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諾思布局5G小基站等產(chǎn)品技術(shù),可解決客戶(hù)國(guó)產(chǎn)化替代的迫切需求

NSFb_gh_eb0fee5 ? 來(lái)源:集微網(wǎng) ? 作者:集微網(wǎng) ? 2021-04-13 10:16 ? 次閱讀
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集微網(wǎng)消息 隨著5G時(shí)代到來(lái),通信制式升級(jí),頻段變多,射頻前端的市場(chǎng)需求量正快速增長(zhǎng)。而濾波器/雙工器作為無(wú)線(xiàn)通訊系統(tǒng)射頻前端最重要的核心器件,其市場(chǎng)份額也迅速提升。

目前來(lái)看,BAW濾波器芯片的國(guó)產(chǎn)化率較低,長(zhǎng)期被歐美廠(chǎng)商所壟斷。不過(guò),隨著國(guó)內(nèi)BAW濾波器供應(yīng)商諾思(天津)微系統(tǒng)有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“諾思”)的崛起,這一局面正逐步被打破.。

4月9日,諾思研發(fā)兼市場(chǎng)總監(jiān)蔣興勇和市場(chǎng)技術(shù)經(jīng)理翟國(guó)祥作客集微網(wǎng)第四十三期“集微公開(kāi)課”,帶來(lái)題為《5G射頻前端中的晶圓級(jí)聲波射頻濾波器的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用》的精彩演講。蔣興勇指出,諾思成立于2011年,主要從事射頻前端薄膜體聲波濾波芯片(BAW)及模塊的研產(chǎn)銷(xiāo),目前公司產(chǎn)品性能已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,核心技術(shù)正逐步填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白,并逐漸打破國(guó)外廠(chǎng)商的壟斷。

據(jù)其介紹,諾思在已陸續(xù)發(fā)布多款高性能BAW濾波器基礎(chǔ)上,進(jìn)一步推出了覆蓋Band1、Band25、Band3、Band4、Band7的全套基于BAW工藝的高性能雙工器系列產(chǎn)品,及支持載波聚合的Band1+3四工器(RSFM1801A),同時(shí)布局5G小基站等產(chǎn)品技術(shù),可解決客戶(hù)國(guó)產(chǎn)化替代的迫切需求。

BAW性能更優(yōu),市場(chǎng)前景更廣闊

行業(yè)周知,在無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)中,一般包含有天線(xiàn)、射頻前端、射頻收發(fā)模塊以及基帶信號(hào)處理器四個(gè)部分。其中,射頻前端是將數(shù)字信號(hào)向無(wú)線(xiàn)射頻信號(hào)轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)部件,也是無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)的核心組件。

4G到5G時(shí)代,射頻前端架構(gòu)有了明顯的變化。諾思市場(chǎng)技術(shù)經(jīng)理翟國(guó)祥表示,在頻段方面,5G時(shí)代除了主流頻段外,由于引進(jìn)了5G NR的標(biāo)準(zhǔn),會(huì)有3.5GHz、4.8GHz等頻段出現(xiàn),以及不斷重耕的LTE頻段,因此需要射頻前端器件能夠支持更多的頻段,或者原來(lái)4G頻譜的設(shè)備件必須要支持更高的5G標(biāo)準(zhǔn)。

在工作模式方面,基于5G新空口的波形,相比4G有更大的峰均比,有可見(jiàn)的子載波間隔,以及可動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)的功率頻率范圍。在信號(hào)傳輸方面,5G要求更快速的傳輸速率,就需要更多的MIMO。在4G LTE時(shí)代,已經(jīng)做到了4×4的MIMO。5G的4×4下行MIMO或是2×10的上行MIMO已經(jīng)成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),必須要支持四個(gè)下行鏈路的和兩個(gè)上行鏈路。

從上述分析可知,隨著5G頻段的升高與通信模式的不斷增多,射頻前端需求量將不斷攀升。而濾波器/雙工器作為無(wú)線(xiàn)通訊系統(tǒng)射頻前端最重要的核心器件,其市場(chǎng)需求量也迅速增長(zhǎng)。根據(jù)Qorvo數(shù)據(jù),4G手機(jī)濾波器用量約為40個(gè),而5G手機(jī)的需求量則提高到70個(gè)。另外在3GHz以上的頻段,BAW濾波器是主流方案,隨著5G的持續(xù)滲透,BAW在濾波器市場(chǎng)的產(chǎn)值占比持續(xù)提升。

翟國(guó)祥表示,聲學(xué)濾波器工藝根據(jù)其設(shè)計(jì)分為聲表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)以及聲體波(Bulk Acoustic Waves,BAW)工藝。相較于傳統(tǒng)的SAW濾波器,BAW 工藝可以提供更好的高頻性能、濾波特性(更高Q值,以及邊帶損耗),以及更穩(wěn)定的溫度特性,當(dāng)然其成本也相應(yīng)更高。

