗過(guò)程中被重新沉積或吸附在晶片表面上。為了減少PDDs,應(yīng)該可以簡(jiǎn)單地沖洗掉這些顆粒。然而,當(dāng)抗蝕劑組分從溶液中析出并沉積在晶片或BARC表面上時(shí),它們似乎牢固地結(jié)合并且不容易被沖洗掉。與該DOE相關(guān)的工藝改進(jìn)旨在短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生強(qiáng)大的力,以克服PDDs的結(jié)合能。該測(cè)試中的沖洗過(guò)程通過(guò)低/高速循環(huán)的循環(huán)提供去除缺陷的能量。在低速和高速之間的過(guò)渡中產(chǎn)生的變化的向心力驅(qū)逐顆?;蚍乐顾鼈兊某跏汲练e。速度的快速循環(huán)不會(huì)讓游離的粒子重新附著在BARC表面,就像糖懸浮在水中,攪拌時(shí)會(huì)溶解在一杯冷水中。

為了創(chuàng)造這種情況,缺陷必須在短時(shí)間內(nèi)看到動(dòng)量的變化。這可以通過(guò)漂洗過(guò)程中兩種旋轉(zhuǎn)速度之間的快速振蕩來(lái)實(shí)現(xiàn)。這個(gè)脈沖函數(shù)可以定義為力乘以力起作用的時(shí)間間隔。這個(gè)力與速度的平方成正比。因此,旋轉(zhuǎn)速度的小變化會(huì)導(dǎo)致力的大變化。為了縮短兩個(gè)旋轉(zhuǎn)速度之間的時(shí)間間隔,應(yīng)該像在DOE中那樣采用高加速度和短旋轉(zhuǎn)時(shí)間。這具有快速改變BARC上和懸浮在漂洗中的顆粒所受力的效果水。這些變化的力可以賦予足夠的能量從BARC表面去除顆粒,并在沖洗掉缺陷的同時(shí)保持顆粒懸浮。

如前所述,將實(shí)驗(yàn)運(yùn)行的三個(gè)晶片平均值和中間值結(jié)果輸入到軟件中,并用典型的ANOVA技術(shù)進(jìn)行分析,以找出每個(gè)因素對(duì)響應(yīng)的相對(duì)百分比貢獻(xiàn)。這項(xiàng)工作中的響應(yīng)是三個(gè)晶片的缺陷的中值、平均值和范圍。在大型人群中,平均值和中位數(shù)即使不完全相同,也非常接近;在本實(shí)驗(yàn)中,由于每次實(shí)驗(yàn)只涂覆了少量的晶片,使用平均值和中值統(tǒng)計(jì)將最小化異常數(shù)據(jù)點(diǎn)對(duì)平均值的任何影響。

首先檢查缺陷的平均數(shù)。根據(jù)百分比貢獻(xiàn)創(chuàng)建的帕累托圖如圖3所示。從左到右,最重要的因素被標(biāo)記為4、1、13和2,并對(duì)應(yīng)于循環(huán)次數(shù)、開(kāi)始漂洗速度和開(kāi)始漂洗時(shí)間。因子13是該DOE中未分配的因子。該因素高度重要的可能原因是,如前所述,該DOE未考慮的非線(xiàn)性效應(yīng)(多因素相互作用),或者是存在一個(gè)在試驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生變化的不受控制和未說(shuō)明的因素。由于TEL Mk8上的控制,后者不太可能。

在帕累托圖中,三個(gè)實(shí)際因素占總貢獻(xiàn)的60%,循環(huán)次數(shù)和開(kāi)始漂洗速度占該部分的大部分。關(guān)于這些因素的顯著性統(tǒng)計(jì),循環(huán)次數(shù)和開(kāi)始沖洗速度給出了大于95%的置信限。開(kāi)始沖洗時(shí)間的置信限約為80%或更低。這些數(shù)據(jù)表明,循環(huán)次數(shù)和開(kāi)始沖洗速度在減少PDDs方面起著重要作用,而開(kāi)始沖洗時(shí)間在減少缺陷方面作用較小。顯著性統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)的快速下降意味著所有其他因素都非常弱,在更詳細(xì)的研究中可以忽略,因此可以放心地選擇最初假設(shè)的三個(gè)最大的影響因素。

