Intel明年將推出第三代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器
在跳票多次之后，明年第一季度，Intel將推出代號Ice Lake-SP的單/雙路第三代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器，首次用上10nm工藝，并有全新的Sunny Cove CPU架構(gòu)。
之前已經(jīng)見識過Ice Lake-SP的多個不同樣品曝光，包括6核心、14核心、16核心、24核心、28核心、32核心，傳聞中最高能到38核心。
現(xiàn)在，GeekBench 5數(shù)據(jù)庫里出現(xiàn)了一款36核心72線程的Intel處理器，具體身份沒有識別出來，只顯示“Intel $0000%”，但必然屬于Ice Lake-SP。
驚喜的是，這顆36核心72線程的基準(zhǔn)頻率就有3.6GHz，加速有望摸到甚至超過4.0GHz。
相比之下，現(xiàn)有的14nm工藝可擴(kuò)展至強(qiáng)最多才28核心（不考慮雙芯整合封裝的56核心），基準(zhǔn)頻率最高2.9GHz，加速頻率最高4.3GHz。10nm能在增加8個核心的情況下將基準(zhǔn)頻率再提升700MHz，終于雄起了！
另外，一級指令緩存每核心32KB，一級數(shù)據(jù)緩存每核心48KB，二級緩存每核心1.25MB，三級緩存共享54MB，平均每核心1.5MB，比現(xiàn)在增加約9％。
本次曝光的還是一套雙路系統(tǒng)，合計(jì)72核心144線程。
責(zé)任編輯:pj
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
處理器
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
19863瀏覽量
234404 -
cpu
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
11066瀏覽量
216622 -
intel
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3495瀏覽量
188276
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
）和碳化硅（SiC），它們在電力電子、射頻和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細(xì)探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（1）
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產(chǎn)在即
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?消息人士指出，日本 TDK 公司正加速推進(jìn)第三代硅陽極電池的量產(chǎn)進(jìn)程，將出貨時間從原計(jì)劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術(shù)在于將負(fù)極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
恩智浦推出第三代成像雷達(dá)處理器S32R47系列
恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布采用16納米FinFET技術(shù)的新一代S32R47成像雷達(dá)處理器，進(jìn)一步鞏固公司在成像雷達(dá)領(lǐng)域的專業(yè)實(shí)力。S32R47系列是第三代成像雷達(dá)處理器，性能比前代產(chǎn)品提升高達(dá)兩
第三代半導(dǎo)體器件封裝：挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存
成為行業(yè)內(nèi)的研究熱點(diǎn)。本文將重點(diǎn)探討第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)及其應(yīng)用。二、第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件概述（一）定義與分類第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件是指以碳化
EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 01-08 14:43
?0次下載
EE-220：將外部存儲器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220：將外部存儲器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 01-06 16:12
?0次下載
第三代半導(dǎo)體廠商加速出海
近年來，在消費(fèi)電子需求帶動下，加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
第三代半導(dǎo)體對防震基座需求前景?
隨著科技的發(fā)展，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi)，各國都在加大對第三代半導(dǎo)體的投入，建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國，多地都有相關(guān)大型項(xiàng)目規(guī)劃與建設(shè)，像蘇州的國家第三代半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要動力之一，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實(shí)現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用
隨著科技的發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革，而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
在第三代C2000器件上實(shí)現(xiàn)EEPROM的模擬操作
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在第三代C2000器件上實(shí)現(xiàn)EEPROM的模擬操作.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 09-09 10:59
?1次下載
英飛特第三代浪涌保護(hù)器產(chǎn)品助力應(yīng)對現(xiàn)代戶外照明的挑戰(zhàn)
英飛特第三代浪涌保護(hù)器（SPD）產(chǎn)品系列，是一款旨在增強(qiáng)戶外照明系統(tǒng)對安全性和耐用性，同時滿足緊湊燈具設(shè)計(jì)需求的浪涌保護(hù)器。
TCL推出第三代藝術(shù)電視A300系列
7月17日，TCL隆重推出了其第三代藝術(shù)電視A300系列，該系列以融合前沿科技與藝術(shù)創(chuàng)作為核心亮點(diǎn)，特別引入了Ai繪畫大模型技術(shù)，用戶僅需簡單設(shè)定三個關(guān)鍵詞，系統(tǒng)便能在短短3秒內(nèi)自動生成一幅個性化的藝術(shù)畫作，展現(xiàn)了科技與藝術(shù)的無
工商網(wǎng)監(jiān)
評論