產(chǎn)品性能優(yōu)異,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代

盡管BAW濾波器市場(chǎng)前景廣闊,但BAW/FBAR市場(chǎng)長(zhǎng)期被歐美日廠(chǎng)商所壟斷。不過(guò),隨著FBAW濾波器供應(yīng)商諾思崛起,其核心技術(shù)逐漸填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白,打破了國(guó)外廠(chǎng)商壟斷的局面。

諾思研發(fā)兼市場(chǎng)總監(jiān)蔣興勇表示:“目前公司已申請(qǐng)及授權(quán)國(guó)內(nèi)發(fā)明專(zhuān)利316項(xiàng),PCT專(zhuān)利130項(xiàng);并在濾波器設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)、工藝、封裝等多方面建立起強(qiáng)有力的技術(shù)壁壘?!?/p>

與此同時(shí),諾思還繼續(xù)在聲波射頻濾波器領(lǐng)域的前沿探索。例如,諾思積極參與“硅基MEMS壓電薄膜及器件關(guān)鍵技術(shù)與平臺(tái)”項(xiàng)目,該項(xiàng)目針對(duì)5G/6G無(wú)線(xiàn)通訊、物聯(lián)網(wǎng)等對(duì)射頻濾波器、智能傳感器提出新的技術(shù)要求,對(duì)實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)硅基MEMS壓電器件的大規(guī)模生產(chǎn)、擺脫我國(guó)目前關(guān)鍵MEMS壓電器件受制于人的局面,具有重要而深遠(yuǎn)的意義。

在產(chǎn)品布局方面,諾思在已陸續(xù)發(fā)布多款高性能BAW濾波器基礎(chǔ)上,進(jìn)一步推出了覆蓋Band1(RSFD1950C),Band25(RSFD1902C),Band3(RSFD1702C),Band4(RSFD1730C),Band7(RSFD2503C)的全套基于BAW工藝的高性能雙工器系列產(chǎn)品,及支持載波聚合的Band1+3四工器(RSFM1801A),可滿(mǎn)足客戶(hù)國(guó)產(chǎn)化替代的迫切需求。

其中,Band1 (RSFD1950C)通帶更低的插入損耗TX插損優(yōu)于競(jìng)品0.2dB,RX優(yōu)于競(jìng)品0.5dB;Band25(RSFD1902C)近10dB的隔離度優(yōu)勢(shì)帶來(lái)了接收端口(RX)更加優(yōu)異的接收靈敏度;Band3(RSFD1702C)兼容通帶低損耗與高滾降,已成為市場(chǎng)最優(yōu)選擇之一;Band4(RSFD1730C)通帶更低的插入損耗,TX優(yōu)于競(jìng)品0.3dB,RX優(yōu)于競(jìng)品1dB。

翟國(guó)祥表示,“諾思雙工器產(chǎn)品開(kāi)始形成系列化及批量化生產(chǎn)與應(yīng)用,將為國(guó)內(nèi)眾多客戶(hù)提供非常有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力、可直接Pin-to-Pin替代的雙工器解決方案。同時(shí),諾思提供多樣化的產(chǎn)品形式,包括塑封芯片、WLP封裝芯片或裸die,以滿(mǎn)足終端、基站、模組等不同客戶(hù)的需求?!?/p>

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“諾思雙工器具有低插損、高帶外抑制、高隔離度和高功率容量(>30dBm)等優(yōu)良特性,主推尺寸為目前主流的1814(1.8mm×1.4mm)封裝,同時(shí)也提供下一代更小尺寸1612(1.6mm×1.2mm)封裝,為日漸小型化的終端客戶(hù)設(shè)計(jì)提供更靈活的選擇?!?/p>

與此同時(shí),諾思還針對(duì)目前運(yùn)營(yíng)商主要部署的Band1+Band3的載波聚合頻段,2019年12月,諾思率先推出國(guó)內(nèi)首款小尺寸(2.5mm×2.0mm)、高性能、可兼容4G/5G應(yīng)用的Band1+Band3四工器RSFM1801A。

由于采用先進(jìn)的射頻濾波器設(shè)計(jì)方案和新一代BAW濾波器工藝技術(shù),與競(jìng)品相比,RSFM1801A擁有更為陡峭的滾降、更深的帶外抑制水平和更優(yōu)秀的隔離度等優(yōu)勢(shì),為載波聚合技術(shù)帶來(lái)了完美的解決方案。同時(shí)RSFM1801A產(chǎn)品設(shè)計(jì)為單端口天線(xiàn)連接方案,從而避免了天線(xiàn)開(kāi)關(guān)的繁瑣設(shè)計(jì)。RSFM1801A作為國(guó)內(nèi)首款2.5mm×2.0 mm 尺寸的四工器產(chǎn)品,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)多工器的空白,為通訊終端客戶(hù)提供更優(yōu)化的器件和方案選擇。

持續(xù)加大研發(fā)投入,布局高端產(chǎn)品技術(shù)

