99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

合肥長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目提前達到預(yù)期產(chǎn)能

NSFb_gh_eb0fee5 ? 來源:半導體投資聯(lián)盟 ? 作者:半導體投資聯(lián)盟 ? 2021-03-08 15:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

集微網(wǎng)消息,3月5日,合肥產(chǎn)投集團官微發(fā)文《潮起正是揚帆時——合肥產(chǎn)投集團成立六周年發(fā)展紀實》,透露了合肥長鑫國產(chǎn)內(nèi)存的產(chǎn)能情況。文章稱,截至2020年底,合肥長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目提前達到預(yù)期產(chǎn)能,實現(xiàn)了從投產(chǎn)到量產(chǎn)再到批量銷售的關(guān)鍵跨越。

據(jù)悉,在集團主導推動下,長鑫項目實現(xiàn)股權(quán)多元化,成功引入國家大基金、省三重一創(chuàng)基金等戰(zhàn)略投資,完成156億元融資,為下一步自主研發(fā)和產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化加速發(fā)展奠定基礎(chǔ)。2020年按照市委市政府文件指示精神,推進中國科學技術(shù)大學先進技術(shù)研究院等優(yōu)質(zhì)資產(chǎn)注入工作,已簽署劃轉(zhuǎn)協(xié)議,將進一步優(yōu)化集團資源配置、提升融資能力,保障長鑫項目發(fā)展。

資料顯示,合肥長鑫集成電路制造基地項目位于合肥空港經(jīng)濟示范區(qū),占地面積約15.2平方公里,由長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園、空港國際小鎮(zhèn)三個片區(qū)組成,主要圍繞長鑫存儲項目布局上下游產(chǎn)業(yè)鏈配套,提供生活服務(wù)設(shè)施,致力于打造產(chǎn)城融合國家存儲產(chǎn)業(yè)基地、世界一流的存儲產(chǎn)業(yè)集群。

其中,長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目,是中國大陸第一家投入量產(chǎn)的DRAM設(shè)計制造一體化項目,也是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目,總投資1500億元。(校對/妮兒)

責任編輯:lq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5425

    文章

    12071

    瀏覽量

    368543
  • 存儲器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    38

    文章

    7653

    瀏覽量

    167452
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5165

    瀏覽量

    129825

原文標題:合肥長鑫12英寸存儲器晶圓項目已提前達到預(yù)期產(chǎn)能

文章出處:【微信號:gh_eb0fee55925b,微信公眾號:半導體投資聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    12英寸SiC,再添新玩家

    科晶體也宣布成功研制差距12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底,并同期研制成功12英寸N型碳化硅單晶襯底;今年三月,天科合達、盛機電等也展出了其
    的頭像 發(fā)表于 05-21 00:51 ?6527次閱讀

    簡單認識減薄技術(shù)

    在半導體制造流程中,在前端工藝階段需保持一定厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,避免彎曲變形,并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格
    的頭像 發(fā)表于 05-09 13:55 ?616次閱讀

    12英寸碳化硅襯底,又有新進展

    尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 04-16 00:24 ?2039次閱讀

    馳機電8英寸碳化硅電阻式爐順利通過客戶驗證

    近日,馳機電開發(fā)的8英寸碳化硅(SiC)電阻式爐順利通過客戶驗證,設(shè)備穩(wěn)定性和工藝穩(wěn)定性均滿足客戶需求。 ? 8英寸碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-09 11:25 ?558次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b>馳機電8<b class='flag-5'>英寸</b>碳化硅電阻式<b class='flag-5'>長</b><b class='flag-5'>晶</b>爐順利通過客戶驗證

    環(huán)球獲4.06億美元補助,用于12英寸先進制程硅等擴產(chǎn)

    的直接補助。 這筆資金將用于支持環(huán)球在美國德州謝爾曼市及密蘇里州圣彼得斯市的先進半導體晶圓廠投資計劃,預(yù)計總投資額將達到40億美元。環(huán)球表示,此次補助將對其在美國的擴產(chǎn)計劃起到至關(guān)重要的推動作用。GWA將于2025年上半年成
    的頭像 發(fā)表于 12-19 16:08 ?591次閱讀

    碳化硅襯底,進化到12英寸!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當前主流的尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?4143次閱讀
    碳化硅襯底,進化到<b class='flag-5'>12</b><b class='flag-5'>英寸</b>!

    全球首條!京東方華燦Micro LED制造和封裝測試基地投產(chǎn)

    據(jù)京東方華燦光電消息,近日,京東方華燦Micro LED制造和封裝測試基地項目投產(chǎn)儀式在珠海舉行。該
    的頭像 發(fā)表于 11-17 14:39 ?827次閱讀

    京東方華燦光電6英寸Micro LED生產(chǎn)線投產(chǎn)

    近日,京東方華燦光電在珠海金灣區(qū)隆重舉行了Micro LED制造和封裝測試基地項目的投產(chǎn)儀式。該項目
    的頭像 發(fā)表于 11-11 14:37 ?897次閱讀

    氮化鎵在劃切過程中如何避免崩邊

    半導體市場的發(fā)展。氮化鎵和硅的制造工藝非常相似,12英寸氮化鎵技術(shù)發(fā)展的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的12英寸
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:25 ?1598次閱讀
    氮化鎵<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>在劃切過程中如何避免崩邊

    使用0.5英寸的代工廠

    用電源。 使用超小型半導體制造設(shè)備的光刻工藝演示 眾所周知,半導體制造通常需要巨大的工廠和潔凈室來大規(guī)模生產(chǎn) 12 英寸
    的頭像 發(fā)表于 10-18 16:31 ?617次閱讀
    使用0.5<b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的代工廠

    功率氮化鎵進入12英寸時代!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)提升芯片產(chǎn)能的最顯著方式,就是擴大尺寸,就像硅從6英寸到8
    的頭像 發(fā)表于 09-23 07:53 ?6589次閱讀
    功率氮化鎵進入<b class='flag-5'>12</b><b class='flag-5'>英寸</b>時代!

    又一企業(yè)官宣已成功制備8英寸SiC

    近日,日本礙子株式會(NGK,下文簡稱日本礙子)在其官網(wǎng)宣布,已成功制備出直徑為8英寸的SiC,并表示公司將于本月低在美國ICSCRM 2024展示8英寸SiC
    的頭像 發(fā)表于 09-21 11:04 ?650次閱讀

    信越化學推出12英寸GaN,加速半導體技術(shù)創(chuàng)新

    日本半導體材料巨頭信越化學近日宣布了一項重大技術(shù)突破,成功研發(fā)并制造出專用于氮化鎵(GaN)外延生長的300毫米(即12英寸,標志著公
    的頭像 發(fā)表于 09-10 17:05 ?1525次閱讀

    盛機電減薄機實現(xiàn)12英寸30μm超薄穩(wěn)定加工

    近日,國內(nèi)領(lǐng)先的半導體設(shè)備制造盛機電傳來振奮人心的消息,其自主研發(fā)的新型WGP12T減薄拋光設(shè)備成功攻克了12英寸
    的頭像 發(fā)表于 08-12 15:10 ?1336次閱讀

    電微電子級微系統(tǒng)集成高端制造項目即將投產(chǎn)

    江蘇省再添重大產(chǎn)業(yè)里程碑,電微電子級微系統(tǒng)集成高端制造項目(一期)圓滿完成規(guī)劃核實,標志著該項目
    的頭像 發(fā)表于 07-29 18:03 ?1523次閱讀