【編者按】2021中國IC風云榜“年度最佳技術(shù)突破獎”征集現(xiàn)已啟動！入圍標準深耕半導體某一細分領(lǐng)域，從技術(shù)產(chǎn)品主要性能和指標（20%）、技術(shù)突破創(chuàng)新性（30%）、應用市場（20%）、銷售情況（30%）四個維度進行。評選將由中國半導體投資聯(lián)盟129家會員單位及400多位半導體行業(yè)CEO共同擔任評選評委。獎項的結(jié)果將在2021年1月份中國半導體投資聯(lián)盟年會暨中國IC風云榜頒獎典禮上揭曉。

本期候選企業(yè)：廈門市三安集成電路有限公司（以下簡稱“三安集成”）

伴隨5G、物聯(lián)網(wǎng)等市場興起，化合物半導體也迎來新的風口。三安光電于2014年5月投資30億元成立的三安集成，主要從事化合物半導體微波集成電路、光技術(shù)芯片和功率電子元件的研發(fā)、制造和服務(wù)。

將化合物半導體制造平臺從LED外延片、芯片，橫向拓展到射頻、光技術(shù)和電力電子領(lǐng)域，三安光電有其先天優(yōu)勢。

三安光電具備20多年的化合物半導體制造經(jīng)驗，擁有規(guī)?；庋由L的管理經(jīng)驗與優(yōu)勢?；趯II-V族化合物材料的熟悉，得以將砷化鎵、氮化鎵等LED芯片主要的材料和工藝，快速拓展到微波射頻集成電路（MMIC）代工制造和光通訊芯片制造領(lǐng)域，并成功進入國內(nèi)龍頭企業(yè)的供應鏈。作為三安光電的全資子公司，三安集成是中國首家6英寸化合物半導體晶圓代工廠。也正是三安集成，將三安光電帶入全新的第二賽道。

三安集成預見第三代半導體材料尤其是碳化硅的市場潛力，于2020年7月在湖南長沙布局第三代半導體業(yè)務(wù)，總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項目建成達產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預計逾千億元。由此建立起橫跨材料和市場的化合物半導體大制造平臺。

目前，三安集成已通過ISO9001國際質(zhì)量管理體系認證和IATF16949汽車行業(yè)質(zhì)量管理體系認證，并積極投身國際行業(yè)標準制定，是JEDEC JC-70寬禁帶功率半導體標準委員會成員。

在迎接新機遇的同時，三安集成也在積極打磨自身技術(shù)，筑高護城河。截至目前，三安集成專利和核心技術(shù)主要集中在制造工藝層面，擁有近百項覆蓋外延生長、芯片制造授權(quán)專利。

2020年，三安集成在多個技術(shù)領(lǐng)域也取得了突破。

在RF（射頻）領(lǐng)域，三安集成開發(fā)了H20HG6 砷化鎵HBT制程工藝，該技術(shù)可應用于3G/4G, Sub-6G, WLAN 功放器件，目前已成功應用在手持通訊終端的功放器件。同時，2020年四季度Duplexer濾波器出貨量超過10kk。

在光技術(shù)領(lǐng)域，三安集成今年還推出了25G CWDM DFB芯片系列，其在外延結(jié)構(gòu)等重要技術(shù)環(huán)節(jié)做了特殊的設(shè)計，使得25G DFB 在高溫條件下具備更好的可靠性，結(jié)合高帶寬特性，三安集成成為世界上少數(shù)可以提供100G/200G LR4 的25G DFB應用的供應商之一。

在電力電子領(lǐng)域，三安集成碳化硅MPS肖特基二極管全系列650V和1200V產(chǎn)品采用混合PiN肖特基二極管（MPS）設(shè)計，能提供更好的可靠性和魯棒性；今年12月更完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺的打造，首發(fā)1200V 80mΩ MOSFET產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試。得益于其產(chǎn)品特性，三安集成碳化硅功率器件產(chǎn)品可廣泛應用于牽引驅(qū)動、車載充電、新能源逆變、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心、PFC、UPS等多領(lǐng)域。

在2021年，三安集成會持續(xù)產(chǎn)能擴張，以滿足市場的增速需求，泉州基地和長沙項目都會在未來支撐起三安大規(guī)模制造平臺的優(yōu)勢地位。

原文標題：【中國IC風云榜年度技術(shù)突破公司候選3】三安集成：加速技術(shù)突破，化合物半導體廣泛布局

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