今天為大家?guī)?lái)第二講，聊一聊系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的第二駕創(chuàng)新馬車——電磁干擾屏蔽技術(shù)（EMI Shielding Technology）。

由于系統(tǒng)級(jí)封裝本身其制程中大量使用高密度線路、多種材質(zhì)的封裝材料，同時(shí)還要考慮芯片與各類功能器件間的協(xié)作，且封裝結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，因此伴隨而來(lái)的便會(huì)有電路元件間產(chǎn)生的電磁干擾問(wèn)題。為了解決這一問(wèn)題，長(zhǎng)電科技目前擁有一系列導(dǎo)入量產(chǎn)的高效電磁干擾屏蔽技術(shù)方案。

下圖所示為一例由長(zhǎng)電科技成功導(dǎo)入規(guī)模量產(chǎn)的高效電磁干擾屏蔽 SiP 射頻前端模塊產(chǎn)品。

在電磁干擾屏蔽材料（EMI Shielding Materials）方面，一場(chǎng)技術(shù)創(chuàng)新的盛宴正在全球上演。無(wú)論是傳統(tǒng)材料巨頭如杜邦、漢高、信越化學(xué)、東洋油墨等，還是新晉 EMI 屏蔽材料先鋒如 Ntrium 等，都爭(zhēng)相推出質(zhì)量更可靠、效果更全面、價(jià)格更實(shí)惠的全新產(chǎn)品及流程方案。

對(duì)于絕大多數(shù)倒裝型（Flip Chip）系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，單芯（Per Die）的平均功率范圍一般在 1W 到 15W 之間，因此在地散熱能力（Local Thermal Conductivity）是檢驗(yàn) SiP 系統(tǒng)整體性能的關(guān)鍵一環(huán)。

目前可用來(lái)提升散熱性能的技術(shù)方案有以下幾種：芯片背面外露技術(shù)、高導(dǎo)熱塑封材料技術(shù)、芯片背面金屬板裝技術(shù)（例如 Heat Sink）、基板金屬內(nèi)層加厚技術(shù)以及芯片背面金屬化技術(shù)（Backside Metallization Technology）。

長(zhǎng)電科技的工程驗(yàn)證結(jié)果表明，與其他方案相比，芯片背面金屬化技術(shù)更適用于加強(qiáng)低、中功率范圍的倒裝型結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱性，同等成本條件下，散熱效果的裕值可達(dá)到 25%，可謂立竿見(jiàn)影。而電磁干擾屏蔽材料的背面金屬化技術(shù)同樣可以用于芯片背面金屬化。

如下圖所示，長(zhǎng)電科技已獲得該技術(shù)方案的數(shù)項(xiàng)發(fā)明專利。

從材料到工藝，從技術(shù)到方案，長(zhǎng)電科技對(duì)于創(chuàng)新的不斷追求促成了其在電磁干擾屏蔽技術(shù)領(lǐng)域強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力與全面的產(chǎn)品覆蓋。系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)作為目前火熱的封裝技術(shù)領(lǐng)域，在長(zhǎng)電科技強(qiáng)大 EMI 技術(shù)的加持之下，能夠有效地完成對(duì)潛在電磁干擾的屏蔽，滿足全球市場(chǎng)需求。 下一期我們將為大家繼續(xù)講解并介紹系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)體系的“第三駕創(chuàng)新馬車”——激光輔助鍵合技術(shù)，敬請(qǐng)期待！

原文標(biāo)題：詳解 SiP 技術(shù)體系中的三駕創(chuàng)新馬車（二）

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