2020年750V第四代SiC FET誕生時，它與650V第三代器件的比較結果令人吃驚，以6毫歐器件為例，品質因數RDS?A降了近一半，由于體二極管反向恢復能量，動態(tài)損耗也降了近一半。關閉能量Etot顯著降低，而短路耐受時間和體二極管浪涌電流提高到了兩倍以上。

這些進步使得SiC FET在效率和成本至關重要的系統中遙遙領先于競爭性技術：IGBT、Si-MOSFET、SiC-MOSFET，甚至GaN，例如在電動車/太陽能逆變器中、電池充電器中、PFC級中以及一般的直流和交直流轉換中。在應用中，與其他器件相比，750V額定值是一個有用的新增優(yōu)勢，使其擁有比額定電壓通常僅為650V的其他技術器件更大的安全裕度。這甚至能降低要將電壓過沖保持在最大額定值內所需的高損耗緩沖，增效節(jié)能。
第三代技術提供了1200V和更高額定電壓的器件，而現在，UnitedSiC（現名Qorvo）提供了1200V第四代器件，它們具有一系列導通電阻額定值，可滿足通常使用800V總線的各種應用的需要。為了能靈活設計，RDS(on)值為23/30/53和70毫歐的產品均以TO-247-4L封裝提供，并額外采用開爾文源極連接，滿足開關速度極快的應用的需求。53和70毫歐器件還以TO-247-3L封裝提供，供重要性略低但對成本更為敏感的設計使用。與750V器件一樣，每個器件都有業(yè)界出眾的導電和動態(tài)相關損耗品質因數：RDS?A、RDS(on)?Coss,tr和RDS(on)?Qg。1200V器件還利用在第四代產品中開發(fā)出的技術，即先進的單元最大化技術、晶圓減薄技術和銀燒結晶粒連接方法。這為器件帶來了出色的熱能力，符合總線電壓較高的系統中較高功率電平的要求以及利用的先進冷卻技術的要求。新的UF4C/SC器件經過優(yōu)化，可用于硬開關應用，如連續(xù)導電模式中廣受歡迎的圖騰柱PFC級。它們還非常適合軟開關設計，在此類設計中，SiC FET的低輸出電容和低導電損耗都是顯著優(yōu)勢。

新1200V器件的一個顯而易見的應用是采用800V電池的電動車，它需要車載充電器和輔助直流轉換器。當然，新的1200V第四代器件具有SiC FET的既有優(yōu)勢：常關型、柵極驅動輕松、體二極管損耗低和碳化硅固有的強度。

來源：UnitedSiC