在將相同的技術(shù)應(yīng)用于中值晶片缺陷數(shù)據(jù)時(shí),發(fā)現(xiàn)相同命名的因素是缺陷數(shù)量的三個(gè)最高貢獻(xiàn)者。在這種情況下,開(kāi)始漂洗速度的貢獻(xiàn)最大,其次是循環(huán)次數(shù)。兩者仍然是減少缺陷的最大貢獻(xiàn)者。因子13和因子10(另一個(gè)未指定的因子)是第二大因素。第三個(gè)真正的因素是開(kāi)始沖洗的時(shí)間。如前所述,方差分析顯示循環(huán)次數(shù)和開(kāi)始沖洗速度在95%置信限內(nèi)具有顯著性。其他因素遠(yuǎn)低于90%的置信限。

為了確保DOE結(jié)果的有效性,設(shè)計(jì)了驗(yàn)證運(yùn)行。根據(jù)DOE創(chuàng)建了兩個(gè)沖洗配方,一個(gè)將指定的因素設(shè)置為最佳設(shè)置,以最大限度地減少缺陷,另一個(gè)設(shè)置為最差設(shè)置。用于內(nèi)部測(cè)試的另外兩種漂洗配方用于比較與工業(yè)中典型漂洗工藝相關(guān)的缺陷。表3列出了所有的漂洗過(guò)程。

將循環(huán)次數(shù)、開(kāi)始沖洗速度和開(kāi)始沖洗時(shí)間設(shè)置為最佳和最差設(shè)置,并涂覆五個(gè)晶片以驗(yàn)證DOE的結(jié)果。最佳沖洗設(shè)置具有1個(gè)缺陷/晶片的歸一化平均缺陷,缺陷范圍為. 6。最差的設(shè)置平均有2.5倍的缺陷,每個(gè)晶片有1.5倍的缺陷。沖洗過(guò)程的最佳設(shè)置減少了每個(gè)晶片的平均缺陷(減少了61%)和范圍(減少了約60%)。最佳工藝的漂洗時(shí)間為17秒,隨著對(duì)三個(gè)重要因素的進(jìn)一步優(yōu)化實(shí)驗(yàn)和對(duì)其它非重要因素如結(jié)束漂洗時(shí)間的減少,該時(shí)間可以進(jìn)一步減少。這一時(shí)間大大低于沖洗時(shí)間少于30秒的要求。

將最佳漂洗工藝與當(dāng)今工業(yè)中更為典型的另外兩種漂洗工藝進(jìn)行了比較,因?yàn)?/p>

如圖5所示。每個(gè)過(guò)程運(yùn)行三個(gè)晶片。典型的漂洗工藝1的平均值為3.0(與最佳漂洗相比),大范圍為2.5。具有DOE沖洗設(shè)置的典型沖洗過(guò)程1具有平均0.7,減少了76%,以及更低的0.14的范圍,產(chǎn)生了94%的晶片間范圍的減少。

然后將典型的漂洗過(guò)程2與DOE漂洗進(jìn)行比較。這一次,DOE配方并沒(méi)有顯著減少缺陷。然而,范圍減少了75%,從1到0 . 26。在檢查沖洗過(guò)程2時(shí),隨著沖洗過(guò)程的繼續(xù),高低周期之間的差異增大,從而產(chǎn)生類(lèi)似于此處描述的情況。賦予缺陷的可能能量增加,因?yàn)樾D(zhuǎn)速度增加,因此缺陷被去除。然而,該沖洗過(guò)程比DOE沖洗長(zhǎng)2秒,并且對(duì)于300mm晶片處理來(lái)說(shuō),旋轉(zhuǎn)速度不兼容。

DOE定義的沖洗過(guò)程是一個(gè)非??煽康倪^(guò)程。當(dāng)比較表2中每個(gè)過(guò)程的顯影劑分配和攪拌步驟時(shí),很容易發(fā)現(xiàn)顯著的差異。當(dāng)比較缺陷時(shí),平均缺陷數(shù)沒(méi)有顯著差異,并且集中在200個(gè)缺陷/晶片左右。這給了過(guò)程非常健壯的信心,并且將有效地去除PDDs,而不管開(kāi)發(fā)過(guò)程,并且將只留下最緊密結(jié)合的缺陷。在這里研究的情況下,來(lái)自該光致抗蝕劑的成分非常緊密地粘附到BARC表面,并且為了去除更多的缺陷,需要額外的工藝修改。

