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一文看懂車規(guī)級碳化硅模塊

h1654155149.6853 ? 來源:馭勢資本 ? 作者:馭勢資本 ? 2022-04-07 10:32 ? 次閱讀
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800V架構(gòu)是全級別車型實(shí)現(xiàn)快充的主流選擇。對于電池端,快充實(shí)質(zhì)上是提升各電芯所在支路的充電電流,而隨著單車帶電量超100kWh以上的車型持續(xù)推出,電芯數(shù)量增加,若仍繼續(xù)維持400V母線電壓規(guī)格,電芯并聯(lián)數(shù)量增加,導(dǎo)致母線電流增加,對銅線規(guī)格、熱管理帶來巨大挑戰(zhàn)。

因此需要改變電池包內(nèi)電芯串并聯(lián)結(jié)構(gòu),減少并聯(lián)而增加串聯(lián),方能在提升支路電流的同時(shí)維持母線電流在合理水平。由于串聯(lián)數(shù)量增加,母線端電壓將提升。而100kWh電池包實(shí)現(xiàn)4C快充所要求的母線電壓即為800V左右。為了兼容全級別車型快充功能,800V電氣架構(gòu)成為實(shí)現(xiàn)快充的主流選擇。

整車:會(huì)戰(zhàn)高端化,800V車樁并舉。2019年豪車品牌保時(shí)捷推出全球首款800V車型Taycan 。2020年比亞迪漢采用了 800V架構(gòu),2021年上海車展發(fā)布的e平臺(tái)3.0亦搭載800V架構(gòu)。隨后華為、吉利、廣汽、小鵬、嵐圖等Tier1和整車廠/品牌推出了車樁兩端的解決方案,以保障快充使用體驗(yàn)。

未來兩年高端化是整車廠主戰(zhàn)場,軍備競賽開啟。補(bǔ)能時(shí)間是電動(dòng)車面臨的核心短板之一,升級800V結(jié)構(gòu)有利于實(shí)現(xiàn)快充,在短期內(nèi)形成對中低端車型的差異化競爭力。長期看快充對于中低端車型亦是剛需,800V架構(gòu)升級具備長期趨勢。

零部件與元器件:SiC和負(fù)極受益最大,其他部件平滑升級。從目前400V升級至800V ,變化最大的零部件和元器件主要是功率半導(dǎo)體和電池負(fù)極。其中SiC基功率半導(dǎo)體由于耐壓高、損耗低、開關(guān)頻率高等優(yōu)異性能,預(yù)計(jì)將全面替代Si基功率半導(dǎo)體。

由于快充瓶頸在于負(fù)極,如要將目前的1C倍充電率提升至2C ,再提升至4C ,主流技術(shù)包括石墨包覆/摻雜硬 碳、硅碳負(fù)極。其余部件則需要重新選型,提升耐壓等級,但整體來看成本變化平滑。短期來看高壓方案比目前方案整車成本增加2%左右,長期看有望低于目前成本,為整車廠推廣建立了良好基礎(chǔ)。

動(dòng)因:為什么是800V

汽車電壓平臺(tái)演變

燃油車時(shí)代,6V-12V-48V:

1912年汽車開始裝蓄電池,電壓為6V。隨著汽車電器如車燈、照明、ISG等用電器件增加,用電功率需求增加,1950年升級為12V,并延續(xù)至今。

期間還出現(xiàn)過42V,主要由美國發(fā)起,因零部件升級電壓規(guī)格成本高而未能實(shí)現(xiàn)。2010年信息娛樂、混動(dòng)等需求出現(xiàn),由歐洲發(fā)起48V升級,與12V并存。

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電動(dòng)車時(shí)代,出現(xiàn)>400V高壓

純電動(dòng)汽車中由于成百上千個(gè)電池串并聯(lián),整個(gè)電池包電壓超百伏,與燃油車上共有的12/48V用電器形成高、低壓兩套電氣系統(tǒng)。

純電動(dòng)汽車高壓系統(tǒng)主要由動(dòng)力電池、配電盒、OBC、DCDC、電驅(qū)、PTC、空調(diào)、充電口等構(gòu)成。

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目前純電動(dòng)乘用車由于帶電量不同,電壓等級在250-450V范疇,公交車/物流車由于帶電量高,電芯串聯(lián)之后電池包電壓范圍在450-700V。

未來乘用車有望升級至800V。

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痛點(diǎn):補(bǔ)能速度,兩種方案——換電和快充。

