據(jù)華爾街日報報道，知情人士指出，美光科技公司和西部數(shù)據(jù)公司都在有意收購Kioxia Holdings Corp，該交易可能使這家日本半導體公司的估值達到300億美元左右。

如果達成這筆交易，也就意味著日本存儲廠商將消失在存儲巨頭行列。

除此之外，此前anandtech的報道顯示，美光科技表示，公司已停止3D XPoint存儲技術的所有研發(fā)。而在美光退出后，英特爾就將成為了市場中為數(shù)不多的推進3D XPoint發(fā)展的企業(yè)之一。

由此可見，存儲市場正在醞釀著一場新的風暴。

新興存儲技術商業(yè)化進程帶來的變革

存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)的關鍵組件之一，由DRAM與NAND Flash所主導的主導的存儲市場規(guī)模已超過1600億美元。而隨著處理器性能的不斷提升，滿足市場對速度和容量的需求，打破“存儲墻”的限制，業(yè)界開始試圖突破馮諾依曼架構，由此，新興存儲技術走進了市場的視線范圍內。

MRAM、RRAM和PCRAM被行業(yè)視為是新興的三大存儲技術。這些技術的出現(xiàn)不僅引起了老牌存儲廠商的注意，也吸引了一些新玩家的加入，在他們的共同推進之下，近些年來新興存儲技術也開始逐漸步入商業(yè)化階段。在這個過程中，新興存儲技術又為存儲市場又迎來了新一輪的變革。

由于相較于DRAM，PCRAM能夠提供更低的功耗和成本，并且比固態(tài)硬盤和硬盤驅動器具有更高的性能。由此，也引起了一些廠商的注意。由英特爾和美光聯(lián)合進行推出的3D XPoint是一種非易失性存儲技術，該技術也被認為是一種基于相變存儲的技術。雖然，英特爾方面曾否認3D XPoint是一種相變存儲器，但PCRAM技術開始被行業(yè)所注意，著實有一部分原因是由于英特爾推出了基于3D Xpoint技術的產(chǎn)品。

3D XPoint作為新興的存儲技術之一，從他的商業(yè)化進程上看，英特爾率先在2017年完成了3D Xpoint的商業(yè)化，推出了傲騰，2019年11月，美光也終于拿出了自己的QuantX。但隨著美光停止對3D XPoint存儲技術的研發(fā)，這也就意味著這個新興存儲技術領域的玩家少了一位。而英特爾之所以還在執(zhí)著于3D XPoint存儲技術的開發(fā)，也有一部分原因是因為該技術十分契合數(shù)據(jù)中心的需求，而這也符合英特爾的發(fā)展戰(zhàn)略。而存儲作為英特爾六大技術之一，發(fā)展新興存儲技術或可以將英特爾架構實現(xiàn)差異化，從而形成獨特的優(yōu)勢。

另一值得注意的是MRAM的發(fā)展。行業(yè)認為，MRAM除了其具備更好的儲存效能外，更重要的是，現(xiàn)今的處理器（CPU）制程不停朝微縮化邁進，以因應高速運算需求。因此，MRAM獲得了很多廠商的關注，在這個過程當中也產(chǎn)生了一些變體，包括STT-MRAM、SOT-MRAM等 。在MRAM的發(fā)展過程當中，臺積電、三星和GlobalFoundries等幾家晶圓代工廠商的加入也被行業(yè)視為是內存市場的一次巨大轉變。

但根據(jù)去年IEDM會議中的一些文件顯示，雖然MRAM技術被業(yè)界所看好，但從商業(yè)化推進上看，其在發(fā)展的道路仍充滿挑戰(zhàn)。由此，或許我們可以將之理解成為，在MRAM推進商業(yè)化的過程當中，市場也會對相關企業(yè)進行一次大浪淘沙。

主流存儲技術面臨的挑戰(zhàn)

新興存儲技術為存儲市場注入了新力量，在新技術迭代的過程當中，老牌存儲巨頭不僅要面臨著新技術的開發(fā)，也要直面現(xiàn)有主流存儲技術繼續(xù)向前發(fā)展的難題。

