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3DIC提供理想平臺為后摩爾時代追求最佳PPA

新思科技 ? 來源:新思科技 ? 作者:新思科技 ? 2021-09-03 10:17 ? 次閱讀
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3DIC架構(gòu)并非新事物,但因其在性能、成本方面的優(yōu)勢及其將異構(gòu)技術(shù)和節(jié)點(diǎn)整合到單一封裝中的能力,這種架構(gòu)越來越受歡迎。隨著開發(fā)者希望突破傳統(tǒng)二維平面IC架構(gòu)的復(fù)雜度和密度限制,3D集成提供了引入更多功能和增強(qiáng)性能的機(jī)會,同時可滿足尺寸限制與成本要求。

3D結(jié)構(gòu)有許多優(yōu)點(diǎn),例如性能通常由訪問內(nèi)存所需的時間和功耗決定。通過3D集成,存儲器和邏輯電路可以集成到單個3D堆棧中。這種方法通過微間距互連大大增加了內(nèi)存總線的寬度,同時通過縮短互連線路減少了傳播延遲。這種連接可以使3D設(shè)計的內(nèi)存訪問帶寬達(dá)到幾十Tbps,而領(lǐng)先的2D設(shè)計帶寬僅能達(dá)到數(shù)百Gbps。

從成本角度講,配有不同部件的大型系統(tǒng)在芯片實(shí)現(xiàn)方面有多種優(yōu)點(diǎn)。異構(gòu)集成并不是將整個芯片放置在最復(fù)雜或最昂貴的技術(shù)節(jié)點(diǎn)上,而是針對系統(tǒng)的不同部分使用“恰當(dāng)”節(jié)點(diǎn)。例如,先進(jìn)節(jié)點(diǎn)僅用于系統(tǒng)的關(guān)鍵部分,而成本較低的節(jié)點(diǎn)則用于不太關(guān)鍵的部分。

增加垂直維度改變了集成電路設(shè)計策略

由于設(shè)計必須從3D角度考慮,而不是僅考慮典型2D平面設(shè)計的x、y,因此,必須增加z維度進(jìn)行全面管理——從架構(gòu)設(shè)計到邏輯驗(yàn)證和路由連接——包括凸塊和通硅孔(TSV)、熱量和電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)的新權(quán)衡(例如基于中介層與3D堆棧、邏輯內(nèi)存與內(nèi)存邏輯,以及混合鍵合與凸塊),優(yōu)化PPA仍然是一個關(guān)鍵指導(dǎo)因素。然而,由于3DIC的出現(xiàn)實(shí)現(xiàn)了立方毫米優(yōu)化,因?yàn)椴粌H僅考慮兩個方向,而且在所有的權(quán)衡決策中還必須考慮垂直維度。

更為復(fù)雜的是,3DIC的集成度更高,傳統(tǒng)電路板和手工封裝技術(shù)已經(jīng)不合時宜,例如高速互連的凸塊布局和定制布局,這導(dǎo)致了額外的瓶頸出現(xiàn)。最重要的是,以前不同學(xué)科之間的相互依賴性現(xiàn)在則需要在聯(lián)合設(shè)計方法(人員和工具)中予以考慮,這涉及到設(shè)計IP、芯片封裝、架構(gòu)、實(shí)現(xiàn)和系統(tǒng)分析等所有階段。

采取芯片優(yōu)先的方法

盡管采用與印刷電路板(PCB)設(shè)計類似的方式考慮3D架構(gòu)似乎是一種顯而易見的選擇,但3DIC最好采用芯片優(yōu)先的方法——即優(yōu)化(整個芯片的)設(shè)計IP并共同設(shè)計芯片系統(tǒng)和封裝方法。在3DIC方法中,新思科技正在將IC設(shè)計的關(guān)鍵概念和創(chuàng)新成果引入3DIC領(lǐng)域。這需要考察3DIC的各個方面,例如架構(gòu)設(shè)計、將高度自動化能力引入手動任務(wù)中、擴(kuò)展解決方案以支持高級封裝的高集成度,以及將簽核分析集成到設(shè)計流程中。

