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解析光芯片電磁仿真解決方案

Xpeedic ? 來源:Xpeedic芯禾科技 ? 作者:Xpeedic芯禾科技 ? 2021-04-06 18:02 ? 次閱讀
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隨著光芯片傳輸速率的提高,傳統(tǒng)的RC提取工具是否已經(jīng)達(dá)到了瓶頸?面對(duì)多種工藝,更小的互聯(lián)尺寸,如何才能實(shí)現(xiàn)寄生參數(shù)的精確提???有沒有一種低迭代,智能的無源建模方法?

01光芯片市場(chǎng)概況

得益于三大下游市場(chǎng)(電信、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子)需求的持續(xù)井噴,2021年光芯片市場(chǎng)規(guī)模將爆發(fā)式增長(zhǎng),達(dá)到25億美元。從細(xì)分市場(chǎng)份額來看,電信占60%,數(shù)據(jù)中心占30%,消費(fèi)電子占10%。 光芯片行業(yè),具有極高的技術(shù)壁壘和復(fù)雜的工藝流程。因此,光芯片在光器件/光模塊中成本占比較大。對(duì)于高速光模塊(>25Gbps),芯片的成本占比約為60%左右。相較于電芯片,目前光芯片市場(chǎng)規(guī)模較小,主要采用垂直一體化的IDM運(yùn)營(yíng)模式。但伴隨VCSEL芯片的消費(fèi)電子市場(chǎng)打開,將逐步興起設(shè)計(jì)公司+專業(yè)代工的模式。

02光芯片電磁仿真的挑戰(zhàn)

1.更高的數(shù)據(jù)傳輸速率

當(dāng)前主流的光芯片接口速率為單通道56Gbps,業(yè)界最先進(jìn)的可達(dá)到112Gbps,相信隨著工藝的進(jìn)步和終端用戶對(duì)數(shù)據(jù)吞吐的進(jìn)一步需求,速率會(huì)更高。從無源參數(shù)提取的角度,這是個(gè)寬頻的應(yīng)用,最高的頻率已經(jīng)達(dá)到毫米波。在如此復(fù)雜的電磁環(huán)境下,寄生參數(shù)的特性具有頻變的特性,同時(shí)為了滿足仿真精度必須要包含空間的電磁耦合。這些需求給電磁仿真器提出了更高的要求。

2.版圖規(guī)模極大地增加

光芯片的集成度越來越高,都在往SOC的方向去實(shí)現(xiàn)。根據(jù)我們實(shí)際項(xiàng)目的經(jīng)驗(yàn),四通道光芯片版圖的尺寸為1至2平方毫米,隨著通道數(shù)增多,則版圖尺寸會(huì)進(jìn)一步的增大。除了必要的電感和互聯(lián)外,版圖還包括了大量的高密度電容結(jié)構(gòu),這些結(jié)構(gòu)將仿真的規(guī)模提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)。在端口方面,普通版圖的電磁仿真通常需要50個(gè)左右的端口,而光芯片需要應(yīng)對(duì)的端口數(shù)量翻了幾倍,最高甚至可以達(dá)到500個(gè),這使得設(shè)計(jì)者在有限的硬件資源下很難快速得到精確的仿真數(shù)據(jù)。

3.復(fù)雜的多工藝場(chǎng)景

光芯片設(shè)計(jì)需要充分利用不同工藝的優(yōu)勢(shì),來提高電路的性能。目前主流的工藝包括CMOS 和SiGe Bi-CMOS。CMOS 工藝是低功耗設(shè)計(jì)首要的選擇,但它的噪聲性能相對(duì)較差,跨阻增益和帶寬指標(biāo)也劣于 SiGe 工藝。SiGe BiCMOS 高于 CMOS 的優(yōu)異性能使得設(shè)計(jì)具有高性能的高速電路成為可能,同時(shí)它還將功耗限制在可接受的水平。對(duì)于電磁提取來說,需要針對(duì)不同工藝下的襯底結(jié)構(gòu)、金屬層次等進(jìn)行有針對(duì)性的建模,才能更好的對(duì)信號(hào)損耗進(jìn)行模擬。 綜上所述,在光芯片設(shè)計(jì)中我們將面對(duì)“更高的數(shù)據(jù)傳輸速率、版圖規(guī)模極大增加及復(fù)雜的多工藝場(chǎng)景”等諸多挑戰(zhàn)。接下來,我們將為您介紹芯和光芯片電磁仿真EDA解決方案是如何一步步解決上述難題的。

03芯和光芯片電磁仿真EDA解決方案

通信芯片設(shè)計(jì)一般指的是如下紅色虛線范圍內(nèi)的模塊設(shè)計(jì),包括TIA/EQ/CDR/Driver。本文我們介紹的解決方案希望能幫助設(shè)計(jì)師針對(duì)所有這些模塊進(jìn)行高效的無源結(jié)構(gòu)提取、建模和優(yōu)化。

