【巴西：華為不會成為該國政府使用的5G網(wǎng)絡供應商】據(jù)外媒報道，巴西通信部長法比奧·法里亞在國會5G工作組公開聽證會上表示，華為將不會被列入政府將使用的5G和私人通信網(wǎng)絡供應商之列。當議員們詢問華為是否可能被禁止參與某些特定項目時，法里亞表示，華為不符合巴西電信公司Anatel最近提出的競標要求。不過，法里亞表示，巴西政府不會阻止任何國家或組織在巴西開展業(yè)務，但可以為自己的網(wǎng)絡定義標準，比如要求供應商遵守與巴西上市公司相兼容的公司治理規(guī)則。

產業(yè)要聞

三星全球首秀3nm！電壓只需0.23V

IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會上，三星(確切地說是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工藝制造的芯片，是一顆256Gb(32GB)容量的SRAM存儲芯片，這也是新工藝落地傳統(tǒng)的第一步。

在三星路線圖上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節(jié)點，其他則是升級改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。

三星將在3nm工藝上第一次應用GAAFET(環(huán)繞柵極場效應晶體管)技術，再次實現(xiàn)了晶體管結構的突破，比現(xiàn)在的FinFET立體晶體管又是一大飛躍。

GAAFET技術又分為兩種類型，一是常規(guī)GAAFET，使用納米線(nanowire)作為晶體管的鰭(fin)，二是MBCFET(多橋通道場效應晶體管)，使用的鰭更厚更寬一些，稱之為納米片(nanosheet)。

三星的第一顆3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Gb，面積56平方毫米，最令三星驕傲的就是超低功耗，寫入電流只需要區(qū)區(qū)0.23V，這要感謝MBCFET的多種省電技術。

按照三星的說法，3GAE工藝相比于其7LPP，可將晶體管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。

或許，這可以讓三星更好地控制芯片功耗、發(fā)熱，避免再出現(xiàn)所謂的“翻車”。

三星3nm預計明年投入量產，但尚未公布任何客戶。

臺積電方面，3nm繼續(xù)使用FinFET技術，號稱相比于5nm晶體管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％，預計今年晚些時候投入試產，明年量產，客戶包括除了蘋果、AMD、NVIDIA、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等，甚至據(jù)說Intel也會用。

芯片短缺蔓延至手機市場：驍龍888短缺 三星中低端機型生產受阻

據(jù)國外媒體報道，自2020年下半年以來，芯片短缺問題就成為半導體行業(yè)的主旋律。如今，芯片短缺問題日益嚴重，包括汽車、手機、游戲機、PC在內的產業(yè)相繼受到影響。

據(jù)悉，高通是HTC、索尼、諾基亞、LG、三星等公司的芯片供應商。而在國內，華為、中興、聯(lián)想、小米、海信、海爾等大多也都采用高通的驍龍處理器。如今，高通也出現(xiàn)了芯片短缺問題。

在過去幾個月，高通芯片的需求飆升。然而，高通又難以滿足高于預期的需求，部分原因是其芯片中使用的一些子部件出現(xiàn)短缺。

一位來自三星供應商的知情人士表示，高通芯片短缺對三星中低端機型的生產構成了沖擊。而來自另一家三星供應商的知情人士也表示，高通的最新旗艦芯片驍龍888也出現(xiàn)短缺，但他并未透露這是否會影響三星高端手機的生產。

此前，小米和Realme都承認芯片組市場存在巨大短缺。在2月24日晚間，小米中國區(qū)總裁、Redmi品牌副總裁兼總經(jīng)理盧偉冰曾在微博上表示：“今年芯片太缺了，不是缺，而是極缺?！?/p>

此外，Realme相關負責人也表示：“高通主芯片、小料都缺貨，其中包括電源類和射頻類的器件?！?/p>

手機供應鏈人士曾透露，高通全系列物料的交付期限已延長至30周以上，其中CSR藍牙音頻芯片的交付周期已達33周以上。

資本市場動態(tài)

一級市場

半導體及AIOT領域一級市場融資事件整理如下：

二級市場

科創(chuàng)板及創(chuàng)業(yè)板半導體及AIOT相關公司上市狀態(tài)更新如下：

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