為了顯示沖洗過(guò)程對(duì)測(cè)量的線(xiàn)寬的影響,顯影步驟和曝光劑量保持不變,沖洗過(guò)程變化。隨著每次沖洗過(guò)程,兩個(gè)晶片被曝光和顯影

帶有一個(gè)控件。控制過(guò)程規(guī)定了為其他三個(gè)沖洗過(guò)程設(shè)定的劑量。針對(duì)250nm的密集線(xiàn)/間隔測(cè)量每個(gè)晶片上的三個(gè)管芯,總共六次測(cè)量。然后將數(shù)據(jù)繪制在圖6中,包括范圍、中間值和平均值。當(dāng)漂洗過(guò)程的平均線(xiàn)寬與對(duì)照測(cè)量值比較時(shí),差異小于2%。當(dāng)比較測(cè)量范圍時(shí),DOE定義的沖洗過(guò)程對(duì)測(cè)量的線(xiàn)寬幾乎沒(méi)有影響。

表面調(diào)節(jié)劑

這些沖洗產(chǎn)物產(chǎn)生的缺陷(如果有的話(huà))可能是制劑中表面活性物質(zhì)的殘留物,或者是制劑和光致抗蝕劑之間的相互作用產(chǎn)物。沒(méi)有進(jìn)行缺陷分析;這里只研究去除它們的過(guò)程。顯影劑分配和攪拌過(guò)程沒(méi)有改變,因?yàn)檫@很可能導(dǎo)致CD移位。此外,去離子水沖洗簡(jiǎn)化為只有一個(gè)沖洗速度和時(shí)間,如DOE中所述,以簡(jiǎn)化結(jié)果分析。

結(jié)果放在DesignEase軟件中,并繪制了因素強(qiáng)度的帕累托圖,該圖繪制了平均缺陷統(tǒng)計(jì)量和中位數(shù)統(tǒng)計(jì)量,如圖7和圖8所示。與去離子水沖洗工藝一樣,應(yīng)做進(jìn)一步的工作,使用三個(gè)最強(qiáng)的因素和更徹底的DOE來(lái)調(diào)查工藝窗口的范圍。來(lái)自中值和均值統(tǒng)計(jì)帕累托圖的結(jié)果與作為最強(qiáng)因素的“水漂洗脫水速度”、“干脫水速度”和“干燥時(shí)間”相當(dāng)一致。由此可以有把握地說(shuō),這三個(gè)因素將在減少與SC相關(guān)的缺陷方面發(fā)揮重要作用。中值統(tǒng)計(jì)和均值統(tǒng)計(jì)Pareto圖之間的結(jié)果略有不同的原因是,每個(gè)實(shí)驗(yàn)只測(cè)試三個(gè)晶片,非常高或非常低的異常值很容易影響均值統(tǒng)計(jì),然后使軟件報(bào)告錯(cuò)誤數(shù)據(jù)。

針對(duì)之前定義為最強(qiáng)的三個(gè)因素,在最佳和最差工藝條件下對(duì)一組晶片進(jìn)行涂覆、曝光和顯影。所有其他因素被設(shè)置為低設(shè)置以最小化旋轉(zhuǎn)速度和旋轉(zhuǎn)時(shí)間,并且由于晶片覆蓋問(wèn)題,流速被設(shè)置為0.8 L/min。對(duì)于這兩個(gè)過(guò)程中的每一個(gè),五個(gè)晶片被涂覆、曝光和顯影。結(jié)果總結(jié)在表4中。在最差的DOE條件下,歸一化平均缺陷為5.2,標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.75。最佳條件確認(rèn)運(yùn)行的標(biāo)準(zhǔn)化平均值為1,標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.23,減少了80%。

干燥速度和時(shí)間仍然需要一些優(yōu)化,因?yàn)樽⒁獾皆?秒鐘的干燥時(shí)間后,SC沒(méi)有完全干燥。進(jìn)行了改變干紡時(shí)間的測(cè)試,以發(fā)現(xiàn)SC何時(shí)干燥以及缺陷隨干燥時(shí)間的變化趨勢(shì)。結(jié)果如圖9所示。可以看出,隨著干紡時(shí)間的增加,缺陷有增加的趨勢(shì)。SC在15-20秒內(nèi)干燥,如果曲線(xiàn)看起來(lái)是最陡的部分。

