大學(xué)模電里面沒有肖特基二極管的內(nèi)容,然而在實際工作中,肖特基二極管甚至比普通二極管用得還要多。
與此同時,肖特基二極管和PN結(jié)二極管的工作原理是完全不同的。
這節(jié)就來簡單說一說我對肖特基二極管工作原理的理解。
肖特基二極管的工作原理
肖特基二極管,本質(zhì)上就是金屬和半導(dǎo)體材料接觸的時候,在界面半導(dǎo)體處的能帶彎曲,形成了肖特基勢壘。
這個定義比較官方,估計看一眼就忘記了。
那么如何通俗理解呢?
其實就是金屬和半導(dǎo)體接觸的時候,電子會從半導(dǎo)體跑到金屬里面去。半導(dǎo)體失去電子,就會帶正電,形成空間電荷區(qū)(不可移動的正離子構(gòu)成),這個空間電荷區(qū),會阻止半導(dǎo)體的電子繼續(xù)向金屬移動,也就是說形成了肖特基勢壘。
當(dāng)在這個勢壘上面加上正向電壓(金屬電壓》半導(dǎo)體電壓),那么半導(dǎo)體和金屬之間的勢壘就降低了。如此一來呢,電子就會從半導(dǎo)體流向金屬,從而形成正向電流。
反之,當(dāng)加上反向電壓,勢壘被加大,電流基本為0,也就是說反偏截止了。
這,就是肖特基二極管的工作原理。
估計會有疑問:擴(kuò)散不是從濃度高向濃度低的方向擴(kuò)散?怎么會是金屬失去電子呢?金屬的自由電子那么多,搞錯了?
錯當(dāng)然是沒錯,這個時候是不能用擴(kuò)散來解釋的。
那怎么解釋呢?
這么理解吧,一個金屬塊,里面有很多自由電子,我們稱它們“自由”,說的是它們在這個金屬塊里面可以自由的移動,只有加一點點電壓,電子就能在金屬塊內(nèi)運(yùn)動。
但是如果想讓它們脫離金屬,飛到真空中去,這個應(yīng)該是挺難的吧。難歸難,就有一個參數(shù)衡量到底有多難,那就是功函數(shù)。
功函數(shù)也叫逸出功,就是把電子從固體內(nèi)部弄到外部去,所需的最少的能量。
事實表明,這個能量,金屬要比半導(dǎo)體(半導(dǎo)體稱為電子親合能)要大。所以,電子更難脫離金屬,而半導(dǎo)體相對容易一點。
因此,金屬與半導(dǎo)體搞到一起的時候,是金屬得到電子。
估計又有人說:話都讓你說了,PN結(jié)用濃度差擴(kuò)散理論。
現(xiàn)在肖特基結(jié),你又搞出個逸出功,得出另外一個結(jié)論,你長得帥,說什么都對?
雖然我長得不帥,但事實就是如此。
P型半導(dǎo)體,N型半導(dǎo)體,里面其實絕大多數(shù)都是硅原子,只是摻雜了少許雜質(zhì),它們的主要特性沒有變化,就是硅晶體。
因此,可以看作是同一種材料。
而金屬和半導(dǎo)體,它們完全是兩種材料,得失電子就要考慮逸出功。
其實,P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體,我們也是可以考慮逸出功的。只不過它們可以看作是一種材料,逸出功是一樣的,也就是沒有影響,所以一般也就不提了,主要考慮擴(kuò)散作用了。
問題又來了:你說金屬與半導(dǎo)體接觸會形成肖特基二極管,那我們實際用的PN結(jié)二極管,焊接的兩個管腳是金屬導(dǎo)體吧,而里面又是半導(dǎo)體。
所以肯定有金屬和半導(dǎo)體接觸吧,怎么沒聽說形成了肖特基二極管?
這里呢,需要說明一下,金屬與半導(dǎo)體相接觸,并不是一定會形成二極管。
在N型半導(dǎo)體摻雜很高的時候,形成的勢壘會非常的薄,這時的電子呢,可以通過隧道效應(yīng)直接就穿過這個薄的勢壘了。
這時候,這個勢壘就相當(dāng)于是一個低阻值的電阻了,沒有二極管的整流特性。這種接觸稱為歐姆接觸。
而摻雜低的時候,形成的勢壘相對較寬,電子就不能因為隧道效應(yīng)越過勢壘區(qū)了,這時候會形成二極管,這種金屬-半導(dǎo)體接觸就叫肖特基接觸。
肖特基二極管為什么速度快
都知道肖特基二極管比普通的二極管的速度更快,那為什么呢?
通過我們前面的文章知道,普通二極管的速度慢,其原因就是因為有反向恢復(fù)時間,而反向恢復(fù)時間是因為少數(shù)載流子的存儲作用導(dǎo)致的。
不清楚的話,可以點下面的鏈接再看看。
鏈接:二極管結(jié)電容和反向恢復(fù)時間都是怎么來的
而從肖特基二極管的工作原理可以看出,它只有一種載流子,那就是電子,也是多子。
所以就不存在反向恢復(fù)時間了,或者說反向恢復(fù)時間很短吧。
有點兒懵?
我在寫這個文章的時候,也是看了不少。其中百度百科讓我有點兒懵,我給大家貼出來看看。
貴金屬中只有極少量的自由電子???
逗我呢?難道是我錯了?
結(jié)尾
本文說了下我個人對肖特基二極管原理的理解,希望對同學(xué)們有所幫助。
若有錯漏的地方,請在留言區(qū)指出,一起進(jìn)步。
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原文標(biāo)題:0Ω電阻可以過多大電流?
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