據(jù)臺灣媒體報道, 3月25日，三星電子宣布新一代內(nèi)存芯片計劃，訪問速度將在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上提高一倍，并提供迄今為止最大的容量，從而加速數(shù)據(jù)中心和超級計算機的轉(zhuǎn)型。

作為全球最大內(nèi)存芯片制造商，三星表示，512GB DDR5 內(nèi)存模塊將擴展其現(xiàn)有產(chǎn)品組合，采用 HKMG(High-K Metal Gate) 制程，DDR5 的內(nèi)存速度將是目前 DDR4 的兩倍，同時減少功率泄漏，并減少13%的功耗。

行業(yè)資料顯示，與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標準性能更強，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預取的BankGroup數(shù)量以改善性能等。三星稱，DDR5 速度高達7200Mb/s，共有40個DRAM 芯片，每個DRAM芯片擁有8層 16Gb DRAM，這些模塊堆棧在一起，采用 TSV(Through-Silicon-Via, 硅穿孔) 技術(shù)。

TSV 于 2015 年首次在 DRAM 中使用，當時三星推出了容量高達 256GB 的服務器模塊。三星預計，將在今年下半年開始向 DDR5 的過渡。

三星表示，除了與兩家主要的 CPU 供貨商英特爾及和 AMD(AMD-US) 合作，也向數(shù)據(jù)中心平臺的開發(fā)者，發(fā)送了新內(nèi)存的樣品。

分析師估計，DDR5 芯片將比 DDR4 芯片大 20% 左右，這將加大半導體供應鏈的壓力。三星打算今年開始出貨，并逐步改進其制造工藝及定價。三星認為，預計 2023 年下半年，DDR5 將開始取代 DDR4。

TrendForce Research 副總裁 Avril Wu 表示，隨著 DDR5 的滲透率逐漸提高，預計 DRAM 的短缺，將在 2022 年持續(xù)存在，價格可能較最初上漲 30-40%。


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