最近，F(xiàn)eFET初創(chuàng)者FMC獲得了包括默克，SK Hynix，IMEC，Robert Bosch和Tokyo Electron以及現(xiàn)有的投資者eCapital等公司提供的超過2000萬美元的資金。在這里，我們采訪了該公司的首席執(zhí)行官Ali Pourkeramati，希望聽到他對新型存儲FeFET未來發(fā)展的看法。

Pourkeramati首先是贊揚氧化鉿作為鐵電材料的特性，該特性也恰好在晶圓代工廠中廣泛用作現(xiàn)代IC的絕緣層。他聲稱鐵電場效應晶體管（FeFET）是嵌入式閃存的自然替代品，因為后者難以擴展到28nm以上。

Pourkeramati指出，與嵌入式閃存不同，F(xiàn)eFET的耐久性在10 ^ 11周期時很高，并且在10 ^ 15周期時有望接近MRAM，并且開關速度小于1ns，開關能量小于1fJ / bit。

他指出，F(xiàn)eFET的基本開關速度很高，但是在陣列中，它的確取決于字線和位線的負載。我們有一個約10ns的32Mbit內存宏。如果您想更快地閱讀，那么您會變得更小，更分散，因此它具有設計方面的意義，” Pourkeramati說。

邏輯友好的存儲

“這是一種邏輯友好的技術，需要兩個或三個非關鍵層。對于邏輯和代工廠來說，這就是天堂?！盤ourkeramati補充說。

除了具有較高的高溫穩(wěn)定性，材料的可擴展性和熟悉度外，F(xiàn)eFET似乎也很容易獲得勝利。

但是，F(xiàn)MC需要提高一個指標。在他的FE-HfO2的測量和公布特性圖表上，數(shù)據(jù)保留時間為125°C 1000小時。但他們期望在175°C下可以保持達到10年，但這顯然還有很多工作要做。

另一個反對意見是，領先的代工廠已經(jīng)采用MRAM（在意法半導體公司的情況下是相變存儲器）用于28nm及以下的嵌入式存儲器，因此與嵌入式閃存之間的競爭并不激烈?！?MRAM需要額外的材料。鐵電存儲器不需要特殊的材料，并且可以按邏輯縮放，因此我們可以使用FinFET，” Pourkeramati說道。MRAM也容易受到磁場的影響。

Pourkeramati強調，鐵電存儲器可以解決用于高速緩存的嵌入式非易失性存儲器，也可以解決用于存儲級存儲器的獨立芯片。FMC還針對3D堆疊形式的內存進行了一些初步的工作。“我們可以擴展到n層，” Pourkeramati說。它可以用于神經(jīng)形態(tài)應用。“我們?yōu)樗袘贸绦騽?chuàng)建了IP ［知識產(chǎn)權］?！?/p>

商業(yè)模式探討

FMC的業(yè)務模式是許可知識產(chǎn)權并按芯片收取專利使用費。為此，該公司將其產(chǎn)品分為三個層次。一種是與工藝有關的IP，例如化學配方;第二個是晶體管器件級別IP;IP的第三層是基于設計或電路的。他說：“我們將這些各種IP池許可給代工廠，無工廠芯片公司和IDM（集成設備制造商）。

Pourkeramati表示，面向消費類應用的首批硅片將于2023年問世，并采用28nm平面CMOS工藝。此后，將向22nm FinFET和/或FDSOI轉移，并在隨后的幾年中出現(xiàn)其他領域。

考慮到FMC成立于2016年，現(xiàn)在是2020年，F(xiàn)MC的路線圖似乎有些保守。Pourkeramati說：“這些事情需要時間；開發(fā)時間和上市時間。我們認為這是合理和可以接受的。如果您想在FinFET上進行開發(fā)，請與我們一起努力盡快通過各個節(jié)點。”

專利情況

值得注意的是，鐵電存儲器已成為學術界的熱門話題，許多大型半導體公司都在討論該技術。如果FMC用氧化鉿和摻鋯的氧化鉿來進行記憶的開拓性工作，是否有可能獲得其他人的好處？

Pourkeramati拒絕透露，F(xiàn)MC的專利地位涵蓋了鉿和鋯。

這使我們重新思考為什么Pourkeramati會拒絕或推遲一些投資。在創(chuàng)業(yè)圈中有一種眾所周知的格言，最好是在不需要風險投資時接受風險投資。因為當您確實需要它時，它將不可用。

在2019年加入FMC之前，Pourkeramati之前曾在Impact Capital Partners Inc.擔任管理合伙人，曾從事過風險投資工作，并提出了相反的觀點。他認為，F(xiàn)MC將能夠在未來的時間以更高的估值籌集更多資金。

還有其他公司想要投資FMC。同樣，也有晶圓代工廠想投資FMC，但Pourkeramati表示，他擔心與任何一家代工廠保持緊密聯(lián)系可能會抑制其他代工廠使用該技術，因此該公司拒絕了。

隨著FMC渴望同時進軍多個領域并進行長遠的競爭，這些投資者和其他人無疑將有更多的投資機會，但是FMC需要繼續(xù)取得進展，以替代已部署的MRAM。
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