結(jié)論

已經(jīng)發(fā)現(xiàn),通過(guò)使用DOE,穩(wěn)健的沖洗過(guò)程可以顯著減少PDD的數(shù)量和可變性。被發(fā)現(xiàn)具有重要意義的DOE參數(shù)是漂洗過(guò)程中的循環(huán)次數(shù)、開(kāi)始漂洗速度以及在較小程度上的開(kāi)始漂洗時(shí)間。該測(cè)試的結(jié)果表明,在每個(gè)晶片的平均缺陷和幾個(gè)晶片的范圍上,可以實(shí)現(xiàn)超過(guò)75%的可能減少。此外,沖洗時(shí)間已從最大允許時(shí)間30秒減少到17秒。還表明,對(duì)于250納米的密集線(xiàn)/間隔,測(cè)量的線(xiàn)寬差異小于2%。在這項(xiàng)工作中考慮了三種不同的顯影配方,所有配方都顯示出晶片間可變性的減少或每個(gè)晶片缺陷數(shù)量的減少,或兩者兼有。這表明沖洗過(guò)程可用于任何數(shù)量的顯影過(guò)程,并具有一些積極的結(jié)果。通過(guò)這項(xiàng)工作,可以去除可能被認(rèn)為是致命缺陷的不需要的缺陷,并可能增加產(chǎn)量,同時(shí)通過(guò)減少清洗過(guò)程中的水消耗以及減少去除缺陷所需的時(shí)間來(lái)降低成本。

研究了用于減少193納米光致抗蝕劑的線(xiàn)塌陷的后水沖洗材料,以找到改變以最小化缺陷的最佳參數(shù)。該測(cè)試的參數(shù)是水漂洗速度、干轉(zhuǎn)速度和干燥時(shí)間。從測(cè)試來(lái)看,從最差到最好的過(guò)程中,缺陷減少了80%。仍然需要進(jìn)一步的優(yōu)化,因?yàn)楫?dāng)工藝以最低的缺陷完成時(shí),SC不是完全干燥的。

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審核編輯:符乾江

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    一、涂膠顯影設(shè)備:光刻工藝的“幕后守護(hù)者” 在半導(dǎo)體制造的光刻環(huán)節(jié)里,涂膠顯影設(shè)備與光刻機(jī)需協(xié)同作業(yè),共同實(shí)現(xiàn)精密的
    的頭像 發(fā)表于 07-03 09:14 ?124次閱讀
    壓電納米技術(shù)如何輔助涂膠<b class='flag-5'>顯影</b>設(shè)備實(shí)踐精度突圍

    改善光刻圖形線(xiàn)寬變化的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻圖形線(xiàn)寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線(xiàn)寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線(xiàn)寬變化的方法,并探討白光干涉儀在
    的頭像 發(fā)表于 06-30 15:24 ?121次閱讀
    改善<b class='flag-5'>光刻</b>圖形線(xiàn)寬變化的<b class='flag-5'>方法</b>及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    改善光刻圖形垂直度的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    深入探討白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。 改善光刻圖形垂直度的方法 優(yōu)化光刻膠性能 光刻膠的特性直接影響圖形垂直度。選用高對(duì)比度、低膨脹系
    的頭像 發(fā)表于 06-30 09:59 ?119次閱讀
    改善<b class='flag-5'>光刻</b>圖形垂直度的<b class='flag-5'>方法</b>及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:19 ?205次閱讀
    針對(duì)晶圓上芯片工藝的<b class='flag-5'>光刻</b>膠剝離<b class='flag-5'>方法</b>及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    為什么光刻要用黃光?

