市場對晶圓代工產能的需求從未像當下這么強烈，從成熟制程到先進制程，幾乎全線處于供不應求的狀態(tài)。在這種情況下，能夠通吃成熟和先進制程的晶圓代工廠就可以在市場上處于優(yōu)勢地位，誰覆蓋的面更廣，誰就能在競爭中占據(jù)上風。

從排名來看，也基本體現(xiàn)出了這樣的局面，特別是全球排名前五的晶圓代工廠，分別是臺積電、三星、聯(lián)電、格芯、中芯國際。

這幾家都有成熟制程和先進制程產線，但所占比例各不相同，其中，臺積電的先進制程最強，所占比重最高，三星緊隨其后，這是它們排名前二的重要原因；

聯(lián)電和格芯都以成熟制程為主，有一部分先進制程；中芯國際則以成熟制程為主，先進制程總體處于生長、起步階段。

以節(jié)點來看，成熟制程和先進制程很難有明確的劃分，本文則以28nm為分界線，小于28nm的節(jié)點為先進制程，反之則為成熟制程，另外，每家公司都有各自的特殊制程，相應的節(jié)點會分布在28nm左右兩側。下面就看一下全球晶圓代工“五虎”近一年內在成熟和先進制程方面的發(fā)展和表現(xiàn)。

臺積電

提到臺積電，先進制程已經成為了該公司的名片，特別是7nm、5nm和3nm。

7nm方面，臺積電已經在這個節(jié)點上獲得了超過200個NTO，且大多投入量產。臺積電已經生產了超過10億顆7nm芯片。在7nm時代，臺積電還率先推出了使用EUV技術的7nm+工藝。在7nm基礎上，該公司推出了6nm工藝，這個平臺的一個主要特點是與7nm工藝平臺兼容，這樣，客戶很容易把7nm的設計移植到6nm。

2020年，臺積電實現(xiàn)了5nm的量產，與7nm相比，新工藝的速度提升了15%，功耗降低了30%，而邏輯密度則是前者的1.8倍。在良率方面，新工藝的進展也非常順利。與此同時，該公司還推出了增強版的N5P工藝制程，晶體管的速度提升了5%，功耗降低了10%，這將給HPC帶來新的機會。

此外，臺積電還基于N5平臺推出了N4工藝，其速度、功耗和密度都有了改善。其最大的優(yōu)勢同樣是在于其與N5的兼容，使用5nm工藝設計的產品能夠輕易地轉移到4nm的平臺上。這也能保證臺積電客戶在每一代的投資，都能獲得更好的效益。N4試產將在2021年第四季度，而量產將會在2022年實現(xiàn)。

目前，臺積電正在為3nm制程工藝量產做著準備，在這代工藝上，臺積電會繼續(xù)采用FinFET。與5nm相比，臺積電3nm的速度將提升10%到15%，功耗將提升25%到30%，邏輯密度將是前者的1.7倍，SRAM密度也將能提升20%，就連模擬密度也提升了10%。根據(jù)臺積電規(guī)劃，3nm工藝將在2022年下半年進行量產。

臺積電不僅在先進制程方面處于霸主地位，在成熟和特殊制程領域同樣名列前茅。臺積電能提供MEMS、圖像傳感器、嵌入式NVM，RF、模擬、高電壓和BCD功率IC等制程工藝。臺積電在基本的邏輯技術基礎上，會加上先進的ULL&SRAM、RF&Analog及eNVM技術，實現(xiàn)低功耗以及模擬技術的提升。

為了實現(xiàn)低功耗，臺積電可提供0.18um eLL、90nm ULP、55ULP等制程，同時，臺積電還推出了最新的FinFET技術-N12e，可以打造高效高能的產品。

臺積電在Sensor，Stacking和ASIC（ISP）方面都在延續(xù)自己的技術。Sensor方面從N65BSI 一直到N65BSI，Stacking方面，則是從BSI到Advanced Pixel Level Stack，ASIC（ISP）則是從N90LP到N65LP。

三星

在先進制程方面，三星是唯一能沖擊臺積電的晶圓代工廠。繼7nm之后，三星正在5nm制程方面向臺積電發(fā)動著攻擊。

三星的5nm制程于2020年第三季度實現(xiàn)量產，稍晚于臺積電，但相差不多。三星的5LPE（5nm低功耗早期）制造技術是該公司7LPP（7nm低功耗性能）制造工藝的改進，該工藝已經使用了兩年。

與7LPP相比，5LPE增強了EUV光刻工具的使用，以提供10％的性能提升（在相同的功率和復雜度下）或20％的功耗降低（在相同的時鐘和復雜度下），并減少約25％的面積。5LPE 在原始工藝中增加了幾個新模塊，包括具有智能擴散中斷（Smart Diffusion Break：SDB）隔離結構的FinFET，以提供額外的性能。

