99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

2021碳化硅十大熱門事件盤點(diǎn):擴(kuò)產(chǎn)、收購(gòu)、合資、上市

海明觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:李誠(chéng) ? 2022-01-24 09:31 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))碳化硅與氮化鎵同屬于第三代半導(dǎo)體材料,均已被列入十四五發(fā)展規(guī)劃綱要。碳化硅與氮化鎵相比,碳化硅的耐壓等級(jí)更高,可使用的平臺(tái)也更廣。尤其是在新能源汽車領(lǐng)域,碳化硅高效、耐高壓的特性被越來(lái)越多的車企認(rèn)可,市場(chǎng)發(fā)展前景逐漸明朗。
在此歲末年初之際,讓我們共同回顧2021國(guó)內(nèi)外碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)生的重大事件。
天岳先進(jìn)躋身碳化硅襯底第一梯隊(duì),首發(fā)過會(huì)并成功上市
天岳先進(jìn)是國(guó)內(nèi)碳化硅襯底領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),據(jù)Yole統(tǒng)計(jì),天岳先進(jìn)在2019、2020年連續(xù)躋身半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)的世界前三,在襯底材料與產(chǎn)能方面均實(shí)現(xiàn)了自主可控。
2021年5月,獲得哈勃投資的天岳先進(jìn)正式向上交所提交了科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)。9月,天岳先進(jìn)科創(chuàng)板IPO成功過會(huì)。今年1月21日,正式登陸科創(chuàng)板成功上市。
圖源:天岳先進(jìn)
從2018至2020的營(yíng)收與凈利潤(rùn)來(lái)看,天岳先進(jìn)的營(yíng)收成逐年遞增的發(fā)展態(tài)勢(shì),甚至在2019年實(shí)現(xiàn)了翻倍式的增長(zhǎng),但凈利潤(rùn)卻出現(xiàn)了連年虧損,凈利潤(rùn)由2018年的-0.43億元擴(kuò)大到2020年的-6.42億元。
盡管如此,得益于碳化硅產(chǎn)業(yè)的大熱,以及碳化硅功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和快速充電站中高效、高功率密度的表現(xiàn)。在天岳先進(jìn)披露的認(rèn)購(gòu)名單中出現(xiàn)了廣汽資本的廣祺柒號(hào)、上汽集團(tuán)、小鵬汽車等眾多車企的身影,甚至吸引來(lái)了新加坡最大的國(guó)際投資機(jī)構(gòu)(新加坡政府投資公司)的垂愛。上市首日股價(jià)上漲了3.27%,市值367.40億元。
博世碳化硅芯片啟動(dòng)量產(chǎn)計(jì)劃
經(jīng)過多年的研發(fā),以及長(zhǎng)時(shí)間的產(chǎn)品驗(yàn)證,博世已經(jīng)具備了碳化硅芯片大規(guī)模量產(chǎn)的能力,2021年12月,博世通過官網(wǎng)宣布正式開啟碳化硅芯片的大規(guī)模量產(chǎn)計(jì)劃。其實(shí),博世在2021年初就已經(jīng)生產(chǎn)并為特定用戶提供用于驗(yàn)證的碳化硅芯片,也因此獲得了大量碳化硅芯片訂單。據(jù)博世官方表示,目前已經(jīng)開始著手于研發(fā)能夠滿足更高功率密度應(yīng)用的第二代碳化硅功率器件,預(yù)計(jì)將會(huì)在2022年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
圖源:博世
碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)愈發(fā)明顯,市場(chǎng)需求不斷攀升,博世于2021年開始增建1000平方米的200mm晶圓生產(chǎn)無(wú)塵車間,意圖通過大尺寸晶圓,提升同一生產(chǎn)周期內(nèi)芯片的生產(chǎn)數(shù)量,增加產(chǎn)能。該生產(chǎn)車間已于去年9月實(shí)現(xiàn)投產(chǎn),200mm晶圓產(chǎn)能提升10%。預(yù)計(jì)到2023年底,博世還會(huì)新建一個(gè)3000平方米的無(wú)塵生產(chǎn)車間,持續(xù)擴(kuò)大博世碳化硅功率器件的產(chǎn)能。
ST成功制出200mm碳化硅晶圓
近年來(lái)芯片短缺的問題限制了眾多產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,提高產(chǎn)能已成為了上游芯片廠商的主要目標(biāo)。2021年7月,ST宣布位于瑞典北雪平的200mm晶圓工廠,成功下線首批200mm的碳化硅晶圓片。200mm的晶圓與此前的150mm晶圓在可用面積上提升近一倍,這也就意味著,ST的碳化硅芯片產(chǎn)能也得到了進(jìn)一步擴(kuò)大。
在產(chǎn)品良率方面,憑借著ST在碳化硅領(lǐng)域多年的經(jīng)驗(yàn)積累,很好地規(guī)避了碳化硅硬度高且脆而帶來(lái)高制備損耗的問題,ST的首批200mm碳化硅晶圓良率極高,芯片合格數(shù)量達(dá)到了150mm碳化硅晶圓的1.8 - 1.9 倍,隨著產(chǎn)能的擴(kuò)大,ST的市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)效益也會(huì)得到進(jìn)一步的提升。
