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芯動科技發(fā)布全球首個GDDR6X顯存技術(shù)

芯動科技Innosilicon ? 來源:電子創(chuàng)新網(wǎng) ? 作者:芯動科技Innosilic ? 2022-05-12 11:05 ? 次閱讀
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近日,2022年珠海軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)年會暨數(shù)字經(jīng)濟創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇上,芯動科技正式發(fā)布了全球首款GDDR6X高速顯存技術(shù),目前該技術(shù)已支持風(fēng)華4K級高性能GPU的創(chuàng)新突破和量產(chǎn),還將進一步賦能高性能計算產(chǎn)品,助力全球合作伙伴成功。

此次首發(fā)的GDDR6/6X Combo IP,單個DQ能達到21Gbps超高速率,在256位寬度下系統(tǒng)帶寬超過5Tb/秒,是同位寬DDR4/LPDDR4最高帶寬的5倍,整體帶寬性能直追HBM,成本卻遠低于HBM,是當(dāng)前最具性價比的高帶寬存儲解決方案,能有效促進GPU/NPU/DPU等高性能計算及人工智能產(chǎn)品打破內(nèi)存墻,堪稱HPC/Graphics領(lǐng)域大殺器。

據(jù)介紹,GDDR6X首次在工業(yè)量產(chǎn)產(chǎn)品中使用單端PAM4技術(shù),實現(xiàn)了更高的數(shù)據(jù)速率,也帶來更大的設(shè)計挑戰(zhàn)。相比NRZ信號的PAM2,PAM4技術(shù)可以將信號的基礎(chǔ)頻率降低一倍,從而大幅減小基礎(chǔ)頻率下的信號衰減。在串口差分接口技術(shù)中,PAM4已經(jīng)廣泛應(yīng)用于56G/112G高速SerDes;而在DDR單端信號技術(shù)中,由于更高的串?dāng)_和噪聲控制要求,PAM4過去一直沒有真正使用在工業(yè)產(chǎn)品中。在GDDR6X技術(shù)研發(fā)過程中,為了保證單端PAM4信號的正確發(fā)送和接收,芯動使用了大量高性能IO接口技術(shù)、抗噪聲和信號均衡恢復(fù)技術(shù)。因此在大幅提升接口數(shù)據(jù)傳輸速率的同時,GDDR6X實際內(nèi)核頻率甚至可以做到比上一代技術(shù)更低一些。這比業(yè)界常見的串口差分PAM4技術(shù),難不止一個數(shù)量級。

值得注意的是,芯動科技的GDDR6X IP和GDDR6 IP可以二合一兼容。也就是說使用這個Combo IP的芯片,既可以使用GDDR6的內(nèi)存顆粒也可以使用GDDR6X的內(nèi)存顆粒,這樣客戶的選擇性和靈活性就會更高。而且芯動科技的GDDR6/6X Combo IP不是設(shè)計完成階段,也不是流片驗證階段,而是已經(jīng)在多個先進FinFet工藝成功量產(chǎn)出貨,是非常成熟且可以保證量產(chǎn)的IP技術(shù),也是芯動和美光合作推出的世界首個硅驗證的GDDR6X超帶寬解決方案。美光在官網(wǎng)上盛贊這項技術(shù),“芯動基于GDDR6X的PHY芯片使用PAM4信令機制,進一步提高了人工智能應(yīng)用所需的高效率和數(shù)據(jù)速率。雙方的合作展示了GDDR6X的高度實用性,通過內(nèi)存改變了人工智能版圖?!?/p>

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搭載GDDR6X自主創(chuàng)新技術(shù),芯動首個4K級高性能GPU“風(fēng)華1號”實現(xiàn)了圖形GPU的性能突破,大幅提升現(xiàn)有圖形GPU能力與用戶體驗,并成功應(yīng)用于桌面和服務(wù)器領(lǐng)域。從DDR5/4/3到LPDDR5X/5/4以及GDDR6X/6,芯動科技也成為了唯一實現(xiàn)對DDR系列高帶寬技術(shù)全覆蓋的IP廠商,為全球廣泛的高性能芯片公司提供重要技術(shù)支持,賦能全球合作伙伴產(chǎn)品成功。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:打破內(nèi)存墻,芯動科技發(fā)布全球首個GDDR6X顯存技術(shù)

文章出處:【微信號:Innosilicon,微信公眾號:芯動科技Innosilicon】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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