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砷化鎵的芯片可以做bumping嗎

上海季豐電子 ? 來源:上海季豐電子 ? 作者:上海季豐電子 ? 2021-12-31 17:28 ? 次閱讀
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Q1

各位同僚,請大家看看以下FCBGA封裝分層問題是否遇到過?有無相關(guān)的解決辦法?材質(zhì)為fr4,謝謝!具體情況如下圖片內(nèi)容所示:

A

如果熱應(yīng)力失效,也會(huì)有這樣的裂縫,確認(rèn)下封裝結(jié)構(gòu)有沒有可能發(fā)生熱應(yīng)力stress的問題,還有可能與bump的結(jié)構(gòu)有關(guān),有些位置不要有空的,做一些dummy bump,bump直徑約125um。

Q2

請教各位,裸芯片銷售的,芯片減薄的厚度怎么定??蛻魶]有要求,到底定200還是300。這個(gè)尺寸會(huì)影響什么?數(shù)字芯片減薄硅材質(zhì)襯底懸空。

A

影響封裝厚度,太薄了有裂的風(fēng)險(xiǎn),要做拋光,建議250um,封0.75 0.85的都沒問題。

Q3

各位大佬,有個(gè)問題請教,砷化鎵的芯片可以做bumping嗎?

A

可以的呢。

Q4

各位大佬,請教個(gè)問題:有沒有誰知道封裝廠做FCBGA封裝在FC用的flux,是水洗還是免水洗的,如何檢查/衡量清洗的有效性?

A

根據(jù)我的了解,英特爾,長電都是必須要洗的。至于有效性,不清楚。也許是檢查對比一下洗和沒洗之間FLUX 的含量。

Q5

請教一下,PRECON之后,有沒有規(guī)定多少時(shí)間內(nèi)要完成測試的?

A

關(guān)于這個(gè)FT的window time,實(shí)際上JEDEC上沒有明確規(guī)定Precon或MSL后的測試時(shí)間。但是關(guān)于各個(gè)單項(xiàng)測試有規(guī)定,比如TH或HAST之類和潮氣相關(guān)的測試48hr(MBB包封后增加到144hr),其他的96hr(MBB包封后增加到288hr)。建議考慮96hr(MBB包封288hr)。再有每個(gè)單項(xiàng)測試中還有一個(gè)要求,就是intermittent測試后回測試腔體是有要求的。

Q6

MBB是啥意思?

A

Moisture Block Box,防潮盒,常用的是鋁箔袋

Q7

請教季豐,如下圖的一塊小板,360度X線大概需要多長時(shí)間?

A

具體要看希望的分辨率是多少,如果要求精度很高,建議分區(qū)域掃描,一般3d x ray最少掃一次都是2hr起,如果只掃描圖中紅色區(qū)域應(yīng)該3hr內(nèi)可以搞定。

Q8

為什么PCT只用于框架類產(chǎn)品?

A

PCT與HAST condition差異是moisture .PCT對substrate類BGA產(chǎn)品很容易有pad corrosion。特別 read time長時(shí),而L/F產(chǎn)品相對比較stronger的多,以上是先前三星工作的經(jīng)驗(yàn)得出~希望大家一起探討,關(guān)于PCT和HAST,主要是laminate package上的substrate容易吸潮,這樣會(huì)帶來一些不必要的可靠性fail。還有就是normal的PCT機(jī)臺,它的設(shè)計(jì)原理是加熱棒直接在水中加熱產(chǎn)生蒸汽,測試樣品直接在這個(gè)環(huán)境中測試,這個(gè)也會(huì)對IC帶來一些問題。目前供應(yīng)商推薦是用HAST 設(shè)備做PCT。

Q9

BTE是什么測試?

A

bench test engineer

job function主要是做芯片系統(tǒng)級的PVT(process voltage temperature)的特性分析,俗稱CHAR. CHAR的某地測試,比如電源,ADDA,RF,HSIO…,最終是需要滿足客戶系統(tǒng)性要求,在系統(tǒng)上測試比ATE上更能對標(biāo)客戶需求,當(dāng)然ATE上也能,中間需要corr。有些CHAR如shmoo,則是ATE上有優(yōu)勢。說白了,Bench test 通過焊在對應(yīng)的板子上,加了適當(dāng)?shù)妮敵龅韧鈬娐罚淤N近應(yīng)用或者客戶使用環(huán)境

Q10

請問bench test和EVB test有什么區(qū)別呢?

A

evb test包含 bench test 和system test

Q11

問一下我現(xiàn)有有一個(gè)問題:

我先描述下我們的問題,簡單的說就是我們這芯片焊在板上工作的時(shí)候,在大電流工作的時(shí)候,性能會(huì)稍微變差,但是如果我用熱風(fēng)焊槍去吹一會(huì)兒的話,芯片的性能會(huì)變好,后面就一直好了,熱風(fēng)槍去掉后也是好的。芯片發(fā)生了時(shí)變,且是往希望的性能好的方面變化的,應(yīng)該不是芯片老化的問題。

怎么才能把芯片吹好,我們也是摸索了一段時(shí)間,首先所有的芯片幾乎都是一開始不好的,功能都是好的,就是性能,吹了之后一般都有性能變化,但是有的是變化到設(shè)計(jì)預(yù)期,有的只是有提高,沒有完全達(dá)到設(shè)計(jì)預(yù)期。

所以想聽聽你們的意見,這種現(xiàn)象做什么比較合適,我們主要目的是debug,找到這個(gè)問題的原因。

A

1,IC產(chǎn)品受水氣的影響。

2,也有可能芯片內(nèi)部有Delamination。

3,建議取下來同樣條件用socket復(fù)測試下,需要先排除SMT工藝不良的情況。

Q12

請教大家,圖示M2的溢出損傷(黃色橢圓框)可能是什么原因造成的。

A

這個(gè)是我20年前開發(fā)0.18時(shí)候遇到過,就是介質(zhì)層crack,Al的沿著裂縫生長的whisker或者h(yuǎn)illock,whatever。原因是電流大了,導(dǎo)致介質(zhì)層膨脹,現(xiàn)象就是某個(gè)anode protrusion, cathod voiding。這個(gè)長須的地方應(yīng)該是靠近正電極,看到熔融的地方是靠近負(fù)電極。問題是一般電流大了,局部融化應(yīng)該是上面介質(zhì)crack。下面crack就不太好理解,不知道這個(gè)介質(zhì)是什么材料,而且是下面crack。下年crack一般就不是由于電流crowding引起的熔融。要了解一下你目前的場景和測試/應(yīng)用條件。

Q13

各位大佬,有人知道哪家可以做砷化鎵芯片的bumping制程?

A

GaAs fab可以做。

Q14

請教諸位個(gè)問題啊,AEC-q100的htol中,有這么一句話:For devices containing NVM, endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.這個(gè)意思是說在 htol測試之前,需要先進(jìn)行高溫的NVCE嗎?

A

我認(rèn)為指的是,先要驗(yàn)證這個(gè)模塊是滿足HTOL要求的,然后才能驗(yàn)證整個(gè)系統(tǒng)的HTOL。要不然從模塊上都不滿足要求,系統(tǒng)上直接驗(yàn)證是不合理的

Q15

咨詢個(gè)問題,Rdson偏大,一般是什么問題導(dǎo)致的?

A

燒傷,如果是偏大一點(diǎn),也和封裝有關(guān),比如bump球接觸,健合位置。

原文標(biāo)題:季豐電子IC運(yùn)營工程技術(shù)知乎 – 21W52

文章出處:【微信公眾號:上海季豐電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

審核編輯:彭菁
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