    通過(guò)使用光掩膜和光刻膠在基板上復(fù)制流體圖案的過(guò)程。基板將涂覆硅二氧化層絕緣層和光刻膠。光刻膠在被紫外光照射后可以容易地用顯影劑溶解,然后在腐蝕后,流體圖案將留在基板上。無(wú)塵室(Clea
    的頭像 發(fā)表于 06-16 14:36 ?244次閱讀

    減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?297次閱讀
    <b class='flag-5'>減少</b><b class='flag-5'>光刻</b>膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的<b class='flag-5'>方法</b>及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    光刻工藝中的顯影技術(shù)

    一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù),通過(guò)光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線(xiàn)或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化,再經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕等工藝過(guò)程,將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微
    的頭像 發(fā)表于 06-09 15:51 ?427次閱讀

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    。 光刻膠剝離液及其制備方法 常見(jiàn)光刻膠剝離液類(lèi)型 有機(jī)溶劑型剝離液 有機(jī)溶劑型剝離液以丙酮、N - 甲基吡咯烷酮(NMP)等有機(jī)溶劑為主體成分。丙酮對(duì)普通光刻膠的溶解能力強(qiáng),能夠快速
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?222次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻</b>膠剝離液及其制備<b class='flag-5'>方法</b>及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    詳談X射線(xiàn)光刻技術(shù)

    隨著極紫外光刻(EUV)技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn),X射線(xiàn)光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì),在特定領(lǐng)域正形成差異化競(jìng)爭(zhēng)格局。
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:08 ?385次閱讀
    詳談X射線(xiàn)<b class='flag-5'>光刻</b>技術(shù)

    2025年中國(guó)顯影設(shè)備行業(yè)現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)及前景預(yù)測(cè)

    顯影設(shè)備定義 顯影設(shè)備,在廣義上,是指將曬制好的印版通過(guò)特定的程序,將顯影、沖洗、涂膠、烘干等工序一次性部分或全部完成的印刷處理設(shè)備。這類(lèi)設(shè)備通常由傳動(dòng)系統(tǒng)、
    的頭像 發(fā)表于 01-20 14:48 ?409次閱讀

    使用IP核和開(kāi)源庫(kù)減少FPGA設(shè)計(jì)周期

    /prologue-the-2022-wilson-research-group-functional-verification-study/),70% 的 FPGA 項(xiàng)目落后于計(jì)劃,12% 的項(xiàng)目落后計(jì)劃 50% 以上。 為此,很多FPGA廠(chǎng)商都在自己EDA工具里嵌入IP減少FPGA項(xiàng)目的開(kāi)發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 01-15 10:47 ?698次閱讀
    使用IP核和開(kāi)源庫(kù)<b class='flag-5'>減少</b>FPGA設(shè)計(jì)<b class='flag-5'>周期</b>

    一文看懂光刻技術(shù)的演進(jìn)

    ,其中光刻技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。光刻是指在特定波長(zhǎng)光線(xiàn)的作用下,將設(shè)計(jì)在掩膜板上的集成電路圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上的技術(shù)工藝。為了完成圖形轉(zhuǎn)移,需要經(jīng)歷沉積、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)與曝光、后烘、
    的頭像 發(fā)表于 11-28 09:58 ?2050次閱讀
    一文看懂<b class='flag-5'>光刻</b>技術(shù)的演進(jìn)

    光刻機(jī)的工作原理和分類(lèi)

    ,是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠。芯片的加工過(guò)程對(duì)精度要求極高,光刻機(jī)通過(guò)一系列復(fù)雜的技術(shù)手段,將光束透射過(guò)畫(huà)著線(xiàn)路圖的掩模,經(jīng)物鏡補(bǔ)償各種光學(xué)誤差,將線(xiàn)路圖成比例縮小后映射到硅片上,然后使用化學(xué)方法顯影,得到刻在硅片上的電路圖
    的頭像 發(fā)表于 11-24 09:16 ?5854次閱讀

    簡(jiǎn)述光刻工藝的三個(gè)主要步驟

    光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝,其中包括3大步驟的工藝:涂膠、曝光、顯影。三個(gè)步驟有一個(gè)異常,整個(gè)光刻工藝都需要返工處理,因此現(xiàn)場(chǎng)異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”
    的頭像 發(fā)表于 10-22 13:52 ?2179次閱讀

    微流控光刻掩膜制作

    微流控光刻掩膜的制作過(guò)程涉及多個(gè)步驟,?包括設(shè)計(jì)、?制版、?曝光、?顯影、?刻蝕等,?最終形成具有特定圖形結(jié)構(gòu)的掩膜版。? 首先,?設(shè)計(jì)階段是制作掩膜版的關(guān)鍵一步。?設(shè)計(jì)人員需要使用標(biāo)準(zhǔn)的CAD
    的頭像 發(fā)表于 08-08 14:56 ?648次閱讀