基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)線落成
汽車電氣化的快速普及,功率器件成為最大的受益者,作為高效、高壓代表碳化的硅功率器件市場(chǎng)需求異常旺盛。2021年12月,國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)基本半導(dǎo)體傳來(lái)好消息,基本半導(dǎo)體位于無(wú)錫市的車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊產(chǎn)線正式開通,也迎來(lái)了首批碳化硅功率模塊的下線。
圖源:基本半導(dǎo)體
據(jù)悉,這是國(guó)內(nèi)首條車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊專用生產(chǎn)線。為滿足車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件的生產(chǎn)要求和提升產(chǎn)品的品質(zhì)與性能,基本半導(dǎo)體為該產(chǎn)線導(dǎo)入了車規(guī)級(jí)碳化硅專用的封裝設(shè)備,實(shí)現(xiàn)了功率模塊在使用壽命、電流流通量、散熱性能的大幅度提升。同時(shí)該產(chǎn)線還是一條數(shù)字化、智能化的生產(chǎn)線,通過全自動(dòng)化的生產(chǎn)流程,進(jìn)一步提升了碳化硅功率模塊的生產(chǎn)效率與一致性。
該產(chǎn)線將于今年3月開始小批量的試生產(chǎn),年中實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能交付,首年碳化硅功率模塊計(jì)劃產(chǎn)能在25萬(wàn)只左右,預(yù)計(jì)將會(huì)在2025年之前完成年產(chǎn)能150萬(wàn)只的目標(biāo)?;景雽?dǎo)體的前瞻部署,有利于緩解車規(guī)級(jí)芯片緊缺的問題,助力“雙碳”目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。
韓國(guó)最大無(wú)晶圓廠收購(gòu)LG碳化硅業(yè)務(wù)
據(jù)韓媒報(bào)道,2021年12月韓國(guó)最大的無(wú)晶圓半導(dǎo)體制造商LX Semicon收購(gòu)了LG Innotek包括碳化硅晶圓、器件生產(chǎn)設(shè)備和芯片、晶圓制造方法及外延片的相關(guān)專利,并完成了資產(chǎn)轉(zhuǎn)讓合同的簽署。
自2019年開始,LG Innotek的碳化硅業(yè)務(wù)一直被作為國(guó)家級(jí)的產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目發(fā)展,因此LG Innotek在碳化硅生產(chǎn)、制備技術(shù)方面有一定的經(jīng)驗(yàn)積累。LX Semicon同屬于LG集團(tuán)的控股公司,LCD驅(qū)動(dòng)芯片為該公司的主要營(yíng)收來(lái)源,受韓國(guó)國(guó)內(nèi)LCD市場(chǎng)動(dòng)蕩影響,LX Semicon危機(jī)感十足。為擺脫這一僵局,LX Semicon試圖通過布局SiC半導(dǎo)體市場(chǎng)獲得新的營(yíng)收增長(zhǎng)。對(duì)收購(gòu)LG Innotek SiC資產(chǎn)后的商業(yè)計(jì)劃,LX Semicon相關(guān)負(fù)責(zé)人稱“是為了強(qiáng)化碳化硅半導(dǎo)體研發(fā)”
積塔完成80億融資,發(fā)力碳化硅
積塔半導(dǎo)體是一家專注于模擬電路與功率器件生產(chǎn)工藝研發(fā)與制造的企業(yè),生產(chǎn)的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了汽車電子工業(yè)控制、電源管理、智能終端等多領(lǐng)域的覆蓋。
11月30日,積塔半導(dǎo)體對(duì)外宣稱已完成了80億人民幣戰(zhàn)略融資,本輪融資吸引了上汽集團(tuán)旗下尚頎資本、匯川技術(shù)、創(chuàng)維投資、小米長(zhǎng)江基金等資本的支持。據(jù)積塔半導(dǎo)體表示,該輪融資主要用于車規(guī)級(jí)電源管理芯片、IGBT和碳化硅功率器件等方向的研發(fā),進(jìn)一步提升積塔半導(dǎo)體在汽車電子領(lǐng)域的產(chǎn)能,進(jìn)一步鞏固積塔半導(dǎo)體在車規(guī)級(jí)芯片領(lǐng)域的制造優(yōu)勢(shì),緩解目前汽車芯片產(chǎn)能的困境。
同時(shí),積塔半導(dǎo)體在臨港芯片區(qū)的6英寸碳化硅產(chǎn)線已于2020年順利投產(chǎn),月產(chǎn)能可達(dá)5000片。
三安半導(dǎo)體:國(guó)內(nèi)首條碳化硅垂直整合生產(chǎn)線投產(chǎn)
2021年6月,湖南三安半導(dǎo)體的6英寸碳化硅產(chǎn)線點(diǎn)亮投產(chǎn),該產(chǎn)線是國(guó)內(nèi)首條碳化硅垂直整合生產(chǎn)線,提供從襯底、外延、晶圓代工、裸芯粒直至分立器件的靈活多元合作方式,該產(chǎn)線的建成能夠讓三安半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域,充分保證產(chǎn)品的優(yōu)質(zhì)性和交付的時(shí)效性。加速了上游Fabless芯片設(shè)計(jì)企業(yè)的產(chǎn)品驗(yàn)證與迭代,縮短了下游終端產(chǎn)品的上市周期。有利于推動(dòng)我國(guó)碳化硅的產(chǎn)業(yè)規(guī)?;l(fā)展。
