Q1

現(xiàn)在bga值球客戶退回來(lái)的，大家都是自己做的，還是交給封裝廠或客戶做的？

A

少量的樣品，可以手動(dòng)單個(gè)球補(bǔ)的。較多的樣品，建議用植球工具加鋼網(wǎng)的方式植球。或者委案到季豐做。

植球一般是BGA RMA回來(lái)，除了登記拍照外，F(xiàn)A步驟的第二步。不然I/V，ATE，都沒(méi)法復(fù)測(cè)。如果要solder到system bench上，reball更加需要。（不然打磨平也許ATE也可以用）。

關(guān)于植球，有兩個(gè)建議：一、植球或去除原來(lái)的solder ball之前一定要bake，建議bake 8小時(shí)125℃。bake，防止pop-corn效應(yīng)，造成分層。很多本來(lái)沒(méi)有分層（delamination）的，由于熱操作造成二次損傷，樣品原本的失效模式就容易誤判；二、一定要用stencil，刮錫膏加熱風(fēng)槍，詳細(xì)方法可參考手機(jī)維修時(shí)的植球，抖音上很多。

Q2

先進(jìn)封裝產(chǎn)品可能由ESD造成的測(cè)試Fail？當(dāng)時(shí)送樣不規(guī)范，未做靜電防護(hù)。HTST168有1顆VOUT 失效，Precon有3顆失效，1顆IQ ，ISD失效，2顆 VOUT失效。應(yīng)該做怎樣的分析流程？我們這邊做了X RAY和SAT，表面觀察沒(méi)發(fā)現(xiàn)啥異常。

A

首先失效的樣品，要先確定失效樣品的顆數(shù)和封裝類型等，然后測(cè)下全pin腳的IV找到失效的管腳，可以再去倒推看下失效pin腳的x-ray 重點(diǎn)看下，也可以直接繼續(xù)分析die定位問(wèn)題。TE測(cè)試結(jié)果看一下，明顯short，也可以快速的直接開(kāi)蓋看下是否有燒傷。若是送樣不規(guī)范，造成樣品fail，建議重新做可靠性測(cè)試。

Q3

現(xiàn)場(chǎng)回來(lái)的電路板，上電后PA沒(méi)有功率輸出，用溫槍烘了一下又好了，可能是潮氣的原因也可能是焊接原因，如果是潮氣的原因怎么查能分析出芯片內(nèi)部有水？

A

可以先用SAT看看是不是分層，或者用x ray 看看有沒(méi)有虛焊。但是，SAT是不能驗(yàn)證潮氣，因?yàn)槌暡ㄊ悄艽┻^(guò)水的，但超聲波不能穿過(guò)空氣，只能看分層，不能看有沒(méi)有水。

檢查濕氣的方法：可以找個(gè)洗凈，烘干的透明玻璃杯子，一定要有密封的玻璃蓋子。把芯片放進(jìn)去，高溫下看看玻璃壁上有沒(méi)有水汽?；蛘哂密姽ど蠙z查水汽的檢漏儀，看看有沒(méi)有水汽。或者你的電路板在120度環(huán)境下烘烤，如果烘烤前是壞的，烘烤后是好的，說(shuō)明里面有水。因?yàn)?20度，錫不會(huì)融化，錫要260度才可能融化。

如果是水汽引起的，是否想出辦法從測(cè)試廠，攔截出這部分芯片，從封裝廠或者晶圓廠找到原因。畢竟這種芯片多了，引起客訴挺嚴(yán)重。

Q4

熱風(fēng)槍的溫度是400度，烘了幾秒鐘后好了。如果是水汽的話，400度芯片會(huì)不會(huì)爆掉？X-ray +紅墨水是破壞性的么？

A

一般不會(huì)的，芯片本身分層嚴(yán)重的，有可能會(huì)加劇分層，個(gè)人感覺(jué)是SMT的焊接溫度不夠虛焊導(dǎo)致的。如果擔(dān)心芯片有問(wèn)題，可以用SAT、X-ray看看芯片有沒(méi)有分層。

X-ray不是破壞性的，紅墨水是破壞性的。

Q5

解釋一下這個(gè)測(cè)試的參數(shù)都是什么含義嗎？

A

condition看起來(lái)是電壓溫度條件，LVHT=low voltage high temperature。sample列應(yīng)該是說(shuō)的芯片對(duì)應(yīng)corner。

Q6

CP或FT是否有專門針對(duì)芯片接口的功能測(cè)試pattern呢？比如驗(yàn)證芯片里的一個(gè)I2C接口或SGMII接口等。

A

對(duì)于ATE測(cè)試接口，這與芯片相關(guān)。I2C這種數(shù)字總線，可以通過(guò)pattern都寄存器來(lái)判斷。sgmii這種差分總線一般是通過(guò)prbs來(lái)判斷。也可以通過(guò)接口配置芯片，控制內(nèi)部寄存器，讀取寄存器，來(lái)驗(yàn)證接口。同時(shí)還可以測(cè)試芯片在不同配置下的各種功能和性能，就有覆蓋率了。

