電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）2020年已接近尾聲，這一年對(duì)于存儲(chǔ)行業(yè)來說是不同尋常的一年。首先，價(jià)格漲跌出乎尋常，年初DRAM、NAND因?yàn)橐咔樵虍a(chǎn)能供應(yīng)不足，價(jià)格大漲，行業(yè)預(yù)計(jì)今年全年存儲(chǔ)都將處于持續(xù)上漲的趨勢(shì)，然而第二季度開始存儲(chǔ)價(jià)格開始下跌，9月因?yàn)槿A為禁令更是引起NAND、DRAM價(jià)格暴跌，不過市場(chǎng)預(yù)計(jì)隨著數(shù)據(jù)中心建設(shè)加速，明年存儲(chǔ)價(jià)格將有望回調(diào)。

其次，SK海力士發(fā)起收購(gòu)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，足以顛覆全球NAND市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。再者值得重點(diǎn)關(guān)注的是，今年對(duì)于國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)來說，可謂是飛速發(fā)展的一年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出128 3D NAND，進(jìn)入國(guó)際主流水平，越來越多固態(tài)硬盤廠商紛紛推出基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND的國(guó)產(chǎn)SSD產(chǎn)品，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR4量產(chǎn)，多家內(nèi)存條廠商推出基于長(zhǎng)鑫內(nèi)存顆粒的內(nèi)存條，國(guó)內(nèi)多家NOR Flash廠商推出并量產(chǎn)50nm/48nm的產(chǎn)品，進(jìn)入新一代工藝水平。

一、存儲(chǔ)芯片價(jià)格年初上漲，后持續(xù)下跌

今年年初，存儲(chǔ)價(jià)格長(zhǎng)勢(shì)明顯，據(jù)3月11日?qǐng)?bào)道，據(jù)渠道商透露，三星等多家主要供應(yīng)商已經(jīng)通知下季度DRAM、NAND Flash合約價(jià)，漲幅都達(dá)雙位數(shù)。

漲價(jià)的原因主要有，一是中國(guó)內(nèi)地主要大廠停工、出貨不順，而渠道商庫(kù)存降低；二是疫情沖擊全球經(jīng)濟(jì)，存儲(chǔ)器市場(chǎng)受惠于疫情帶動(dòng)宅經(jīng)濟(jì)大好，網(wǎng)購(gòu)、電商、線上游戲、電競(jìng)游戲逆勢(shì)成長(zhǎng)，第一季度三大存儲(chǔ)器需求仍強(qiáng)，其中，因數(shù)據(jù)中心擴(kuò)大服務(wù)器建置，推升服務(wù)器用DRAM和NAND Flash需求更為強(qiáng)勁。

當(dāng)時(shí)行紛紛預(yù)測(cè)下半年DRAM市場(chǎng)供給將短缺，并推升價(jià)格上漲，NAND Flash下半年供應(yīng)會(huì)更緊張。不過據(jù)6月份報(bào)道，存儲(chǔ)芯片總體的平均銷售價(jià)格，在二季度已出現(xiàn)了下滑的趨勢(shì)，現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格也有下滑，今年10月份，DRAM 和 NAND 價(jià)格繼續(xù)遭遇集體暴跌，分析師認(rèn)為，這是由于美國(guó)對(duì)華為的制裁所致，加劇了存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格的下跌。

Trend Force分析師認(rèn)為，NAND 是受華為影響相對(duì)較小的市場(chǎng)，由于市場(chǎng)對(duì) 5G 網(wǎng)絡(luò)的需求增加，以及通信網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品的銷售增長(zhǎng)，NAND 價(jià)格并未出現(xiàn)大幅下降的現(xiàn)象。此外預(yù)計(jì)明年上半年內(nèi)存市場(chǎng)將出現(xiàn)反彈，由于主要數(shù)據(jù)中心公司的投資有所增加，明年對(duì) DRAM 的需求預(yù)計(jì)將增長(zhǎng) 20%。

同時(shí)NOR Flash也喊漲價(jià)，明年上半年漲幅或達(dá)5-10%，隨著 TWS 耳機(jī)出貨放量，智能手機(jī)導(dǎo)入 OLED 面板，今年以來 NOR Flash 需求大增，但內(nèi)存廠仍未開出新產(chǎn)能，第三季就已供給吃緊，到了第四季時(shí)已有業(yè)者漲價(jià)，反映供需吃緊的狀態(tài)。