電動(dòng)車在動(dòng)力性能、智能化方面超越燃油車,續(xù)航里程也隨著電池能量密度提升、電耗降低而提升到400km以上水平。但整體仍面臨著補(bǔ)能焦慮的問題,燃油車加一次油時(shí)間為5分鐘,而目前快充至少要60分鐘。在高峰期充電排隊(duì)等候的時(shí)間亦進(jìn)一步拉長。

解決補(bǔ)能速度的兩條路線包括換電和快充,換電目前還面臨盈利模式、標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一等挑戰(zhàn)。

目前車企更多選擇快充路線,一方面快充與CTC趨勢一致,另一方面技術(shù)升級路徑清晰。

快充:兩種技術(shù)方向:根據(jù)P=UI,提升快充功率有2種方案。

提升U,代表是保時(shí)捷的800V方案,350A電流,實(shí)現(xiàn)300kW充電功率。

提升I,特斯拉超級快充方案,對熱管理有巨大挑戰(zhàn),600A電流,實(shí)現(xiàn)250kW充電功率。

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快充:為什么至少是800V?

為了向上兼容電池容量大的高端車。電池充電速度以電流倍率(C)衡量。實(shí)際應(yīng)用中的限制條件是:

充電槍有最大充電電流限制;

不同EV有不同的電池容量,均要實(shí)現(xiàn)相當(dāng)?shù)目斐鋾r(shí)間。

做一個(gè)簡單的算術(shù):假設(shè)忽略電池包內(nèi)部電芯連接方式,容量75/100kWh的電池包,要求同樣要實(shí)現(xiàn)7.5min充滿(<4min30%-80%SOC),即4C的最高倍率,最大電流為500A充電槍下,根據(jù)容量=電流*電壓*充電時(shí)間,75/100kWh電池包母線電壓將達(dá)到600/800V。

因此,為了向上兼容電池容量大高端車快充性能,在設(shè)計(jì)之初就將整車電壓水平定在800V,電池包內(nèi)部電芯亦以800V為標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)串并聯(lián)拓?fù)?,最后確定電芯容量。

例如,400V體系下,如果是三元電芯,需要400/3.6=112個(gè)串聯(lián)節(jié)點(diǎn);若4個(gè)電芯并聯(lián),則一共需要448個(gè)電芯。電池包容量是100kWh,則單個(gè)NCM電芯容量為62Ah,對應(yīng)電芯連接方式是4并112串。800V體系下,若電芯規(guī)格不變,電芯連接方式則變?yōu)?并224串。

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400V升級800V還有何益處?

高壓線束規(guī)格下降,用量減少,降本減重,在電壓翻倍、充電功率增幅不翻倍的情形下,串聯(lián)增加,高壓線束電流變小。

SiC逆變器使得電源頻率增加,電機(jī)轉(zhuǎn)速增加,相同功率下轉(zhuǎn)矩減小,體積減小。電機(jī)電壓翻倍,相同功率下電流減半,因此銅線細(xì)(但匝數(shù)增加,因此用銅量未減小),電流密度小,轉(zhuǎn)矩變小。若需提升功率,額定電流僅需從400V電機(jī)額定電流的一半開始增加。

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整車:會(huì)戰(zhàn)高端化,800V車樁并舉

第一階段:車端800V系統(tǒng)

開始應(yīng)用

保時(shí)捷Taycan的TurboS引領(lǐng)800V浪潮,自主品牌、海外合資以及造車新勢力,紛紛跟進(jìn)布局800V。

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第二階段:800V車樁并舉,成為

品牌升級的標(biāo)配

廣州車展各車企會(huì)戰(zhàn)高端化,消費(fèi)者對電車接受度迎來清晰拐點(diǎn),未來兩年料將是做品牌向上最好的階段。

高端車比短處,低端車比長處。各家高端化升級過程中堆配置,補(bǔ)能是各車企共同面臨的痛點(diǎn),長期看快充料將成為標(biāo)配。另外,快速補(bǔ)能對低端車亦是剛需,在換電路線發(fā)展速度比較慢的前提下,快充具備下沉潛力。

快充的完全體驗(yàn),需要車樁兩端同時(shí)配合。短期來看,800V快充樁普及速度有限,因此車企選擇在車樁兩端同時(shí)推廣800V(小鵬、嵐圖等),亦有例如華為的零部件供應(yīng)商提供完整的快充解決方案。