Q7

這種樣品怎么開(kāi)封？一直用laser看到wire bonding ，然后再用酸？用什么酸好？

A

laser 太淺了，需要繼續(xù)腐蝕。本身塑封體很厚，所以需要盡可能的靠近die表面的，至少需要source的那根打線漏出來(lái)，再配合酸腐就可以了。像這種封裝的芯片die 是一般是低于2焊點(diǎn)的。

可以用x-ray 看下，Al不清楚的情況下側(cè)面去拍下，具體打線位置有個(gè)了解，用發(fā)煙硝酸來(lái)腐蝕。laser打到Al線脖頸處才停，再去滴酸。或者找季豐開(kāi)封，即省事又有保證。

Q8

有誰(shuí)知道在裸芯片上激光打標(biāo)用什么設(shè)備？有型號(hào)推薦嗎？

A

Si上要用綠色激光打標(biāo)機(jī)。設(shè)備：大族、德龍激光。

Q9

FCLAG產(chǎn)品SAT發(fā)現(xiàn)有異常，切片后發(fā)現(xiàn)有異物，成分分析主要為C、O、N（Al可能是制樣時(shí)帶入），大家?guī)兔Ψ治鱿庐愇锟赡苁鞘裁?，怎么產(chǎn)生的？

A

含N很有可能是CPD管道劃到的塑膠，或者晶背的Tape residual。UV的藍(lán)膜好像是含N的。

Q10

QFN封裝做完預(yù)處理后epad上錫發(fā)生移動(dòng)，有部分聚集現(xiàn)象，表面高低不平，這是怎么會(huì)事情？會(huì)不會(huì)影響后面的環(huán)境實(shí)驗(yàn)和ATE？那高高低低的ATE測(cè)試會(huì)否影響？

A

若是QFN背面少量的錫因?yàn)榛亓鞲邷厝诨?，不影響后續(xù)的實(shí)驗(yàn)，融錫是正常的。但是芯片的表面高低不平，會(huì)導(dǎo)致pad和socket的pogopin出現(xiàn)接觸問(wèn)題，進(jìn)而影響后續(xù)的實(shí)驗(yàn)。

Q11

芯片pad之間的間距有沒(méi)有要求？

A

對(duì)邊間距10um以上。

Q12

汽車級(jí)芯片一般FT要幾個(gè)溫度？-40 機(jī)臺(tái)可以加么？CP作了數(shù)字掃描鏈檢測(cè)，F(xiàn)T還是需要再做一遍么？CP和FT的測(cè)試項(xiàng)有哪些異同？

A

汽車級(jí)芯片一般FT要3個(gè)溫度，handler一般可以到-55℃。

CP作了數(shù)字掃描鏈檢測(cè)，F(xiàn)T可以不做，如果出于成本考量，CP側(cè)重功能，F(xiàn)T側(cè)重連接性。還有一些是CP不方便測(cè)，看具體device，比如SiP的肯定要CP測(cè)試。具體的可以參考DFT覆蓋率和ATE覆蓋率，里面內(nèi)容都有定義的。

Q13

不做BTE了，直接就ATE有什么問(wèn)題？

A

不能用ATE證明ATE。

Q14

如果測(cè)試覆蓋率不夠?qū)е率酆髥?wèn)題，是否就意味著推倒重來(lái)。或者新開(kāi)發(fā)一款代替舊款？

A

那就想辦法加test coverage。這個(gè)得自上而下理念。如果發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品有某些缺陷前期各種測(cè)試沒(méi)有覆蓋到，后面處理起來(lái)就辛苦了。如果能及時(shí)找到規(guī)避方案還好。

在我看來(lái)，TEST coverage對(duì)于模擬就是把所有的block根據(jù)邏輯的依賴關(guān)系全拉出來(lái)測(cè)一遍，數(shù)字做掃描鏈，IO全測(cè)，加OS，還有就是加一些過(guò)壓來(lái)看前后對(duì)比滅掉一些early failure。

還有，test case也要做全，考慮到各種應(yīng)用環(huán)境。測(cè)試時(shí)長(zhǎng)要夠，抽樣量要夠。ATE和功能測(cè)試要匹配，測(cè)試指標(biāo)要驗(yàn)證充分。

Q15

汽車級(jí)要求多少個(gè)ppm失效？

A

目標(biāo)0，現(xiàn)在NXP 的標(biāo)準(zhǔn)是100PPB，100 PPB＝ 0.1PPM。

編輯：jq