三安半導(dǎo)體的6英寸碳化硅產(chǎn)線項(xiàng)目總投資160億元,規(guī)劃用地達(dá)1000畝,碳化硅晶圓月產(chǎn)能在30000片左右。
CREE更名Wolfspeed專注碳化硅
2021年10月,CREE正式更名Wolfspeed,并于10月4日在納斯達(dá)克交易所將原本的“CREE”股票代號(hào)更換為“WOLF”。
圖源:Wolfspeed
10月8日,Wolfspeed官方發(fā)布的推文中提到,Wolfspeed經(jīng)歷了4年的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,最終剝離了原先占比近2/3的業(yè)務(wù),并將碳化硅作為公司戰(zhàn)略發(fā)展的核心。Wolfspeed這一名字在該公司的碳化硅產(chǎn)品中已經(jīng)延續(xù)使用六年,此次更名也意味著Wolfspeed將會(huì)更加專注碳化硅技術(shù)的研發(fā)。在正式更名當(dāng)天,Wolfspeed還與通用汽車達(dá)成了碳化硅戰(zhàn)略供應(yīng)協(xié)議,為通用汽車提供更節(jié)能的碳化硅產(chǎn)品,延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程,推動(dòng)新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
Wolfspeed在碳化硅領(lǐng)域有著垂直一體化的產(chǎn)業(yè)布局,其中碳化硅襯底占據(jù)市場(chǎng)總額的60%。據(jù)Wolfspeed披露,該公司位于MohawkValley的全球最大8英寸碳化硅晶圓廠有望在今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),屆時(shí)產(chǎn)能的釋放有望能夠緩解SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張的問題,加速碳化硅在新能源汽車領(lǐng)域的滲透。
正海集團(tuán)與羅姆就成立合資公司達(dá)成協(xié)議,大力發(fā)展碳化硅
2021年10月,正海集團(tuán)與功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)正式簽署合資協(xié)議,根據(jù)協(xié)議規(guī)定,正海集團(tuán)和羅姆半導(dǎo)體將會(huì)合資成立上海海姆??瓢雽?dǎo)體有限公司,在股權(quán)出資方面正海集團(tuán)出資80%、羅姆出資20%,正海集團(tuán)由100%控股權(quán)。
電子發(fā)燒友網(wǎng)攝
據(jù)介紹,海姆??浦鳡I(yíng)業(yè)務(wù)為新能源汽車碳化硅功率模塊業(yè)務(wù),包括產(chǎn)品的開發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售。羅姆與正海集團(tuán)的合作,主要是為了將羅姆在碳化硅領(lǐng)域芯片與模塊的先進(jìn)工藝與正海集團(tuán)在逆變器領(lǐng)域額開發(fā)技術(shù)進(jìn)行整合,致力于開發(fā)出更高效車用碳化硅模塊,力爭(zhēng)在碳化硅功率模塊領(lǐng)域成為中國(guó)第一。
據(jù)電子發(fā)燒友網(wǎng)獲悉,海姆??菩麻_發(fā)的碳化硅功率模塊已獲得新能源車企應(yīng)用于高端車型的訂單。在產(chǎn)能方面,海姆??频奶蓟韫β誓K前期將會(huì)在羅姆的日本工廠進(jìn)行小批量的生產(chǎn),到2023年交由上海閔行工廠開始大批量生產(chǎn)。
安森美斥4.15億美元收購(gòu)GTAT
2021年8月 ,安森美與GTAT達(dá)成最終協(xié)議,安森美將以4.15億美元收購(gòu)GTAT,延伸安森美的碳化硅版圖,該收購(gòu)項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2022年上半年完成。
GTAT是碳化硅的主要供應(yīng)商,在制造碳化硅和藍(lán)寶石材料,以及碳化硅晶體生長(zhǎng)方面有用著豐富的經(jīng)驗(yàn)積累。此次收購(gòu)對(duì)于安森美而言是一次戰(zhàn)略性垂直整合,安森美在收購(gòu)GTAT之前,大部分用于芯片生產(chǎn)的碳化硅晶圓均由外部采購(gòu)而來(lái),完成收購(gòu)后,安森美不會(huì)再因供應(yīng)鏈產(chǎn)能緊張的問題而影響產(chǎn)品的交付。充足的資源平臺(tái),進(jìn)一步推動(dòng)了安森美在碳化硅領(lǐng)域的差異化和領(lǐng)先地位。
同時(shí),安森美還計(jì)劃加大GATA在碳化硅領(lǐng)域的研發(fā)力度,進(jìn)而推進(jìn)150mm和200mm SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù),擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能,盡可能地降低安森美發(fā)展碳化硅受到的產(chǎn)能限制。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3066