外資近期報(bào)告指出，明年上半年單季漲幅都達(dá) 5%，不過業(yè)者透露，漲幅預(yù)計(jì)超過此幅度，甚至上看10%。據(jù)悉，華邦電子本季 NOR Flash 已漲價(jià) 7-9%，明年上半年價(jià)格持續(xù)看漲，而旺宏則指出，明年上半年價(jià)格仍未談妥，對(duì)于市場(chǎng)熱議明年上半年價(jià)格走勢(shì)正向看待。

二、SK海力士將以90億美元收購(gòu)英特爾旗下NAND閃存芯片業(yè)務(wù)

2020年10月20日消息，SK海力士和英特爾已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，前者將以90億美元收購(gòu)英特爾的NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，具體包括英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND部件及晶圓業(yè)務(wù)，以及其在中國(guó)大連的NAND閃存制造工廠。

兩家公司將爭(zhēng)取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可，之后SK海力士將首先支付70億美元獲得英特爾的NAND SSD業(yè)務(wù)（包括NANDSSD相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和員工）以及大連工廠，預(yù)計(jì)到2025年3月，SK海力士最終支付20億美元收購(gòu)其余相關(guān)資產(chǎn)，包括NAND閃存晶圓的生產(chǎn)及設(shè)計(jì)相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)、研發(fā)人員以及大連工廠的員工。

本次收購(gòu)之前，整個(gè)NAND 市場(chǎng)基本由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士以及英特爾六家廠商主導(dǎo)，其中三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)的市場(chǎng)占比依次是32%、18%、15%，美光、SK海力士以及英特爾分別占11%，可見SK海力士排名第三，英特爾排名第六。

如果SK海力士完成對(duì)英特爾NAND業(yè)務(wù)的收購(gòu)，即全球第三的NAND廠商收購(gòu)了排名第六的廠商的NAND業(yè)務(wù)，可見收購(gòu)?fù)瓿芍笕騈AND業(yè)務(wù)基本掌握在五家廠商手中，同時(shí)SK海力士能否很好的融合英特爾的NAND業(yè)務(wù)還是未知數(shù)，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)等新進(jìn)入者正在強(qiáng)勢(shì)崛起，可見整個(gè)NAND市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局將會(huì)發(fā)生很大變化。

三、長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出 128 層 QLC 閃存，業(yè)界領(lǐng)先

2020年4月13日消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布128層QLC 3D NAND 閃存研發(fā)成功，并已經(jīng)在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證，該公司此次共發(fā)布兩款產(chǎn)能品，一款是128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存X2-6070，一款是128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片X2-9060。

值得一提的是，128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存是業(yè)界首款，當(dāng)前各大廠商推出的QLC規(guī)格基本是在96層。長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND閃存最晚將于明年上半年開始量產(chǎn)，未來將在滿產(chǎn)時(shí)配合10萬(wàn)片月產(chǎn)能，將在平衡全球供應(yīng)上發(fā)揮關(guān)鍵作用。

目前128層3D NAND是國(guó)際主流水平，三星、東芝、美光等都在2019年發(fā)布了128層3D NAND產(chǎn)品，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)用短短3年時(shí)間便實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越，長(zhǎng)江存儲(chǔ)此次重點(diǎn)推出的128層QLC更直接參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)。

此外需要注意的是，除了已經(jīng)量產(chǎn)的128層3D NAND，英特爾預(yù)計(jì)將在今年年底實(shí)現(xiàn)更高層數(shù)144層產(chǎn)品的量產(chǎn)，三星正在開發(fā)176層第七代V-NAND，計(jì)劃明年4月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，SK 海力士也正在進(jìn)行176層3D NAND的研發(fā)，未來長(zhǎng)江存儲(chǔ)也還是還需要繼續(xù)加快進(jìn)度。

四、長(zhǎng)江存儲(chǔ)64 層3D NAND量產(chǎn)，獲多家存儲(chǔ)主控芯片支持及SSD廠商采用

長(zhǎng)江存儲(chǔ)2019年9月正式對(duì)外宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。長(zhǎng)江存儲(chǔ)副總裁楊道虹今年年初表示，公司當(dāng)前的任務(wù)是如期達(dá)成月產(chǎn)能10萬(wàn)片，在二期項(xiàng)目中達(dá)到30萬(wàn)片/月產(chǎn)能。

隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND量產(chǎn)，得一微、群聯(lián)、慧容等主控芯片廠商紛紛表示公司主控支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND，同時(shí)朗科、光威、臺(tái)電、國(guó)科微等固態(tài)硬盤廠商也陸續(xù)推出并開賣基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND顆粒的純國(guó)產(chǎn)SSD產(chǎn)品，并且長(zhǎng)江存儲(chǔ)還推出了自己的固態(tài)硬盤產(chǎn)品。

2020年9月，朗科在京東上線了朗系列S520S固態(tài)硬盤，采用基于Xtacking架構(gòu)創(chuàng)新研發(fā)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層TLC 3D NAND原廠顆粒，主控為得一微電子的SATA固態(tài)硬盤主控芯片YS9082HC。

2020年5月，光威推出了SATA 6Gbps SSD光威弈Pro系列，搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)的64層堆疊3D TLC閃存顆粒，采用自研領(lǐng)先的Xtacking架構(gòu)，相比傳統(tǒng)架構(gòu)存儲(chǔ)密度提升5倍，數(shù)據(jù)傳輸率翻番達(dá)到800Mbps，編程/擦寫循環(huán)可達(dá)3000次，容量可選240GB、256GB、512GB。主控芯片是聯(lián)蕓科技的MSA090X系列，采用SRAM融合Smart Cache架構(gòu)設(shè)計(jì)。

2020年11月18日，臺(tái)電科技聯(lián)合長(zhǎng)江存儲(chǔ)，發(fā)布臺(tái)電純國(guó)產(chǎn)化固態(tài)硬盤騰龍系列DS10，該SSD采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)全新一代64層TLC閃存顆粒。作為一款純國(guó)產(chǎn)化系列固態(tài)硬盤，臺(tái)電騰龍系列DS10搭載了同樣來自國(guó)產(chǎn)廠商的聯(lián)蕓科技專業(yè)級(jí)SATA主控MAS0902A。讀寫性能達(dá)到強(qiáng)勁的550MB/s和520MB/s，媲美國(guó)際主流產(chǎn)品性能。

2020年5月14日，國(guó)科微與長(zhǎng)江存儲(chǔ)在湖南長(zhǎng)沙正式簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議，在簽約儀式上，國(guó)科微預(yù)發(fā)布搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND顆粒的固態(tài)硬盤。4月26日，國(guó)科微與長(zhǎng)江存儲(chǔ)舉行“云簽約”，批量采購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND顆粒，全年采購(gòu)金額預(yù)計(jì)突破億元。

9月10日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出致鈦系列兩款消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(SSD)新品，分別為PCIe接口PC005 Active和SATA接口SC001 Active，兼具強(qiáng)勁的性能和可靠的品質(zhì)。

對(duì)于SSD來說，主控芯片與存儲(chǔ)顆粒的配合密不可分，據(jù)了解，國(guó)內(nèi)知名主控廠商得一微電子全產(chǎn)品線存儲(chǔ)控制芯片（PCIe/SATA/eMMC/UFS/ NM/USB/SD）已全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)歷代NAND Flash顆粒。并且作為鉆石級(jí)生態(tài)合作伙伴，得一微與長(zhǎng)江存儲(chǔ)于今年8月份正式簽署了Xtacking商標(biāo)使用協(xié)議。

閃存控制芯片群聯(lián)電子很早就開始與長(zhǎng)江存儲(chǔ)接洽合作，目前群聯(lián)全系列NAND控制芯片已經(jīng)全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層NAND，例如高階的PCIe SSD控制芯片PS5012、SATA SSD控制芯片PS3112、符合高速移動(dòng)存儲(chǔ)需求的UFS控制芯片PS8318及eMMC控制芯片PS8229、NM Card (NanoMemory Card) 控制芯片PS8229、以及消費(fèi)應(yīng)用的SD與USB控制芯片等，均支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND，董事長(zhǎng)潘健成指出，除了64層3D NAND以外，群聯(lián)也已經(jīng)開始安排研發(fā)團(tuán)隊(duì)著手支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)近期發(fā)布的128層3D NAND。

2020年9月，慧榮科技宣布公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層 Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。

慧榮科技身為SSD主控芯片的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，近10年的NAND Flash主控出貨累積超過60億顆，憑借對(duì)NAND市場(chǎng)及技術(shù)的深入了解，與長(zhǎng)江存儲(chǔ)保持緊密合作及技術(shù)交流, 并提供完整的主控芯片解決方案, 來提升存儲(chǔ)巿場(chǎng)的應(yīng)用。