800V高電壓平臺(tái)難在哪里?—

—技術(shù)+基礎(chǔ)設(shè)施共同推進(jìn)

800V高電壓平臺(tái)面臨多個(gè)難點(diǎn),包括相關(guān)元器件的重新開發(fā),電池模組安全性的提升以及半導(dǎo)體器件路線的改變。

原有的大部分元器件都要重新開發(fā)、設(shè)計(jì),從而來匹配高電壓平臺(tái)。這對車企和供應(yīng)商提出了新的要求。

800V快充對現(xiàn)有電池構(gòu)成挑戰(zhàn),4C以上充電倍率以及電壓和電流的增大會(huì)極大的影響電池的穩(wěn)定性。仍需在BMS和電池材料電導(dǎo)率上進(jìn)一步改善。

半導(dǎo)體器件方面,在500V電壓平臺(tái)上常用的是IGBT,而在800V電壓平臺(tái)上SiC的性價(jià)比優(yōu)于IGBT。

800V快充性能實(shí)現(xiàn)需要車樁兩端同時(shí)具備800V能力,同時(shí)還要電網(wǎng)配合增容。

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零部件與元器件:SiC和負(fù)極受益最大,

其他部件平滑升級

400V->800V哪些零部件和元器件需要升級?

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電控

800V下SiC性能優(yōu)異,替代Si基功率半導(dǎo)體趨勢明確:

SiC基功率半導(dǎo)體相比Si基具備更高耐壓等級和開關(guān)損耗,以Si-IGBT為例,450V下其耐壓為650V,若汽車電氣架構(gòu)升級至800V,考慮開關(guān)電壓開關(guān)過載等因素,對應(yīng)功率半導(dǎo)體耐壓等級需達(dá)1200V,而高電壓下Si-IGBT的開關(guān)/導(dǎo)通損耗急劇升高,面臨成本上升而能效下降的問題。

800V下SiC的耐壓、開關(guān)頻率、損耗表現(xiàn)優(yōu)異,是800V趨勢下最大受益元器件。

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薄膜電容提升耐壓等級,短期內(nèi)單車價(jià)值提升:

薄膜電容的作用是作為直流支撐電容器,從DC-link端吸收高脈沖電流,保護(hù)功率半導(dǎo)體。一般一個(gè)功率半導(dǎo)體配一個(gè)薄膜電容,新能源車上主要用于電機(jī)控制器、OBC上,若多電機(jī)車型,薄膜電容用量亦會(huì)隨之增加。另外,在直流快充樁上亦需要一個(gè)薄膜電容。

目前薄膜電容ASP為200元,800V趨勢下,薄膜電容的ASP需提升約20%。另外短期看,800V會(huì)在高端車率先應(yīng)用,高端車一般采用多電驅(qū)配置,提升薄膜電容用量。

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電池

負(fù)極快充性能要求提升。動(dòng)力電池快充性能的掣肘在于負(fù)極:

一方面石墨材料的層狀結(jié)構(gòu),導(dǎo)致鋰離子只能從端面進(jìn)入,導(dǎo)致離子傳輸路徑長;

另一方面石墨電極電位低,高倍率快充下石墨電極極化大,電位容易降到0V以下而析鋰。

解決方法主要有兩類:

石墨改性:表面包覆、混合無定型碳,無定型碳內(nèi)部為高度無序的碳層結(jié)構(gòu),可以實(shí)現(xiàn)Li+的快速嵌入。

硅負(fù)極:理論容量高(4200mAh/g,遠(yuǎn)大于碳材料的372mAh/g),適合快充的本征原因是嵌鋰電位高——析鋰風(fēng)險(xiǎn)小——可以容忍更大的充電電流。

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電機(jī)

軸承防腐蝕、絕緣要求增加。軸電壓的產(chǎn)生:

電機(jī)控制器供電為變頻電源,含有高次諧波分量,逆變器、定子繞組、機(jī)殼形成回路,產(chǎn)生感應(yīng)電壓,稱為共模電壓,在此回路上產(chǎn)生高頻電流。由于電磁感應(yīng)原理,電機(jī)軸兩端形成感應(yīng)電壓,成為軸電壓,一般來說無法避免。

轉(zhuǎn)子、電機(jī)軸、軸承形成閉合回路,軸承滾珠與滾道內(nèi)表面為點(diǎn)接觸,若軸電壓過高,容易擊穿油膜后形成回路,軸電流出現(xiàn)導(dǎo)致軸承腐蝕;

