領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，發(fā)布新的600 V SUPERFET?V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴(yán)苛的能效規(guī)定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負(fù)載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產(chǎn)品組——FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過優(yōu)化，可在各種不同的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供領(lǐng)先同類的性能。

600 V SUPERFET V系列提供出色的開關(guān)特性和較低的門極噪聲，從而降低電磁干擾(EMI)，這對服務(wù)器和電信系統(tǒng)是個顯著的好處。此外，強(qiáng)固的體二極管和較高的VGSS(DC±30 V)增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。

安森美先進(jìn)電源分部高級副總裁兼總經(jīng)理Asif Jakwani說：

“ 80 Plus Titanium認(rèn)證以應(yīng)對氣候變化為目標(biāo)，要求服務(wù)器和數(shù)據(jù)存儲硬件在10%負(fù)載條件下的電源能效水平達(dá)90%，在處理50%負(fù)載時的能效達(dá)96%。我們的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在滿足這些要求，提供強(qiáng)固的方案，確保持續(xù)的系統(tǒng)可靠性。 ”

FAST版本在硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(如高端PFC)中提供極高能效，并經(jīng)過優(yōu)化以提供更低的門極電荷(Qg)和EOSS損耗，實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。該版本的最初器件包括NTNL041N60S5H(41 mΩ RDS(on))和NTHL185N60S5H(185 mΩRDS(on))，都采用TO-247封裝。NTP185N60S5H則采用TO-220封裝，NTMT185N60S5H采用8.0mm x 8.0mm x 1.0mm的Power88封裝，保證達(dá)到濕度敏感等級MSL 1，并具有開爾文(Kelvin)源架構(gòu)以改善門極噪聲和開關(guān)損耗。

Easy Drive版本適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包含一個內(nèi)置門極電阻(Rg)及經(jīng)優(yōu)化的內(nèi)置電容。它們適用于許多應(yīng)用中的一般用途，包括PFC和LLC。在這些器件中，門極和源極之間的內(nèi)置齊納二極管的RDS(on)超過120 mΩ，對門極氧化物的應(yīng)力更小，ESD耐用性更高，從而提高封裝產(chǎn)量，降低不良率。目前供應(yīng)的兩款器件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的RDS(on)為99 mΩ和120 mΩ，均采用TO-247封裝。

快速恢復(fù)(FRFET?)版本適用于軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如移相全橋(PSFB)和LLC。它們的優(yōu)勢是快速體二極管，并提供降低的Qrr和Trr。強(qiáng)固的二極管耐用性確保更高的系統(tǒng)可靠性。內(nèi)置齊納二極管的NTP125N60S5FZ 的RDS(on)為125mΩ，采用TO-220封裝，而NTMT061N60S5F的RDS(on)為61 mΩ，采用Power88封裝。損耗最低的器件是NTHL019N60S5F，RDS(on)僅19 mΩ，采用TO-247封裝。

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原文標(biāo)題：新品發(fā)布 | 高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信

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審核編輯：湯梓紅