三星表示，5LPE在很大程度上與7LPP兼容，這使5LPE設計可以復用IP，從而降低了成本并加快了上市時間。

三星首批5LPE芯片是在其位于韓國華城的第一條 EUV專用V1生產線上生產的。從2021年下半年開始，這項技術將在三星平澤新產線中使用。

3nm 制程方面，三星計劃于2022年下半年量產，這也是在對標臺積電。

在成熟制程方面，三星目前有四條產線，包括三條12英寸和一條8英寸的，12英寸晶圓代工線分布在韓國和美國，主要針對相對高端的制程工藝，包括65nm、45nm、32/28nm HKMG、14nm FinFET工藝。8英寸晶圓代工線于2016年開放，涵蓋180nm到65nm節(jié)點，主要用于eFlash、功率器件、CIS，以及高壓制程等。

聯(lián)電

自從調整經營策略后，聯(lián)電專注成熟和特殊制程技術，并從強化財務結構、具成本競爭力的產能擴充及調整產品組合著手。

2020年，聯(lián)電在先進制程平臺推出14nm 14FFC制程、22nm超低功耗22ULP及超低漏電流22ULL制程、28nm高效能運算28HPC+制程等均已進入量產，并采用28HPC+制程量產圖像信號處理器（ISP），且今年導入更先進產品。聯(lián)電還針對毫米波（mmWave）制程完成了55nm／40nm／28nm平臺，可應用于移動裝置、物聯(lián)網、5G通訊、車用電子及工業(yè)雷達。

在特殊制程方面，聯(lián)電28nm高壓制程在晶圓代工業(yè)界是第一個開發(fā)并量產OLED面板驅動IC的廠商，22nm高壓22eHV制程研發(fā)進度符合預期。RFSOI技術可滿足所有4G／5G手機對射頻開關的嚴格要求，目前90nm制程已進入量產，55nm制程即將導入量產，同時已著手開發(fā)40nm RFSOI技術平臺，以滿足后續(xù)5G和mmWave市場增長需求。

此外，聯(lián)電嵌入式閃存（eFlash）的40nm制程已導入量產，28nm研發(fā)符合預期，將可供應物聯(lián)網需求。40nm電阻式隨機存取內存（ReRAM）已經進入量產階段，22nm ReRAM技術平臺和22nm嵌入式磁阻隨機存取內存（eMRAM）制程平臺研發(fā)如期進行中。

格芯

格芯主攻成熟制程，其在先進制程方面涉獵已經很少，最先進的是12nm工藝。2020年，該公司宣布其最先進的FinFET制程工藝12LP＋大功告成。按照格芯的說法，12LP＋相較于12LP，性能增加了20%、規(guī)模面積減少了10%。

目前，12LP＋已經在AI訓練芯片領域通過了IP驗證，可減少生產成本、創(chuàng)造更大價值。另外，格芯也在豐富12LP＋的IP組合包，目標包括PCIe 3/4/5、USB 2/3主控芯片、HBM2/2e顯存、DDR/LPDDR4/4X芯片、GDDR6芯片等。

在成熟制程方面，格芯主要涉及28nm/22nm、40nm/45nm、55nm/65nm、90nm、130nm工藝。

中芯國際

受國際形勢影響，中芯國際先進制程研發(fā)進展受阻，預計14nm以下節(jié)點制程帶來的營收將有所下降。然而，由于市場對40nm及以上成熟制程的需求仍然維持在較高水平，2020年，中芯國際憑借在成熟制程方面的優(yōu)勢取得了17%的營收年增長率及5%的市場占有率。

中芯國際全年14nm/28nm營收占比為9.3%，40nm/45nm營收占比為16%，55nm/65nm營收占比為30%，合計占比超過總營收的一半以上。

具體來看，中芯國際有150多個工藝平臺，按地區(qū)劃分：在上海，0.35μm-0.11μm有65個工藝；在天津，0.35μm-0.15μm有35個工藝；在深圳，0.35μm-0.15μm有25個工藝；在北京，0.18μm-22nm有76個工藝。此外，該公司于2020年新增了10個工藝平臺。

IP方面，中芯國際已經積累2300個，具體包括：826個40nm/28nm的IP，562個65nm/55nm的IP，74個90nm的IP，355個0.18μm/0.15μm的IP，35個0.35μm/0.25μm的IP，以及478個0.13μm /0.11μm的IP。

結語

在當今的產業(yè)環(huán)境下，晶圓代工的地位愈加突出，而在成熟和先進制程方面具備多線能力的廠商，其市場接受度會更高，營收能力更強。越全面，越能實現(xiàn)通吃。

編輯：jq