為什么LED正電極需要二氧化硅阻擋層?回答:LED芯片正極如果沒有二氧化硅阻擋層,芯片會(huì)出現(xiàn)電流
發(fā)表于 07-14 17:37
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在集成電路生產(chǎn)過程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見但復(fù)雜的問題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因,因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每個(gè)工藝參數(shù),尤其是對(duì)邊緣區(qū)域的處理,以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。
發(fā)表于 07-09 09:43
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VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂層上的使用。對(duì)于系統(tǒng)的參數(shù),我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀(VASE)概述。I.
發(fā)表于 06-05 08:46
01呼氣末二氧化碳呼氣末二氧化碳(ETCO2)是指呼氣終末期呼出的混合肺泡氣體中含有的二氧化碳?jí)海≒ETCO2)或二氧化碳濃度(CETCO2),已經(jīng)被認(rèn)為是除體溫、脈搏、呼吸、血壓、動(dòng)
發(fā)表于 05-19 13:20
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室內(nèi)CO2濃度高通常是人類存在的結(jié)果。我們的身體吸入氧氣并排放二氧化碳,如果環(huán)境通風(fēng)不暢,二氧化碳會(huì)在室內(nèi)積聚。而且,現(xiàn)代建筑密集的隔熱層間接導(dǎo)致二氧化碳的增加。例如,減少消耗和加熱或
發(fā)表于 05-19 13:19
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二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應(yīng)用場景,解析SiO?在柵極氧化、側(cè)墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用
發(fā)表于 04-10 14:36
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Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅(SiO?,k=3.9–4.2)的絕緣材料,主要用于芯片制造中的層間電介質(zhì)(ILD)。其核心目標(biāo)是通過降低金屬互連線間的寄生電容,解決RC延遲(電阻-電容延遲)和信號(hào)串?dāng)_問題,從而提升
發(fā)表于 03-27 10:12
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VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂層上的使用。對(duì)于系統(tǒng)的參數(shù),我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀(VASE)概述。I.
發(fā)表于 02-05 09:35
轉(zhuǎn)換器。[2]
錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。
選擇Silicon-on-insulator(SOI)技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺(tái),因?yàn)樗峁└哒凵渎时?,包?b class='flag-5'>二氧化硅層作為光學(xué)緩沖器
發(fā)表于 01-08 08:51
隨著科技的進(jìn)步,人們對(duì)于生活以及身體健康關(guān)注越來越高。CO2(二氧化碳)是地球大氣的重要組成部分,與人類生活息息相關(guān)。關(guān)注CO2(二氧化碳)氣體,監(jiān)測CO2(二氧化碳)氣體至關(guān)重要。CO2(二
發(fā)表于 01-07 17:01
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轉(zhuǎn)換器。[2]
錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。
選擇Silicon-on-insulator(SOI)技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺(tái),因?yàn)樗峁└哒凵渎时?,包?b class='flag-5'>二氧化硅層作為光學(xué)緩沖器
發(fā)表于 12-11 11:27
存在,且金屬元素含量高、種類多,具有較高的研究價(jià)值。除了需要對(duì)有色金屬礦石中的多種元素進(jìn)行研究外,作為組成礦石主要成分的二氧化硅含量的高低不僅決定著礦石的共生組合,也是影響礦石價(jià)格的主要參考指標(biāo)之一,因此,研究有色金屬礦中二氧化硅的測定方法對(duì)礦產(chǎn)勘查有著重要影響及指導(dǎo)意義
發(fā)表于 10-30 13:12
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顯示,第一行顯示測得的濃度值,第二行顯示報(bào)警閾值;(2)可通過按鍵設(shè)置二氧化碳報(bào)警閾值;(3)測得的二氧化碳濃度在正常范圍時(shí),綠燈閃爍,超過報(bào)警閾值時(shí),紅燈閃爍,蜂鳴器響,開始聲光報(bào)警
發(fā)表于 10-22 14:13
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二氧化硅薄膜實(shí)現(xiàn)增透的原因主要涉及以下幾個(gè)方面: 1. 折射率匹配 折射率特性 :二氧化硅(SiO?)的折射率相對(duì)較低,這使得它能夠作為一層有效的增透膜(或稱為減反射膜)。當(dāng)光線從一種介質(zhì)進(jìn)入另一種
發(fā)表于 09-27 10:22
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1. 引言 鍍膜技術(shù)是一種在基材表面形成薄膜的技術(shù),廣泛應(yīng)用于光學(xué)、電子、機(jī)械、建筑等領(lǐng)域。二氧化硅作為一種常見的無機(jī)材料,因其良好的光學(xué)性能、化學(xué)穩(wěn)定性和機(jī)械強(qiáng)度,在鍍膜技術(shù)中得到了廣泛應(yīng)用
發(fā)表于 09-27 10:10
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評(píng)論