    瀏覽量

    50490
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    全球最大碳化硅工廠頭銜易主?又有新8英寸碳化硅產(chǎn)線投產(chǎn)!

    ,同時(shí)也涵蓋部分氮化鎵外延生產(chǎn)。 ? 進(jìn)入2024年下半年,在過去幾年時(shí)間里全球各地投資的8英寸碳化硅產(chǎn)線也開始逐步落地投入使用,在英飛凌之外,近期三安半導(dǎo)體、安森美等也有8英寸碳化硅產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 08-12 09:10 ?4594次閱讀

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?113次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢(shì)

    在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作
    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?662次閱讀

    安意法合資工廠通線啟示:國(guó)產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強(qiáng)之路

    近日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線,預(yù)計(jì)2025年四季度批量生產(chǎn),形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應(yīng),結(jié)合過去二十年
    的頭像 發(fā)表于 03-01 16:11 ?561次閱讀

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?871次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì): 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?1370次閱讀

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-13 14:36 ?394次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 BOW/WARP 的影響

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    安森美1.15億美元收購(gòu)Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)

    近日,安森美半導(dǎo)體公司宣布了一項(xiàng)重要的收購(gòu)計(jì)劃,以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)Qorvo的碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。 據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 12-11 10:00 ?581次閱讀

    碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 碳化硅在汽車工業(yè)中的應(yīng)用

    碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 1. 太陽(yáng)能光伏 碳化硅材料在太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域主要應(yīng)用于制造高性能的太陽(yáng)能電池。由于其高熱導(dǎo)率和良好的化學(xué)穩(wěn)定性,碳化硅可以作為太陽(yáng)能電池的基底材料,提高電池的效率和壽命
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:31 ?1167次閱讀

    碳化硅襯底,進(jìn)化到12英寸!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地,進(jìn)入試產(chǎn)階段。 ? 讓
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?4143次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底,進(jìn)化到12英寸!

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)。本文將探討碳化硅功率器件的原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及其
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?1274次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及其發(fā)展
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?1170次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用