在IEDM 2020上，英特爾展示了其基于nanoribbon板狀納米溝道的n/p型堆疊的器件，這種器件結構與IMEC研發(fā)制備的CFET結構近似，被認為是3nm之后晶體管結構的必然解決方案。

研究背景

在先進邏輯集成電路的制造工藝進入10nm后，單純依靠縮小器件工藝單元尺寸已經(jīng)無法獲得足夠的能效增益。在28nm向下前行的過程中，從平面CMOS工藝到FinFET工藝的轉(zhuǎn)變帶來了更強的溝道控制能力，同時縮小了柵極間距和工藝單元的高度。

而在nanoribbon*（以下簡稱NR）的加持下，對于溝道的控制能力進一步增強，并且可變的NR堆疊層數(shù)和NR寬度，可以允許更大的載流子通量，從而進一步提高單元密度。在NR基礎上，將nMOS和pMOS進行堆疊，可以進一步將摩爾定律推進到極限。

在IEEE IEDM 2020會議上，英特爾發(fā)布了基于NR的垂直堆疊CMOS結構的研究成果，這種結構與IMEC在VLSI國際會議上展示的CFET*的技術路線近似，都是在垂直方向上實現(xiàn)一個CMOS單元的構成，通過在y軸上同時堆疊pMOS和nMOS以縮小工藝單元的中心間距，實現(xiàn)晶體管面積的縮小。

*Nanoribbon：GAA環(huán)柵晶體管的一種形態(tài)，與nanosheet類似，同樣為片狀結構的溝道。

*CFET：Complementary Field Effect Transistor，是將nMOS和pMOS垂直堆疊的一種新型晶體管結構，通過將Contact Poly Pitch（PP）做到最小，極大地縮小了CMOS單元面積。

從平面CMOS晶體管結構到堆疊CMOS晶體管結構

該成果以“3-D Self-aligned Stacked NMOS-on-PMOS Nanoribbon Transistors for Continued Moore’s Law Scaling”為題發(fā)表，內(nèi)容于2021年3月解禁，G. Dewey、E. Mannebach等28位英特爾研究人員共同完成了該成果，通訊作者為Cheng-Ying Huang。

研究內(nèi)容

該成果展示了三維自對準*堆疊的nMOS-on-PMOS的NR結構晶體管，成功地在垂直方向上完成了CMOS工藝單元的集成，相比在平面上分別排布nMOS和pMOS的結構，可縮小50%的器件排布面積；該結構中上部的nMOS和底部pMOS均顯示出高導通性能和優(yōu)秀的短溝道控制能力，在電特性測試中CMOS反相器也顯示出良好的電壓傳輸特性。英特爾的研究人員認為，這一新的器件結構將會延續(xù)摩爾定律的發(fā)展。

*自對準：制作大規(guī)模集成電路的一種重要工藝，可有效減少MOSFET中的寄生電容，提升電路工作頻率和速度。

n/p堆疊式的NR晶體管結構將節(jié)約50%的面積

8層NR溝道堆疊晶體管的TEM形貌像及外延的RSM點陣圖

晶體管3D建模圖以及制造工藝流程

5層溝道堆疊結構的TEM形貌像

ID-VG特征曲線和ID-VD特征曲線,LG=75nm

研究成果性能對比

前景展望

在過去的數(shù)年中英特爾受困于懸而未決的良率問題，技術節(jié)點停滯在14nm而更先進的10nm工藝則未能實現(xiàn)預期量產(chǎn)規(guī)模，使得一直以來的摩爾定律先鋒逐漸落后于臺積電。而在IEDM的新成果展示中，英特爾展示出了與IMEC的CFET技術路線類似的前沿研究成果，并喊出了“延續(xù)摩爾定律”的響亮口號。

根據(jù)英特爾公開的技術路線規(guī)劃，在5nm節(jié)點將會使用nanosheet或nanoribbon形態(tài)的GAA結構，本項成果作為GAA的再升級版本則可能在3nm或2nm量產(chǎn)，從具體技術參數(shù)來看，本項成果的柵長與對應節(jié)點的參數(shù)要求還有很大距離，恐怕僅僅是初步的技術原型，還有很多進一步的工作尚未完成。這會是英特爾王者歸來的助推劑，抑或是另一個久不落地的大衛(wèi)星？讓我們拭目以待。

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