在目前諸多主流存儲當中，尤屬3D NAND的發(fā)展受到了業(yè)界的關注。在存儲巨頭們的不斷推進之下，他們在2020年紛紛將3D NAND推進至128層以后，SK海力士及美光等企業(yè)又跑步進入到了176層。eetimes Japan的報道中指出，存儲廠商們將在2021年開始大規(guī)模生產(chǎn)2020年所推出的新產(chǎn)品。而更新的下一代的生產(chǎn)將在2021年底和2022年初開始，也就是說2022年，存儲巨頭們將開始批量生產(chǎn)160層到192層產(chǎn)品。而到了2023年，市場中將出現(xiàn)具有200層以上的超高層3D NAND閃存。

在3D NAND飛速發(fā)展的過程中，如何進一步提高3D NAND閃存密度成為了市場關注的焦點，存儲廠商們通常都采用堆疊外圍電路和存儲單元陣列相關技術來實現(xiàn)這一目標。其中，美光科技與英特爾的聯(lián)盟率先實現(xiàn)了商業(yè)化，接著，SK海力士和長江存儲也采用了類似的方法。

具體來看，英特爾和美光采用的方式被稱作是 CUA（CMOS Under Array），該技術也被稱為是浮柵方法特有的技術，這項技術可以將大多數(shù)NAND芯片的外圍電路置于存儲單元的垂直堆棧之下，而不是并排放置。據(jù)ISSCC 2021上的消息顯示，這種改變節(jié)省了大量的裸片空間，并允許將超過90％的裸片面積用于存儲單元陣列。除此之外，其他公司都采用了電荷陷阱（CT）的技術。SK 海力士率先實現(xiàn)了這種存儲技術的商業(yè)化，其所推出的技術被稱為“PUC（Periphery Under Cell）。eetimes Japan的報道稱，盡管名稱不同，但它與CUA基本上是相同的技術。

（用于堆疊3D NAND閃存和存儲單元陣列的外圍電路的技術概念圖。左邊是“ CUA”，中間是“ PUC”，右邊是“Xtacking”。來源：FMS 2020講義“技術趨勢：NAND和新興內存”的講）

而隨著去年十月英特爾以90億美元的價格將其NAND存儲器業(yè)務出售給SK海力士，浮柵NAND或將走向盡頭（此前美光也采用的是浮柵技術，但在向176層發(fā)展的過程中，美光將 NAND單元技術從傳統(tǒng)的浮動柵極過渡到電荷陷阱）。同時，由于 CUA技術與SK海力士的PUC技術還存在著一定的差異，所以浮柵NAND或將面臨著退出NAND的舞臺——該報道還稱，SK海力士宣布他們將繼續(xù)為未來的兩到三代開發(fā)浮柵技術，但是并不排除公司將為放棄浮柵技術做準備。

除此之外，還需要提到的是本土廠商長江存儲所推出的3D Xtacking架構，借以此本土存儲廠商也邁入了一個新的臺階，成為了存儲市場當中不可忽視的一股新力量。而其所推出的Xtacking也是一種有別于SK海力士技術之外的另一個發(fā)展路線——Xtacking架構，其將外圍電路置于存儲單元之上（這與SK海力士所推出4D閃存技術正相反），從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。曾有報道評價這兩種技術稱，長江存儲的Xtacking更強調存儲密度和高速的I/O，而SK海力士的4D閃存更強調集成度和成本。

eetimes Japan的報道還稱，三星電子和Kioxia-Western Digital聯(lián)盟有望在未來的產(chǎn)品中采用與CUA和PUC類似的技術。它將成為整個3D NAND閃存行業(yè)的通用技術。

除此之外，3D NAND也在面臨著從TLC向QLC轉變，這種方式也被視為是實現(xiàn)3D NAND成本降低的一種辦法。

據(jù)相關報道顯示，QLC技術于2018年開始商業(yè)化生產(chǎn)。從理論上講，存儲單元陣列的存儲密度可以是TLC的1.33倍，每存儲容量的制造成本將降低25％。eetimes Japan的報道中指出，TLC過渡到QLC預計將花費大約7到8年的時間，QLC方法最終將成為比特轉換的主流。在2021年，按位計算，QLC方法將占NAND閃存的15％左右。預計到2025年，QLC方法將在比特轉換中占據(jù)約50％的比例。除此之外，還有一種“ PLC（五級存儲單元）”技術，可將5位存儲在一個存儲單元中。