由于5G高頻段信號(hào)覆蓋范圍較小,穿透建筑物的能力較弱,而小基站其作為宏基站信號(hào)的有效延伸重要性越發(fā)突顯。小基站不僅可增強(qiáng)室內(nèi)網(wǎng)絡(luò)覆蓋能力,還可以與相關(guān)技術(shù)相結(jié)合,為垂直行業(yè)提供更好的服務(wù)能力。

在5G發(fā)展中將逐步形成“宏站+小站”的協(xié)同配合,最終形成一張全面覆蓋的整網(wǎng)。BAW濾波器具有高頻率高功率容量的技術(shù)優(yōu)勢(shì),將會(huì)成為小基站濾波器的主流解決方案。

而為了滿(mǎn)足市場(chǎng)需求,諾思早已研發(fā)完成下一代更低成本、更高性能、更高功率的解決方案,產(chǎn)品線(xiàn)全面覆蓋4G/5G頻段,實(shí)測(cè)性能優(yōu)良。

繼推出全球首款小尺寸5G n41 BAW濾波器和全球最高功率容量(8W)BAW濾波器后,諾思在2020年年初又發(fā)布了國(guó)內(nèi)首款支持Wi-Fi6的高性能BAW濾波器,RSJP5201B和RSJP5601B,分別工作在5150MHz-5330MHz和5490MHz-5850MHz頻帶范圍內(nèi)。

從諾思的BAW諧振器Q值實(shí)測(cè)結(jié)果顯示,1.7GHz高達(dá)5500,5GHz可達(dá)2200,而10GHz頻率時(shí)仍達(dá)到1300,高于其他類(lèi)型的聲波器件。

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翟國(guó)祥表示:“相較于傳統(tǒng)濾波器而言,諾思的BAW濾波器可以提供更高的Q值和矩形系數(shù),為應(yīng)用設(shè)備帶來(lái)低損耗特性和降低共存雜散,其體積采用更為緊湊的2.0×1.6 mm封裝體積,同時(shí)兼具高功率特性?!?/p>

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目前,在5G小基站應(yīng)用領(lǐng)域,諾思已經(jīng)陸續(xù)推出n1(RSJD1950A)、n3(RSJD1702A)、n41(RSJP2595B)、n78(RSJP3450B)、n79(RSJP4900B)等8款面向小基站應(yīng)用的濾波器系列產(chǎn)品,插入損耗典型值最小可達(dá)到1.3dB,最高平均功率可支持+33dBm,支持工作溫度范圍-40℃至+95℃,完全滿(mǎn)足小基站的應(yīng)用場(chǎng)景要求。

未來(lái),諾思將把握5G發(fā)展的巨大機(jī)會(huì),持續(xù)為終端客戶(hù)設(shè)計(jì)提供更靈活、更優(yōu)性能、更具性?xún)r(jià)比的器件選擇,同時(shí)協(xié)同產(chǎn)業(yè)鏈上下游各個(gè)環(huán)節(jié),繼續(xù)實(shí)現(xiàn)技術(shù)與市場(chǎng)的突破,進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)濾波器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:5G時(shí)代射頻濾波器需求爆發(fā) 諾思全方位布局助國(guó)產(chǎn)替代加速

文章出處:【微信號(hào):gh_eb0fee55925b,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體投資聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    當(dāng)前,信息技術(shù)創(chuàng)新(信創(chuàng))產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)化替代正如火如荼地進(jìn)行,這不僅是對(duì)自主創(chuàng)新能力的考驗(yàn),也是國(guó)家戰(zhàn)略安全的重要保障。在這樣的背景下,廣州高能計(jì)算機(jī)作為國(guó)產(chǎn)工控主板研發(fā)生產(chǎn)商,我們深感
    的頭像 發(fā)表于 10-11 10:18 ?1048次閱讀

    英銳恩科技,以實(shí)力打造國(guó)產(chǎn)單片機(jī)替代品牌!

    科技深諳市場(chǎng)需求的多樣性,因此提供靈活的定制服務(wù)。他們可以根據(jù)客戶(hù)的具體需求,定制開(kāi)發(fā)符合特定應(yīng)用場(chǎng)景的單片機(jī)產(chǎn)品,幫助
    發(fā)表于 09-25 09:49

    國(guó)產(chǎn)硅振替換SiTime在5G基站中的應(yīng)用,噪聲低于350fs

    國(guó)產(chǎn)硅振替換SiTime在5G基站中的應(yīng)用,噪聲低于350fs
    的頭像 發(fā)表于 09-05 09:52 ?671次閱讀
    <b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b>硅振替換SiTime在<b class='flag-5'>5G</b>小<b class='flag-5'>基站</b>中的應(yīng)用,噪聲低于350fs

    國(guó)產(chǎn)FPGA的發(fā)展前景是什么?

    國(guó)產(chǎn)FPGA的發(fā)展前景是積極且充滿(mǎn)機(jī)遇的,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 一、市場(chǎng)需求增長(zhǎng) 技術(shù)驅(qū)動(dòng):隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、大數(shù)據(jù)
    發(fā)表于 07-29 17:04