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DRAM面臨庫存積壓,長江存儲發(fā)布致態(tài)TiPlus5000 SSD

西西 ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 作者:網(wǎng)絡整理 ? 2022-04-11 11:28 ? 次閱讀
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在各種不利因素尚未紓解前,DRAM現(xiàn)貨供應商仍面臨庫存積壓問題,月底到貨亦顯著影響價格走勢,工廠端補貨態(tài)度普遍并不積極,即便議價空間擴大,此策略仍無法彰顯任何效力,整體交易情況持續(xù)衰退。

NAND Flash市場整體動能停滯,買氣蕭條,多方因素造成供需雙方態(tài)度保守觀望,供應端資金鏈緊縮,紛紛主動釋出低價以求套現(xiàn),工廠端則因終端需求不甚明朗,并未積極備貨,顆粒賣壓逐漸浮現(xiàn),除了Kioxia/Micron特定高容量規(guī)格,仍受SSD需求拉抬,詢單表現(xiàn)相對穩(wěn)定,但也仍持續(xù)受限于交期及價格偏高,雙方交集有限,而其余顆粒價格表現(xiàn)皆不理想,呈現(xiàn)疲軟滑落姿態(tài)。

長江存儲發(fā)布致態(tài)TiPlus5000 SSD

長江存儲今天推出了新款消費級固態(tài)硬盤產品致態(tài)TiPlus5000,該產品采用基于晶棧 2.0(Xtacking2.0)架構的長江存儲第三代三維閃存芯片,支持PCI-E 3.0 x4接口、NVMe 1.3協(xié)議,連續(xù)讀取速度高達3500 MB/s,最大容量能到2TB,大容量足容設計、持久的寫入壽命,給消費者帶來更多存儲選擇。

致態(tài)TiPlus5000有512GB、1TB、2TB三個容量可選,采用DRAMless設計,支持HMB、SLC Cache、智能溫控等技術,所有容量的連續(xù)讀取速度均可達到3500MB/s,寫入速度512GB是為2700MB/s,1TB的是3100MB/s,2TB的是3200MB/s,隨機性能方面,三個容量是4K隨機讀寫IOPS分別為235K/380K、465K/390K、550K/400K,耐久度則是每512GB 300TBW,質保期5年。

翠亨新區(qū)打造芯片行業(yè)集聚高地

4月8日,編號為G28-2021-0095的中山翠亨新區(qū)國有建設用地正式摘牌,莊嚴科技(廣東)有限公司以11.75億元,成功競得該商業(yè)項目用地。這是2022年翠亨新區(qū)推出的首宗公開出讓重大招商項目地塊,也是全市首個以產業(yè)項目準入標準加經(jīng)濟、科技指標約束的商業(yè)用地項目。

莊嚴控股表示,競得用地后,集團將依托其自身在半導體芯片產業(yè)鏈的優(yōu)勢和能力,引進和培育集成電路研發(fā)、設計及其上下游“專精特新”的科技企業(yè),在翠亨新區(qū)打造芯片行業(yè)集聚高地。

從招標公告來看,該用地項目定位為“灣區(qū)芯城”

DDR5的五大技術升級

新一代內存DDR5已經(jīng)問世,DDR5內存主要有以下五大技術升級

1、跑得快。從原來的“2133MHz”跨越式增長至“4800MHz”,最高可達到6400MHz,未來6400MHz也許將成為主流配置水平。

2、DRAM容量提升——容量更大

DDR5時代,單顆Die的容量上到64Gb的高度??梢赃@么說,DDR4時代容量上最高可達到32GB,這算是內存中的王者級別了,但是DDR5時代卻不一樣。

3、工作電壓更低——功耗更低、超頻更強:DDR5內存工作電壓值最低可以到1.1伏,實現(xiàn)了20%左右的降低。

4、On-die ECC下放——糾錯能力更強、運行更穩(wěn)定。

5、雙32位尋址通道 單通道變雙通道——延遲更低、效率倍增

文章綜合全球半導體觀察、IT科技發(fā)燒友、超能網(wǎng)、中山網(wǎng)

編輯:黃飛

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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