800V的逆變器應(yīng)用SiC,導(dǎo)致電壓變化頻率高,軸電流增大,軸承防腐蝕要求增加;

同時(shí),由于電壓/開關(guān)頻率增加,800V電機(jī)內(nèi)部的絕緣/EMC防護(hù)等級要求提升。

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高壓直流繼電器:高性能要求驅(qū)動(dòng)附加值,

單車價(jià)值量提升

需求具有高確定性,800V下產(chǎn)品性能要求提高,附加值提升:

高壓直流繼電器作為自動(dòng)控制開關(guān)元件,起到高壓電路控制和安全保護(hù)作用,新能源車對高壓直流繼電器具有剛性需求;

800V平臺(tái)電壓電流更高、電弧更嚴(yán)重,對高壓直流繼電器耐壓等級、載流能力、滅弧、使用壽命等性能要求提高,產(chǎn)品需要在觸點(diǎn)材料、滅弧技術(shù)等多方面改進(jìn),附加值提高。

預(yù)計(jì)單車價(jià)值量將提高40%,乘用車配置數(shù)量以4-5個(gè)為主,充電樁多為2個(gè):

目前A級車高壓繼電器單車價(jià)值量為800元左右,預(yù)計(jì)800V電壓平臺(tái)單車價(jià)值量將提升40%。數(shù)量配置取決于車型類別和電路設(shè)計(jì),乘用車多采用主回路2只、快充回路1-2只、預(yù)充回路1只方案;

商用車功率更高,配置約4-8只;直流充電樁常規(guī)配2只。

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熔斷器:激勵(lì)熔斷器滲透率提高,

單車價(jià)值量提升

具備需求剛性,電路保護(hù)要求提高驅(qū)動(dòng)激勵(lì)熔斷器、智能熔斷器等產(chǎn)品創(chuàng)新,價(jià)值提升:

熔斷器是電路過電流保護(hù)器件,800V要求熔斷器在絕緣、耐壓等級等方面進(jìn)行改進(jìn)調(diào)整;

新型激勵(lì)熔斷器通過接收控制信號(hào)激發(fā)保護(hù)動(dòng)作,當(dāng)前已逐步應(yīng)用于新能源汽車,平均售價(jià)是傳統(tǒng)電力熔斷器3.6x;

智能熔斷器自動(dòng)檢測回路信號(hào)觸發(fā)保護(hù)動(dòng)作,尚處于開發(fā)應(yīng)用前期。

預(yù)計(jì)單車價(jià)值量將提升約20%,激勵(lì)熔斷器滲透率提高:當(dāng)前熔斷器單車價(jià)值量約200-250元,800V平臺(tái)下保守方案采用熱熔絲和激勵(lì)熔絲,激進(jìn)方案只采用激勵(lì)熔絲,隨著激勵(lì)熔斷器市場滲透率的不斷提升,預(yù)計(jì)單車價(jià)值量將達(dá)到250-300元。

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高壓連接器:電流減小降規(guī)格,

迎國產(chǎn)替代機(jī)遇

性能升級,優(yōu)勢廠商優(yōu)勢明顯:作為新能源車高壓電流回路的橋梁,升壓對連接器的可靠性、體積和電氣性能的要求增加,其在機(jī)械性能、電氣性能、環(huán)境性能三方面均將持續(xù)提升。

作為中高端產(chǎn)品,電動(dòng)汽車高壓連接器有較高的技術(shù)與工藝壁壘。傳統(tǒng)燃油車的低壓連接器被海外供應(yīng)商壟斷。電動(dòng)車快速增長打開高壓連接器新增量,技術(shù)變化要求快速響應(yīng),整車平臺(tái)高壓化將進(jìn)一步提高行業(yè)壁壘,國產(chǎn)供應(yīng)商迎來國產(chǎn)替代機(jī)遇。

數(shù)量增加,單車價(jià)值量有望提升:目前單輛電動(dòng)車配置15-20個(gè)高壓連接器,單價(jià)在100-250元之間,雙電機(jī)或大功率驅(qū)動(dòng)電機(jī)車型需求量更多。從400V增至800V后,高壓連接器將重新選型,增加大功率快充接口及400V到800V的轉(zhuǎn)化接口,帶動(dòng)高壓連接器單車價(jià)值量上升。

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OBC/DCDC:主動(dòng)元件升級,

短期內(nèi)受益升壓增量

高電壓對功率器件提出更高要求,將驅(qū)動(dòng)OBC/DCDC成本短期內(nèi)攀升:

為滿足800v高電壓平臺(tái)在體積、輕量、耐壓、耐高溫等方面帶來的更為嚴(yán)苛的要求,OBC/DCDC等功率器件集成化趨勢明顯;

同時(shí),預(yù)計(jì)SiC碳化硅將借助耐高壓、耐高溫、開關(guān)損耗低等優(yōu)勢在功率器件領(lǐng)域進(jìn)行廣泛應(yīng)用,驅(qū)動(dòng)單車OBC/DCDC價(jià)值量提高約10%-20%。

800v高壓平臺(tái)有望為OBC/DCDC帶來新增量:

高壓平臺(tái)使車載充電機(jī)升級需求增加,為高壓OBC提供增量;

同時(shí),為能夠適配使用原有400v直流快充樁,搭載800v電壓平臺(tái)新車須配有額外DCDC轉(zhuǎn)換器進(jìn)行升壓,進(jìn)一步增加對DCDC的需求。

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軟磁合金粉芯:升壓模塊

提升用量需求

電感元件主要材料是由金屬磁粉芯:

800V體系升級,中短期為了適配現(xiàn)存的400V充電樁,需加裝DCDC升壓模塊,獨(dú)立升壓模塊需要額外的電感。單車用量從原來0.5kg提升至約2.7kg;

插混車由于電池容量較小,電壓無法通過串聯(lián)做到400V,對升壓DCDC需求更大。一般而言,純電動(dòng)/插混單車用量0.5/4kg。

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充電樁:高壓快充比低壓大電流快充

節(jié)省約5%成本

相同功率下,由于電流減小,電壓由400v到800v仍不需要液冷,未來500A則需要增配液冷系統(tǒng)。

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400V-800V車端成本變動(dòng)平滑,

利好整車廠推廣

車端成本來看,高壓架構(gòu)比低壓架構(gòu)成本+2%。

電池端由于負(fù)極快充性能提升、BMS復(fù)雜程度提升等因素,成本+5%;

從整車部件來看,高壓架構(gòu)在熱管理、線纜輔料等部件成本變化小,優(yōu)于低壓高電流架構(gòu)。

審核編輯 :李倩

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    發(fā)表于 06-25 09:13

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

    國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-18 14:52 ?327次閱讀
    國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>全面取代進(jìn)口IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>的必然性

    派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與規(guī)碳化硅模塊產(chǎn)品

    3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會(huì)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕,本次會(huì)上,派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與規(guī)
    的頭像 發(fā)表于 03-29 09:10 ?1325次閱讀

    比亞迪推出全新規(guī)碳化硅功率芯片

    在3月17日的超級e平臺(tái)技術(shù)發(fā)布會(huì)上,比亞迪發(fā)布了劃時(shí)代超級e平臺(tái),推出閃充電池、3萬轉(zhuǎn)電機(jī)和全新規(guī)碳化硅功率芯片,核心三電全維升級
    的頭像 發(fā)表于 03-24 17:10 ?764次閱讀

    博世碳化硅功率模塊生產(chǎn)基地落成

    近日,博世汽車電子中國區(qū)(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅(SiC)功率模塊生產(chǎn)基地,并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領(lǐng)域邁出了重要
    的頭像 發(fā)表于 03-06 18:09 ?698次閱讀

    高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 02-09 20:17 ?544次閱讀
    高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模塊</b>替代富士IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>損耗對比

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?867次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測試方法,對于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這新話題:“什么是柵極
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅SiC在電動(dòng)中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)在電動(dòng)中的應(yīng)用主要集中在電力電子系統(tǒng)方面,以下是對其在電動(dòng)中具體應(yīng)用的分析: 、電動(dòng)充電設(shè)備 在電動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 11-25 17:32 ?1561次閱讀

    碳化硅襯底,進(jìn)化到12英寸!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地,進(jìn)入試產(chǎn)階段。 ? 讓
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?4134次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底,進(jìn)化到12英寸!

    基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101規(guī)認(rèn)證

    近日,基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101規(guī)可靠性認(rèn)證,產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:20 ?1116次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET通過AEC-Q101<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級</b>認(rèn)證

    Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊

    全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了項(xiàng)重大技術(shù)創(chuàng)新,成功推出了款專為可再生能源、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計(jì)的碳化硅模塊。這款
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:13 ?885次閱讀

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢。本文將深入探討碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?1162次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用