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圖1芯和EDA光芯片設(shè)計(jì)方案

1.無源結(jié)構(gòu)快速提取

我們提供了一種基于Cadence Virtuoso設(shè)計(jì)平臺(tái)的提取工具IRIS,并通過了代工廠在CMOS/ SiGe工藝上的嚴(yán)格認(rèn)證。IRIS結(jié)合3D全波求解技術(shù),滿足從DC到毫米波段的提取精度要求。使用者可以靈活運(yùn)用多線程/多核技術(shù)、MPI多機(jī)處理將復(fù)雜的仿真問題分片化,提高仿真的效率。

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圖2 快速的電磁提取方案-IRIS

2.無源結(jié)構(gòu)高效建模

我們提供了基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法的無源器件定制平臺(tái)iModeler。它內(nèi)建了多套面向光芯片設(shè)計(jì)的電感模板。使用者利用模板內(nèi)的多種輔助選項(xiàng),可輕松實(shí)現(xiàn)電感的多項(xiàng)指標(biāo)優(yōu)化。

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圖3一站式建模流程-iModeler

04驗(yàn)證對(duì)比

運(yùn)用以上的解決方案,我們針對(duì)CTLE模塊中的小電感進(jìn)行了實(shí)測(cè)對(duì)比,發(fā)現(xiàn)IRIS的結(jié)果在DC-300G整個(gè)頻率范圍內(nèi)和測(cè)試都吻合的很好,最大偏差僅在4%以內(nèi)。

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圖4仿真測(cè)試結(jié)果對(duì)比

05總結(jié)

本文介紹了光芯片設(shè)計(jì)在電磁仿真方面面臨的三大挑戰(zhàn),即更高的數(shù)據(jù)傳輸速率、版圖規(guī)模極大增加及復(fù)雜的多工藝場(chǎng)景。芯和半導(dǎo)體針對(duì)這些挑戰(zhàn),推出了高效的光通信芯片電磁提取解決方案:利用IRIS/iModeler軟件,實(shí)現(xiàn)了快速高精度電磁提取,無源器件優(yōu)化建模等應(yīng)用,極大地降低了設(shè)計(jì)師的迭代次數(shù)和產(chǎn)品投放市場(chǎng)周期。 了解更多應(yīng)用案例和技術(shù)資料,請(qǐng)點(diǎn)擊"閱讀原文"。

芯和半導(dǎo)體EDA介紹

芯和半導(dǎo)體成立于2010年,是國(guó)內(nèi)唯一提供“半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈仿真EDA解決方案”的供應(yīng)商。芯和半導(dǎo)體EDA是新一代智能電子產(chǎn)品中設(shè)計(jì)高頻/高速電子組件的首選工具,它包括了三大產(chǎn)品線:

芯片設(shè)計(jì)仿真產(chǎn)品線為晶圓廠提供了精準(zhǔn)的PDK設(shè)計(jì)解決方案, 為芯片設(shè)計(jì)公司提供了片上高頻寄生參數(shù)提取與建模的解決方案;

先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)仿真產(chǎn)品線為傳統(tǒng)型封裝和先進(jìn)封裝提供了高速高頻電磁場(chǎng)仿真的解決方案;

高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)仿真產(chǎn)品線為PCB板、組件、系統(tǒng)的互連結(jié)構(gòu)提供了快速建模與無源參數(shù)抽取的仿真平臺(tái),解決了高速高頻系統(tǒng)中的信號(hào)、電源完整性問題。

芯和半導(dǎo)體EDA的強(qiáng)大功能基于:自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的多種尖端電磁場(chǎng)和電路仿真求解技術(shù)、繁榮的晶圓廠和合作伙伴生態(tài)圈(芯和半導(dǎo)體EDA在所有主流晶圓廠的先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝上得到了不斷驗(yàn)證)、以及支持基于云平臺(tái)的高性能分布式計(jì)算技術(shù),在5G、智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域已得到廣泛應(yīng)用。

關(guān)于芯和半導(dǎo)體

芯和半導(dǎo)體是國(guó)產(chǎn)EDA行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),提供覆蓋IC、封裝到系統(tǒng)的全產(chǎn)業(yè)鏈仿真EDA解決方案,致力于賦能和加速新一代高速高頻智能電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。

芯和半導(dǎo)體自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的EDA產(chǎn)品和方案在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝上不斷得到驗(yàn)證,并在5G、智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,有效聯(lián)結(jié)了各大IC設(shè)計(jì)公司與制造公司。

芯和半導(dǎo)體同時(shí)在全球5G射頻前端供應(yīng)鏈中扮演重要角色,其通過自主創(chuàng)新的濾波器和系統(tǒng)級(jí)封裝設(shè)計(jì)平臺(tái)為手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)客戶提供射頻前端濾波器和模組,并被Yole評(píng)選為全球IPD濾波器領(lǐng)先供應(yīng)商。

芯和半導(dǎo)體創(chuàng)建于2010年,前身為芯禾科技,運(yùn)營(yíng)及研發(fā)總部位于上海張江,在蘇州、武漢設(shè)有研發(fā)分中心,在美國(guó)硅谷、北京、深圳、成都、西安設(shè)有銷售和技術(shù)支持部門。如欲了解更多詳情,敬請(qǐng)?jiān)L問 www.xpeedic.cn。

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