中芯國(guó)際發(fā)布公告，公司同阿斯麥上海在今年2月1日簽訂經(jīng)修訂和重述的ASML批量采購(gòu)協(xié)議。

據(jù)悉，該協(xié)議與DUV光刻技術(shù)的現(xiàn)有協(xié)議相關(guān)，訂單總代價(jià)為12.16億美元。

荷蘭ASML兌現(xiàn)承諾

此次協(xié)議的達(dá)成，表示ASML兌現(xiàn)了此前許下的承諾。

2020年，ASML曾多次向中國(guó)客戶示好，顯現(xiàn)出希望加大雙方合作的意向。

2020年10月份，ASML首席財(cái)務(wù)官羅杰·達(dá)森回答“向中國(guó)出口光刻機(jī)”問(wèn)題時(shí)表示，ASML可從荷蘭直接向中國(guó)出口DUV光刻機(jī)，而不受美國(guó)的限制。

在2020年11月舉行的中國(guó)進(jìn)口博覽會(huì)上，ASML也在參展行列，并展示了DUV光刻機(jī)。

ASML中國(guó)區(qū)總裁沈波表示，公司對(duì)向中國(guó)出口集成電路光刻機(jī)持開(kāi)放態(tài)度，對(duì)全球客戶一視同仁。

ASML的種種言行都透露出，ASML想同中國(guó)企業(yè)加大合作的愿望。而在如今，ASML也兌現(xiàn)了承諾，將DUV光刻機(jī)賣給中芯國(guó)際。

DUV光刻機(jī)與EUV光刻機(jī)

不過(guò)，對(duì)于更高端的EUV光刻機(jī)，ASML卻始終沒(méi)有松口。

DUV光刻機(jī)與EUV光刻機(jī)在光源、光路系統(tǒng)等方面有所差距，造成了二者在分辨率上的不同。

DUV光刻機(jī)采用了準(zhǔn)分子激光作為光源，為193nm波長(zhǎng)的光源。

而EUV光刻機(jī)則利用激光激發(fā)等離子發(fā)射EUV光子，原理更為復(fù)雜，獲取條件也更苛刻。不過(guò)，EUV光刻機(jī)的波長(zhǎng)也更短，僅為13.5nm。

在光路系統(tǒng)方面，DUV光刻機(jī)主要利用的光的折射、透鏡與晶圓之間使用不同介質(zhì)可改變光刻性能的特點(diǎn)。

而EUV光刻機(jī)則利用了光的反射原理，且對(duì)環(huán)境的要求更為嚴(yán)格，需要真空操作。

盡管EUV光刻機(jī)各方面都更為復(fù)雜，但卻能帶來(lái)更高的分辨率。想要攻克5nm、3nm，離不開(kāi)EUV光刻機(jī)的幫助。

因而，為搶占更多的市場(chǎng)，三星、臺(tái)積電都在爭(zhēng)搶更多的EUV光刻機(jī)。

雖然ASML本次出售給中芯國(guó)際的并非EUV光刻機(jī)，令人有些失望。但在DUV光刻機(jī)的實(shí)力也不同小覷，足以生產(chǎn)出7nm芯片。

國(guó)產(chǎn)7nm不再遙遠(yuǎn)

在ASML DUV光刻機(jī)的助力下，中芯國(guó)際離7nm更近了一步。

據(jù)悉，在今年4月份，中芯國(guó)際7nm將進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)階段。一旦成功，中國(guó)芯片自給率無(wú)疑將再前進(jìn)一步。

同時(shí)，更多DUV光刻機(jī)也將助力中芯國(guó)際進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)。在全球缺芯危機(jī)蔓延的情況下，中芯國(guó)際將成為危機(jī)的受益者。
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