? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
發(fā)表于 06-14 09:42
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引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時,精準(zhǔn)測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了
發(fā)表于 05-29 09:38
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光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
發(fā)表于 04-29 13:59
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和光刻膠: ? 光掩膜:如同芯片的藍(lán)圖,上面印有每一層結(jié)構(gòu)的圖案。 ? ? ?光刻機(jī):像一把精確的畫筆,能夠引導(dǎo)光線在光刻膠上刻畫出圖案。 ? 光刻膠:一種特殊的感光材料,通過
發(fā)表于 01-28 16:36
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本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類 光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類,光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片
發(fā)表于 01-16 09:29
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光刻膠作為掩模進(jìn)行干法刻蝕或是濕法腐蝕后,一般都是需要及時的去除清洗,而一些高溫或者其他操作往往會導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
發(fā)表于 11-11 17:06
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發(fā)表于 11-01 11:08
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本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
發(fā)表于 10-31 15:59
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在微流控PDMS芯片加工的過程中,需要使用烘膠臺或者烤膠設(shè)備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進(jìn)行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進(jìn)行2-3次。本文簡要介紹SU-8
發(fā)表于 08-27 15:54
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存儲時間 正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠在存儲數(shù)月后會變暗,而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料,在 可見光譜的部分具有很強(qiáng)的吸收能力,對紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程
發(fā)表于 07-11 16:07
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根據(jù)光刻膠的應(yīng)用工藝,我們可以采用適當(dāng)?shù)姆椒▽σ扬@影的光刻膠結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理以提高其化學(xué)或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現(xiàn)整個光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián),稱為硬烘烤或者堅膜?;蛲ㄟ^低劑量紫外線輻照
發(fā)表于 07-10 13:46
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評價一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能,這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度(sensitivity)是衡量曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高,所
發(fā)表于 07-10 13:43
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后烘是指(post exposure bake-PEB)是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影,也就是說還未閉合,PEB也可以在高于光刻膠軟化溫度的情況下進(jìn)行。前面的文章中我們在
發(fā)表于 07-09 16:08
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圖形反轉(zhuǎn)膠是比較常見的一種紫外光刻膠,它既可以當(dāng)正膠使用又可以作為負(fù)膠使用。相比而言,負(fù)膠工藝更被人們所熟知。本文重點介紹其負(fù)
發(fā)表于 07-09 16:06
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我們在使用光刻膠的時候往往關(guān)注的重點是光刻膠的性能,但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題,其實這個問題應(yīng)該在我們購買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且,在
發(fā)表于 07-08 14:57
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