99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

三星擬犧牲DRAM產能保住CIS芯片

如意 ? 來源:快科技 ? 作者:萬南 ? 2021-01-07 10:47 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

芯片設計、晶圓代工、內存閃存設計生產等,三星的觸角囊括了多個重要的半導體領域。

不過,最新消息稱,三星計劃讓渡部分DRAM產能,以保障全球大缺貨的CIS芯片,以滿足這部分客戶的需求。

CIS即圖像傳感器,也就是CMOS元件,目前三星在全球的份額僅次于索尼。以小米11為例,前后四顆攝像頭,多達三顆的元件都是三星ISOCELL方案。

外界分析,此舉可能會導致內存缺貨漲價,畢竟三星高層做出此決定的考慮之一就是保DRAM的利潤,同時搶CIS市場的份額。

另外幾大內存顆粒廠商中,美光12月發(fā)生停電事故,晶圓污染影響了產能。SK海力士收購Intel的閃存部門后,也無暇對DRAM進行大舉擴產,畢竟收購花了90億美元。

2019到2020年以來,內存的價格節(jié)節(jié)走低,也許漲價也早已是廠商們盤算的事情。
責編AJX

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關注

    關注

    460

    文章

    52520

    瀏覽量

    441004
  • DRAM
    +關注

    關注

    40

    文章

    2349

    瀏覽量

    185642
  • 三星電子
    +關注

    關注

    34

    文章

    15888

    瀏覽量

    182354
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組

    深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
    發(fā)表于 05-19 10:05

    三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

    三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
    發(fā)表于 04-18 10:52

    三星調整1cnm DRAM設計,力保HBM4量產

    據韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內存的順利量產,公司決定對設計進行重大調整。
    的頭像 發(fā)表于 02-13 16:42 ?724次閱讀

    三星電子否認1b DRAM重新設計報道

    據報道,三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內存產品策略的新一輪關注。 此前有報道指出,
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:05 ?581次閱讀

    三星否認重新設計1b DRAM

    據DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內部為解決12nm級
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:04 ?974次閱讀

    三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

    據韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:27 ?635次閱讀

    三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)

    近日,據韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎上,全面重新設計新版1b
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?862次閱讀

    三星芯片代工新掌門:先進與成熟制程并重

    制程與成熟制程的并重發(fā)展。他指出,當前三星代工部門最緊迫的任務是提升2nm產能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進制程技術領域的決心和實力。 同時,韓真晚也提到了三星電子在GAA工藝方
    的頭像 發(fā)表于 12-10 13:40 ?736次閱讀

    三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻,或重新設計1a DRAM電路

    近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息,據稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星
    的頭像 發(fā)表于 10-23 17:15 ?928次閱讀

    三星推出業(yè)界首款24Gb(3GB)GDDR7 DRAM內存芯片

    三星推出了業(yè)內首款24Gb(即3GB)GDDR7 DRAM內存芯片,其超高速度可達42.5Gbps,專為下一代圖形處理單元(GPU)打造。據三星介紹,得益于多項改進與更新,該
    的頭像 發(fā)表于 10-22 15:13 ?2071次閱讀

    三星或重獲英偉達游戲芯片訂單

    據外媒最新報道,三星電子有望重新獲得英偉達的未來新款游戲芯片(GPU)制造訂單,這一消息為三星的市場前景注入了新的活力。
    的頭像 發(fā)表于 10-21 18:11 ?849次閱讀

    三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM

    近日,存儲芯片巨頭三星電子宣布了一項重大突破:成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達到了業(yè)界最高水平,更在速度上實現(xiàn)了顯著提升,成為下一代AI計算應用的理想解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 10-18 16:58 ?1164次閱讀

    三星電子調整HBM內存產能規(guī)劃,應對英偉達供應延遲

    近日,三星電子因向英偉達供應HBM3E內存的延遲,對其HBM內存的產能規(guī)劃進行了調整。據韓媒報道,三星已將2025年底的產能預估下調至每月17萬片晶圓,這一調整反映了半導體行業(yè)當前緊張
    的頭像 發(fā)表于 10-11 17:37 ?1074次閱讀

    三星確認平澤P4工廠1c nm DRAM內存產線投資

    據韓國媒體最新報道,三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內存產線,并預計該產線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著三星電子在半導體技術領域的又一次重要布局。
    的頭像 發(fā)表于 08-13 14:29 ?880次閱讀

    三星或成蘋果新CIS供應商,挑戰(zhàn)索尼獨供地位

    近日,蘋果產業(yè)鏈資深分析師郭明錤在社交平臺發(fā)布重要預測,指出三星有望自2026年起成為蘋果新一代iPhone的CIS(影像感測器)供應商,這一變化將徹底打破索尼多年來對蘋果CIS的獨家供應局面。為此,
    的頭像 發(fā)表于 07-26 16:30 ?946次閱讀