AHS量子霍爾傳感器，也叫量子阱霍爾傳感器，利用分子束外延技術(shù) 制造薄膜晶片，以及量子阱霍爾效應(yīng)（QWHE）設(shè)計(jì)，這使得量子霍爾傳 感器具備其他霍爾傳感器所不具有的優(yōu)良特征。

AHS是英國(guó)曼切斯特大學(xué)創(chuàng)始人Mohamed Missous，英國(guó)皇家工程院院士、曼徹斯特大學(xué)教授孵化，教授專注于研究利用砷化鎵中的量子阱霍爾效應(yīng)磁傳感技術(shù)。中科院一開始研究的是方勢(shì)阱技術(shù)，后發(fā)現(xiàn)量子阱二維平面捕捉電子的能力更強(qiáng)。

AHS量子霍爾傳感器優(yōu)勢(shì)：

1、量子阱技術(shù)

2、以砷化鎵為基底，利用分子束外延技術(shù)制造薄膜復(fù)合技術(shù)和器件設(shè)計(jì)和加工等方面所積 累的大量專業(yè)知識(shí)，一體化的產(chǎn)品加工，讓傳感器的性能更優(yōu)?！岸S電子氣 (2-DEG)”薄膜，這種結(jié)構(gòu)由 III-V 族化合物制成，具有比coms硅、GaAs、InAs 或 InSb 霍爾效應(yīng)器件和磁電阻器更出色的特性。可以通過(guò)“帶隙工作”控制原子的比例。

兩個(gè)優(yōu)勢(shì)的結(jié)合，能讓量子霍爾傳感器相比SI基霍爾傳感器工作溫度更廣，約為200℃；比InAs 或 InSb霍爾效應(yīng)器件檢測(cè)磁場(chǎng)為范圍更寬，約為20nT-2T；工作頻率更寬，適合波動(dòng)范圍的磁場(chǎng)，DC-6MHZ。

“二維電子氣 (2-DEG)”技術(shù)目前在國(guó)內(nèi)僅能做為學(xué)術(shù)上研究，其制作工藝復(fù)雜，理論知識(shí)深厚。

審核編輯：湯梓紅