與此同時，隨著堆疊層數(shù)的增加，存儲原廠將不得不面對越來越復雜、昂貴的工藝。因此，存儲巨頭也要面臨著存儲產(chǎn)品在工藝上挑戰(zhàn)。在這個過程當中，EUV開始被存儲廠商們引入到他們新產(chǎn)品的產(chǎn)線中，這也成為了存儲巨頭們在開發(fā)新技術過程中的一個競爭點。

從存儲巨頭在EUV產(chǎn)線的布局上看，據(jù)相關報道顯示，隨著三星DRAM導入EUV工藝，SK海力士內部也已經(jīng)成立了研究小組專門針對EUV光刻相關技術展開研究，并計劃將其應用于最新的DRAM產(chǎn)線，有望在新建成的韓國利川M16工廠引入應用，或者跟M14一樣是NAND Flash和DRAM的混合生產(chǎn)工廠，最終投產(chǎn)還將根據(jù)市場情況和技術發(fā)展而定。

另外，根據(jù)SK海力士CEO李錫熙此前在IEEE國際可靠性物理研討會（IRPS）所公布的SK海力士產(chǎn)品的未來計劃來看，他們將采用EUV光刻生產(chǎn)的DRAM和600層堆疊的3D NAND。

產(chǎn)能的角力

除了在技術上較勁之外，各大存儲廠商在產(chǎn)能上也展開了競速。

從最新的公開消息顯示，日前韓國已向SK海力士的120萬億韓元（合1，060億美元）項目的新建項目授予最終批準，新項目選址在在首爾以南約50公里的龍仁市。而龍仁將作為DRAM和SK海力士的下一代存儲芯片的基地。另外，據(jù)SK hynix稱，位于首都以南137公里處的清州將成為NAND閃存芯片中心。針對SK海力士在韓國的布局，韓國方面則表示，最新的投資有望緩解全球市場的供應短缺。該部補充說：“由于芯片產(chǎn)業(yè)是該國出口的關鍵支柱，政府將不遺余力地解決整個項目中的任何潛在問題，以便于今年開始按計劃開始建設?！?/p>

三星方面，根據(jù)韓國媒體的報道顯示，三星電子正在加大對半導體的投資，并加快設備安裝速度。三星將在第1季度將平澤第2工廠的DRAM產(chǎn)能從最初計劃的3萬片/月提高到4萬片/月。因此，平澤2號工廠的追加投資將使三星2021年DRAM產(chǎn)能從6萬片擴大到7萬片。另外據(jù)此前的消息顯示，三星西安（中國）12英寸閃存芯片二期第二階段項目也將正式開工，公司將投資80億美元用于新建工廠，預計于2021年下半年竣工，這也將保障三星在存儲產(chǎn)能上的供給。

國內方面，據(jù)日經(jīng)亞洲評論援引未具名消息人士的話報道稱，，長江存儲計劃今年把產(chǎn)量提高一倍，計劃到下半年將每月的存儲芯片產(chǎn)量提高到10萬片晶圓，約占全球總產(chǎn)量的7%。這將有助于該公司縮小與全球先進制造商之間的差距。另外，該報道還稱，長江存儲還將準備試產(chǎn)192層NAND閃存芯片，最快將于2021年中試產(chǎn)，不過該試產(chǎn)計劃可能會推遲至2021下半年。

由這種市場情況所現(xiàn)，我們看到存儲廠商之間的競爭愈加激烈，有些技術將在更迭之下逐漸退出了存儲市場的舞臺，由此也引發(fā)了存儲市場發(fā)生一些變化。另一方面，為了搶奪更多的市場份額，各大存儲廠商也在產(chǎn)能上開始進行角逐。而在這些因素的共同作用下，存儲市場也開始了新一輪的變革。

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