高速的數(shù)據(jù)轉換在設計中有很多和一般數(shù)據(jù)轉換設計中相似的問題，需要可靠的設計和穩(wěn)定的結構。從基礎上來說，兩者并無二致，但受限于芯片的限制，高速數(shù)據(jù)轉換系統(tǒng)中更能窺見前沿的動態(tài)性能發(fā)展。

在一個高速數(shù)據(jù)轉換系統(tǒng)中，放大器、DAC、ADC這些都是必不可少的。一般先考慮運算放大器，接下來是在數(shù)據(jù)轉換中相當重要的采樣/保持，再是DAC，ADC這些。

不管是兼容于ECL還是兼容于TTL的DAC，它們有很多組成部分是相同的，尤其是核心電流控制部分。目前最典型的單片工藝可以做到的數(shù)模轉化器，12位分辨率，還原時間25ns，精度±0.01%，差不多都在這個范圍內(nèi)。這種高速、高分辨率、低功耗的DAC包含了高精度的電流開關、放大器、NPN等等。NPN中的薄膜電阻利用激光平衡技術能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)維持12位的線性度。在這種DAC中，一般來說只有極少數(shù)電容因為太大而導致不能集成，需要作為濾波和旁路的片外器件。

高速DAC如何控制電流？

為了控制通過輸出開關的電流能足夠快，避免飽和十分重要，一旦晶體管飽和，恢復時間會遞增。不同的DAC結構有不同的特點，二進制結構的DAC可以得到很高的精確度，但問題在于在如此寬的電流范圍內(nèi)，精確匹配分立的電源流和開關是很難的。

12位DAC滿刻度LSB電流仍然會太小難以匹配高速的開關。這種結構唯一的可取之處在于其不會損耗電流，耗散相比其他設計低得多。

另一種較為接近的方法是12位等值的電流開關，12位等值權的電流源與伺服控制環(huán)精確匹配。如果所有的晶體管和電阻都能匹配得很好，這是一種很理想的技術，在失效性能上是控制得最小的，代價是高功率耗散。

實際設計中，數(shù)模轉換器一般都是混合這兩種設計。相同電流密度的MSB電流與LSB電流持續(xù)匹配。為了盡可能控制失效性能，DAC傳播延遲在負值的同時也有正的邏輯變化；為了解決低位高電流供應，會犧牲提供的差動驅動器。如果以犧牲差動驅動器為代價來解決低位高電流供應，那芯片必須附加十二位的差動輸入。

設計中的誤差源

首先，為了使器件能夠保持高速，一個合適阻值的齊納擊穿是很有必要的。當ECL處在低電平時，本該截止的基極即使微導通，傳導的總量對于一個12位的DAC來說還是能夠承受的。

上面說到，薄膜電阻利用激光平衡技術能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)維持線性度。晶體管和薄膜電阻的匹配就是其中的誤差源。合理的晶體管匹配加之伺服環(huán)路的補償作用，能將溫度偏移性能控制得很好。配合合適的電阻選擇，可以獲得極其優(yōu)秀的阻抗匹配。這種水平的設計做到一個高增益的，有±1/2LSB線性度的DAC不是難事。

剩下的兩個誤差源來自輸出阻抗以及重疊誤差。輸出阻抗比較好確定，比較公式化，通過合適的設計即可消除。重疊誤差的產(chǎn)生就有很多原因了。首先就是補償產(chǎn)生的重疊誤差，在R-2R梯度的反向線中電阻產(chǎn)生。這種效應可以通過盡可能減小梯度返回的阻抗來優(yōu)化。

ECL DAC更佳的性能

通常在設計中都會利用ECL DAC，比較于TTL DAC，ECL的邏輯延遲更小、噪聲更低，還有一點則是ECL數(shù)據(jù)寄存器有著更低的數(shù)據(jù)不對稱性。數(shù)據(jù)不對稱性產(chǎn)生于所有數(shù)字輸入在相同的時間內(nèi)不改變的時候，這種不對稱性可以理解為DAC輸出端口的失效率。

這個數(shù)值，一般通過測量LSB的單位失效區(qū)域來給出。失效時間的測量中，峰值失效振幅是器件帶寬的函數(shù)，當帶寬減少時，峰值幅度將會減小，失效將持續(xù)更長的時間。如果想進一步減小失效，可以進一步在DAC后面帶有的跟蹤和保持電路上做優(yōu)化。

小結

高精度高速的數(shù)模轉換器對于設計、版圖、工藝、制造的要求都很高，必須嚴格把控設計中所有的單元都有著足夠的精度。

不管是兼容于ECL還是兼容于TTL的DAC，它們有很多組成部分是相同的，尤其是核心電流控制部分。CMOS技術也已經(jīng)在數(shù)模轉換器中展現(xiàn)出了相當高的性能，雖然基于CMOS的DAC分辨率上做到雙極技術和差不多，但是速度這一指標上還是落下了雙極技術不少。GaAs技術近年來也開始被用于設計超高速DAC，其拓撲結構在某種程度上和雙極設計十分相似。