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長江存儲發(fā)布高速閃存芯片:UFS 3.1通用閃存UC023

要長高 ? 來源:全球SSD ? 作者:全球SSD ? 2022-04-19 14:40 ? 次閱讀
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4月19日,長江存儲宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。

這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR智能終端領(lǐng)域,以滿足AIoT、機器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對存儲容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。

UC023的上市標(biāo)志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場,將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。

根據(jù)JEDEC 2020年發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn),在加入了寫入增強器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)、性能調(diào)整通知(Performance Throttling Notification)等技術(shù)后,UFS 3.1理論帶寬可達(dá)2.9GB/s,性能較eMMC 5.1及UFS 2.2有了大幅提升。

為了使消費者在賞玩高幀率游戲、觀看8K高清視頻時獲得更為流暢的使用體驗,長江存儲UFS 3.1閃存UC023采用全新升級的晶棧2.0(Xtacking? 2.0)技術(shù)的TLC 3D閃存顆粒,設(shè)計和工藝得到了進(jìn)一步的改良優(yōu)化。作為旗艦級UFS 3.1閃存,UC023還具備如下特點:

? 解碼多項新技術(shù),全面釋放UFS 3.1優(yōu)勢:搭載主機碎片化整理技術(shù)(HID),優(yōu)化數(shù)據(jù)處理操作,節(jié)省更多存儲空間;引入隨機寫性能優(yōu)化機制,寫入速度提升至230K IOPS,實現(xiàn)多個應(yīng)用自如切換。

? 出色的性能功耗比,增強用戶移動體驗:發(fā)揮極致讀寫性能的同時,仍然保證超低功耗運行。在線觀看8K高清視頻不卡頓,設(shè)備待機時間顯著增長。

? 為客戶量身定制,提供多款主流容量:UC023提供定制化產(chǎn)品開發(fā)服務(wù)與及時、專業(yè)、高效的技術(shù)支持;128、256和512GB三款存儲容量,滿足主流市場需求。

UC023現(xiàn)已通過各平臺驗證,兼容性強、應(yīng)用廣泛。此次UC023的正式發(fā)布,標(biāo)志著長江存儲嵌入式解決方案可以滿足更為嚴(yán)苛的測試標(biāo)準(zhǔn),適配更復(fù)雜的使用環(huán)境。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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