根據(jù)Yole的預(yù)測(cè)，到2024年，碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至20億美元，2018-2024年期間的復(fù)合年增長(zhǎng)率將高達(dá)29%。其中，汽車(chē)市場(chǎng)無(wú)疑是最重要的驅(qū)動(dòng)因素，預(yù)計(jì)2024年，碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中的汽車(chē)市場(chǎng)份額將達(dá)到50%以上。

博世碳化硅產(chǎn)品于2019正式推向市場(chǎng)。產(chǎn)品包括SiC芯片裸片，主要應(yīng)用于電驅(qū)動(dòng)的功率模塊；還包括SiC MOSFET分立器件，面向車(chē)載充電器OBC與DC-DC轉(zhuǎn)換模塊，分立器件有TO247-3/4、TO263-7（D2-PAK-7）兩種封裝方式。

博世SiC MOSFET 在OBC的應(yīng)用中可支持100KHz以上的開(kāi)關(guān)頻率，功率輸出范圍3.3kW至22kW。

目前，電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器電路一般采用AC/DC PFC和DC/DC 變換器相結(jié)合的結(jié)構(gòu)。交流電輸入后經(jīng)過(guò)二極管整流，通過(guò)功率因數(shù)校正（Power Factor Correction，PFC）電路得到直流母線電壓，最后通過(guò)DC/DC變換到滿足電池充電要求的輸出電壓與電流。本文將結(jié)合PFC電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，介紹在設(shè)計(jì)中使用博世SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì)。

PFC的設(shè)計(jì)首先需要滿足很高的功率因數(shù)（PF），如果整個(gè)OBC的效率要達(dá)到96%要求，那么PFC的效率至少要在98%以上；其次需要最大限度地減少電流失真對(duì)電網(wǎng)的影響。

在傳統(tǒng)的BOOST 有橋PFC中，交流輸入電壓經(jīng)過(guò)全波整流，然后經(jīng)由電感L、開(kāi)關(guān)管S和快速二極管D組成的BOOST電路，從而輸出恒定的直流電壓。通過(guò)對(duì)開(kāi)關(guān)管S的SPWM調(diào)制，可以將電感L上的電流控制為正弦波，并跟蹤輸入電壓相位，從而實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)的校正。不足的是，傳統(tǒng)BOOST 有橋PFC電路，工作在正負(fù)半周的主電流都經(jīng)過(guò)2個(gè)整流二極管，使得電路的通態(tài)損耗較高，約占輸入功率的1.5-2%。

為了提高效率，無(wú)橋PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的應(yīng)用越來(lái)越多：通過(guò)移除全波整流電路，來(lái)減少相關(guān)器件的損耗。雙BOOST無(wú)橋PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖4所示，采用了兩套獨(dú)立的BOOST電路，主電流在正負(fù)半周只流過(guò)一個(gè)整流二極管D3或D4，減少了傳導(dǎo)損耗，提高了效率。但也由此帶來(lái)了器件數(shù)量多、電感利用率低的問(wèn)題。

現(xiàn)階段比較流行的是采用圖騰柱BOOST無(wú)橋PFC的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（見(jiàn)圖5）。通過(guò)表1的比較可以發(fā)現(xiàn)，圖騰柱PFC移除了快恢復(fù)二極管，是BOOST 無(wú)橋PFC拓?fù)渲凶詈?jiǎn)單的，也是效率最高的一種結(jié)構(gòu)。在此結(jié)構(gòu)中，由于兩個(gè)開(kāi)關(guān)管的體二極管代替了傳統(tǒng)的PFC中的快恢復(fù)二極管，作為續(xù)流二極管。而一般的Si MOSFET以及超級(jí)結(jié)型MOSFET反向恢復(fù)特性都不太理想，其較高的反向恢復(fù)電荷Qrr會(huì)導(dǎo)致過(guò)大的恢復(fù)損耗。所以，不適合在電流連續(xù)模式（CCM）下使用，只適合工作在斷續(xù)模式（DCM）或者臨界模式（CRM），即中小功率的場(chǎng)合，限制了圖騰柱BOOST無(wú)橋PFC的應(yīng)用范圍。

目前，寬禁帶半導(dǎo)體（尤其是SiC MOSFET）的發(fā)展解決了體二極管反向恢復(fù)問(wèn)題。如圖6所示，SiC MOSFET 與Si 以及超級(jí)結(jié)MOSFET相比具有更小的Qrr參數(shù)，即反向恢復(fù)電流與恢復(fù)損耗小。博世推出的1200V和750V兩個(gè)電壓等級(jí)的SiC MOSFET系列產(chǎn)品（見(jiàn)表2），具備了良好的反向恢復(fù)特性。支持圖騰柱BOOST無(wú)橋PFC工作在連續(xù)模式下，滿足高效率的同時(shí)也為大功率OBC的設(shè)計(jì)提供了一種器件選擇。

表2 Bosch SiC MOSFET 產(chǎn)品系列

博世擁有超過(guò)50年的汽車(chē)半導(dǎo)體經(jīng)驗(yàn)以及覆蓋全價(jià)值鏈的研發(fā)和供應(yīng)商體系，同時(shí)擁有汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)級(jí)的硅晶圓工廠和對(duì)于汽車(chē)客戶的快速響應(yīng)能力。博世涉足車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅領(lǐng)域，將持續(xù)推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，不斷提升產(chǎn)品性能。未來(lái)，博世的碳化硅產(chǎn)品無(wú)疑會(huì)引領(lǐng)電動(dòng)車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)的控制系統(tǒng)，即功率電子器件的發(fā)展。

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