電子零件廠加快對 EV 相關(guān)零件進行增產(chǎn)投資

隨著電動車（EV）需求上升，也讓日本各家電子零件廠增產(chǎn) EV 零件搶攻 EV 商機，其中羅姆（Rohm）傳出計劃將 EV 用碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的 5 倍。

日經(jīng)新聞 15 日報導(dǎo)，日本各家電子零件廠加快對 EV 相關(guān)零件進行增產(chǎn)投資，其中 Rohm 計劃在今后 5 年內(nèi)投資 600 億日圓，將使用于 EV 的 SiC 功率半導(dǎo)體產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的 5 倍。

富士電機（Fuji Electric）將投資約 1,200 億日圓擴增日本國內(nèi)外工廠產(chǎn)能、增產(chǎn)功率半導(dǎo)體；東芝（Toshiba）計劃在 2023 年度結(jié)束前投資約 800 億日圓，將功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高 3 成；日本電產(chǎn)（Nidec）將砸下 2,000 億日圓在歐洲興建 EV 用驅(qū)動馬達新工廠。

報導(dǎo)指出，Rohm 在碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的研發(fā)上居領(lǐng)先，于全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場握有 2 成市占率，和英飛凌（Infineon）、STMicroelectronics 并列為全球主要供應(yīng)商之一，而其產(chǎn)能擴增至 5 倍后、全球市占率有望提高至 3 成。Rohm 生產(chǎn)的半導(dǎo)體材料也以經(jīng)由汽車零件廠的形式、使用于特斯拉（Tesla）的 EV 逆變器（inverter）上。

據(jù)報導(dǎo)，日廠增產(chǎn) EV 相關(guān)零件，主要是因為全球各國推出減碳政策，推升 EV 需求。根據(jù)波士頓顧問集團（Boston Consulting Group，BCG）的試算，2025 年 EV 等電動化車款占全球新車銷售量比重有望自 2020 年的 10% 揚升至 31% 水平。

日本市調(diào)機構(gòu)富士經(jīng)濟（Fuji Keizai）2020 年 6 月 5 日公布調(diào)查報告指出，2030 年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)估將擴增至 4 兆 2,652 億日圓，將較 2019 年（2 兆 9,141 億日圓）大增 46.4%。

其中，2030 年碳化硅（SiC）制功率半導(dǎo)體全球市場規(guī)模預(yù)估將擴增至 2,009 億日圓，將達 2019 年（436 億日圓）的 4.6 倍；氮化鎵（GaN）產(chǎn)品市場規(guī)模預(yù)估為 232 億日圓，將達 2019 年（19 億日圓）的 12.2 倍。

中國SIC汽車市場

來自ev sales的數(shù)據(jù)顯示，2019年全球新能源汽車銷量為215萬輛，中國市場銷量達到116萬輛，占全球比重達54%。

據(jù)統(tǒng)計，2020年、2023年、2025年，中國新能源汽車產(chǎn)量分別為160萬輛、320萬輛、480萬輛。2020-2022年，只有少部分B級及以上車型采用SiC基MOSFET，其他車型采用硅基IGBT，預(yù)計2023年是8英寸SiC襯底技術(shù)商業(yè)化初步成熟之年，屆時，相當數(shù)量的B級及以上車型將采用SiC基MOSFET，A級及以下車型仍使用硅基IGBT。SiC基 MOSFET成本每年降低2%。

據(jù)中信建投證券估計，到2025年，中國新能源汽車用功率器件市場規(guī)模在100億元以上，其中硅基IGBT逾70億元，SiC基MOSFET近40億元。

受益于混動和新能源汽車銷量快速增長，以及新能源雙積分政策推動，國內(nèi)汽車功率半導(dǎo)體將保持旺盛的市場需求。中長期來看，SiC基MOSFET發(fā)展?jié)摿薮?，值得期待?br />
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