3DIC將封裝(過去采用類似PCB的工具進(jìn)行管理)與芯片集成在一起。PCB工具沒有連接在一起,無法適應(yīng)規(guī)模和工藝的復(fù)雜性。典型的PCB中可能有10,000個接點(diǎn)。但在復(fù)雜的3DIC中,接點(diǎn)數(shù)量很快會達(dá)到數(shù)十億,規(guī)模遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了過去以PCB為中心的方法所能管理的范圍。對于以IP優(yōu)化方式堆疊的裸晶,現(xiàn)有的PCB工具無法提供幫助。此外,PCB工具不能利用RTL或系統(tǒng)設(shè)計決策?,F(xiàn)實(shí)情況是,單一的設(shè)計工具不可能處理3DIC的所有方面(IP、芯片、中介層、封裝),這對完整堆棧的組裝和可視化提出了迫切的需求。

新思科技3DIC Compiler作為一個為3DIC系統(tǒng)集成和優(yōu)化而構(gòu)建的平臺可以做到這些。該解決方案專注于多芯片系統(tǒng),如硅片上芯片中介層(2.5D)、晶片上芯片、晶片上晶片、芯片上芯片和3D SoC。

PPA三要素

通常,在想到大型的復(fù)雜SoC時,首先考慮優(yōu)化的是面積。芯片開發(fā)者希望在芯片中集成盡可能多的功能,并提供盡可能高的性能。但隨后,所需的功耗和熱量始終要符合要求,特別是在移動、可穿戴AR和物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域(在數(shù)據(jù)中心的高性能計算等領(lǐng)域也越來越重要,因?yàn)榭傮w能耗也是優(yōu)先考慮的事項(xiàng))。實(shí)現(xiàn)3D結(jié)構(gòu)使開發(fā)者能夠持續(xù)增加產(chǎn)品的功能,而不會超過占位面積和高度的限制,同時還降低芯片成本。

但是,單獨(dú)的工具只能解決設(shè)計3DIC時的部分復(fù)雜挑戰(zhàn)。這就形成了巨大的設(shè)計反饋回路,無法及時將這些反饋整合在一起,形成每立方毫米最佳PPA的最佳解決方案。在多裸晶環(huán)境中,必須對整個系統(tǒng)進(jìn)行分析和優(yōu)化。孤立地對單個裸晶進(jìn)行功耗和熱量分析是不夠的。更有效的解決方案是采用統(tǒng)一的平臺,將整個系統(tǒng)的信號、功耗和熱量分析整合到單個緊密耦合的解決方案中。

這正是3DIC Compiler的用武之地——通過一套完整的功耗和熱量分析能力實(shí)現(xiàn)早期分析。該解決方案通過全面的自動化功能減少了迭代次數(shù),同時提供功耗完整性、熱量和噪聲感知優(yōu)化。這有助于開發(fā)者更好地了解系統(tǒng)性能,并圍繞系統(tǒng)架構(gòu)、在何處插入TSV以及最高效的裸晶堆疊方法進(jìn)行探索。另外,它還有助于更有效地了解如何將各種設(shè)計要素組合在一起,甚至以某些方式將設(shè)計工程師與傳統(tǒng)的2D設(shè)計技術(shù)聯(lián)系起來。

3DIC是實(shí)現(xiàn)每立方毫米最佳PPA的理想平臺

通過將硅片垂直堆疊到單個封裝器件中,3DIC不斷證明其在性能、功耗和面積方面能夠持續(xù)支持摩爾定律。

盡管使用集成設(shè)計平臺設(shè)計3D架構(gòu)時會出現(xiàn)新的細(xì)微差異,但以最低功耗實(shí)現(xiàn)最高性能的可能性使3D架構(gòu)成為極具吸引力的選擇。隨著芯片開發(fā)者努力實(shí)現(xiàn)每立方毫米的最佳PPA,3DIC必將得到更廣泛的應(yīng)用。

編輯:jq

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原文標(biāo)題:3DIC為后摩爾時代追求最佳PPA提供理想平臺

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