基于新思科技PrimeLib統(tǒng)一庫表征和驗證解決方案,雙方共同客戶可將汽車、AI、高性能計算和5G等應(yīng)用的芯片設(shè)計時間縮短5倍。
新思科技(Synopsys)近日宣布,三星晶圓廠(以下簡稱為“三星”)已在5nm、4nm和3nm工藝技術(shù)中認證了新思科技的PrimeLib統(tǒng)一庫表征和驗證解決方案,可滿足高性能計算、5G、汽車、超連接、以及人工智能芯片等下一代設(shè)計的高級計算需求。此次認證還包括對PrimeSim Continuum的驗證,PrimeSim Continuum為新思科技Custom Design Platform和嵌入PrimeLib解決方案中的集成仿真器技術(shù)提供了基礎(chǔ),能夠為開發(fā)者提供無縫仿真體驗,協(xié)助其實現(xiàn)黃金質(zhì)量簽核。
工藝節(jié)點每演進一步就會帶來計算需求的三倍增長,庫表征的復(fù)雜性隨之顯著增加。PrimeLib解決方案的關(guān)鍵特性在于:在超低電壓角之下,先進機器學(xué)習(xí)(ML)算法和自適應(yīng)流生成準(zhǔn)確統(tǒng)計變化模型的速度比前幾代快了近5倍,同時還可降低整體計算成本。這項下一代解決方案還包括針對多PVT表征的創(chuàng)新性SmartScaling技術(shù),可基于新思科技PrimeTime擴展引擎,以最小表征角即時實現(xiàn)庫生成。
我們致力于為客戶提供最具創(chuàng)新性的技術(shù)解決方案,以應(yīng)對5nm及以下工藝設(shè)計和復(fù)雜建模日益艱巨的挑戰(zhàn)。新思科技PrimeLib庫表征和驗證解決方案讓我們能夠以5倍的速度為先進節(jié)點提供高質(zhì)量簽核庫,協(xié)助客戶加快整體的芯片設(shè)計進程和流片生產(chǎn),從而實現(xiàn)理想的功耗、性能和面積(PPA)目標(biāo)。
——Sangyun Kim
為滿足市場對芯片性能優(yōu)化、先進工藝節(jié)點高質(zhì)量庫和系統(tǒng)設(shè)計上云等的需求,5nm至3nm工藝的精度要求需要先進模型的高效庫表征周期,如電遷移(EM)、老化和自由變異格式(LVF)等。針對下一代應(yīng)用的其他整體變異會導(dǎo)致工藝、電壓和溫度(PVT)的變化,從而顯著影響芯片設(shè)計。這些變化最終將導(dǎo)致計算壓力增加,即在工藝設(shè)計套件(PDK)變更的高峰需求期間需要大量支持,造成設(shè)計交付時間的延遲。
PrimeLib庫表征可支持瞬時LVF、老化和EM等先進模型,通過為云端或計算組的超過萬個并行作業(yè)提供達5倍的快速周轉(zhuǎn)時間(TAT),從而為現(xiàn)有解決方案的表征和高度可擴展性提供專屬的仿真器許可證支持。通過利用嵌入式PrimeSim SPICE和HSPICE引擎并整合驗證功能,PrimeLib解決方案還可以創(chuàng)建PrimeTime黃金質(zhì)量簽核庫和PrimeShield設(shè)計穩(wěn)定性分析。
PrimeLib主要產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
ML模型,具有高達5倍的LVF性能提升,可準(zhǔn)確計算超低PVT角效果??商峁┰粕现С?,采用卓越擴展技術(shù),能切實處理各種工作負載,同時將TAT從幾周降至幾天; 面向多PVT角的SmartScaling技術(shù)可將表征運行時間降低3至10倍,并實現(xiàn)瞬時庫生成; 嵌入式PrimeSim SPICE引擎和簽核驗證功能相結(jié)合,可創(chuàng)建PrimeTime黃金質(zhì)量簽核庫、相關(guān)性、約束和功耗驗證; 基于ML的增強靈敏度數(shù)據(jù)庫可縮短升級版PDK的上市時間。
成功的IC設(shè)計需要高質(zhì)量庫,而新思科技的PrimeLib可提供一整套功能,讓客戶能夠根據(jù)不斷變化的行業(yè)需求進行擴展。我們將與三星保持長期合作,致力于交付一流的工藝技術(shù)。此次認證是我們持續(xù)創(chuàng)新的結(jié)果,將加快兩家公司共同客戶的高性能設(shè)計進程。
責(zé)任編輯:haq
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
459文章
52452瀏覽量
439954 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15887瀏覽量
182315 -
新思科技
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
865瀏覽量
51460
原文標(biāo)題:新思科技PrimeLib獲三星5nm至3nm工藝認證,為高性能芯片設(shè)計提供5倍加速度
文章出處:【微信號:Synopsys_CN,微信公眾號:新思科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
芯盾時代助力中國礦產(chǎn)資源集團構(gòu)建統(tǒng)一認證系統(tǒng)
三星與英偉達高層會晤,商討HBM3E供應(yīng)
三星Galaxy S25 Edge通過3C認證
下一代FOPLP基板,三星續(xù)用塑料,臺積青睞玻璃
三星芯片代工新掌門:先進與成熟制程并重
英偉達加速認證三星AI內(nèi)存芯片
是德科技助力三星電子驗證FiRa 2.0安全測距測試用例
三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達認證,加速AI GPU市場布局
TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過英偉達驗證,8Hi版本正式出貨
三星LPDDR4X車載內(nèi)存通過高通汽車模組驗證
新思科技PCIe 7.0驗證IP(VIP)的特性

評論