近些年來長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升, 已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆 Die 容量 1.33Tb 的 NAND 閃存，可見，在技術(shù)的快速升級(jí)下，在越來越多的主控和固態(tài)硬盤廠商的支持下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)未來的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力也將迅速提升，國(guó)產(chǎn)NAND也將與國(guó)際大廠同臺(tái)競(jìng)爭(zhēng)。

五、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR4、LPDDR4x量產(chǎn)開賣，多家廠商推出國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條

2020年2月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式在官網(wǎng)公開列出DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，并已開始接受上述產(chǎn)品的技術(shù)和銷售咨詢，據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)鑫DDR4內(nèi)存芯片可匹配主流市場(chǎng)需求，支持多領(lǐng)域應(yīng)用、多產(chǎn)品組合，并有充分的可靠性保障，預(yù)計(jì)到2020年底長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的內(nèi)存芯片月產(chǎn)能可達(dá)4萬(wàn)片晶圓。

隨著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片開賣，威剛、江波龍、七彩虹、金泰克等內(nèi)存廠商紛紛推出基于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片的國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條。

2020年5月，威剛宣布將在中國(guó)市場(chǎng)導(dǎo)入長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的高質(zhì)量、高效能內(nèi)存顆粒，包括桌面級(jí)U-DIMM、筆記本級(jí)SO-DIMM。威剛表示，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的8Gb DDR4內(nèi)存芯片，均以10nm級(jí)工藝，經(jīng)過多次優(yōu)化，制程工藝已達(dá)國(guó)際主流水平，并符合JEDEC設(shè)計(jì)生產(chǎn)規(guī)范、RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

2020年11月23日，江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE宣布推出3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存，分別為DDR4 SODIMM 8GB、DDR4 UDIMM 8GB、DDR4 UDIMM 16GB，核心DRAM均采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的顆粒，標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)開始參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。2019年9月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)發(fā)布與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級(jí)第一代8Gb DDR4。目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正使用其 10G1 技術(shù)來制造8Gb DDR4 存儲(chǔ)器芯片，經(jīng)過多次迭代和優(yōu)化，其工藝已進(jìn)入國(guó)際化主流水平，其技術(shù)突破和自主制造已達(dá)到行業(yè)一流。

2020年6月，七彩虹正式推出了自己的國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條產(chǎn)品“國(guó)創(chuàng)·戰(zhàn)戟”系列，采用了合肥長(zhǎng)鑫的DDR4內(nèi)存顆粒，由江波龍代工生產(chǎn)。七彩虹旗下內(nèi)存產(chǎn)品現(xiàn)在分為四個(gè)檔次：其中戰(zhàn)斧系列是普通入門級(jí)的馬甲條；國(guó)創(chuàng)·戰(zhàn)戟系列是面向中低端市場(chǎng)的裸條，全系列標(biāo)配國(guó)產(chǎn)顆粒；CVN系列為高端燈條，支持五大主板平臺(tái)ARGB同步；iGame系列則是主打玩家定制，定位于旗艦電競(jìng)市場(chǎng)。

2020年7月，金泰克推出全新的驍帥系列DDR4內(nèi)存8GB DDR4-2666，該系列內(nèi)存采用合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)新一代顆粒，引用真正的國(guó)內(nèi)芯片，據(jù)報(bào)道，金泰克首批發(fā)布DDR4 8GB 2666MHz，后續(xù)還會(huì)增加DDR4 16GB 2666MHz，DDR4 8GB/16GB 3200MHz系列產(chǎn)品。

六、國(guó)內(nèi)NOR Flash廠商陸續(xù)量產(chǎn)50nm產(chǎn)品，進(jìn)入新一代工藝節(jié)點(diǎn)

當(dāng)前行業(yè)主流NOR Flash產(chǎn)品的工藝節(jié)點(diǎn)是65nm，其中Cypress和鎂光到了45nm，技術(shù)節(jié)點(diǎn)較為領(lǐng)先，旺宏目前最先進(jìn)的制程是48nm，華邦58nm，國(guó)內(nèi)兆易創(chuàng)新有少量55nm工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。今年以來，國(guó)內(nèi)多家廠商陸續(xù)宣布50nm產(chǎn)品量產(chǎn)，包括武漢新芯、恒爍半導(dǎo)體、博雅科技、東芯半導(dǎo)體，著意味著國(guó)內(nèi)諸多NOR Flash廠商都在進(jìn)入新一代工藝節(jié)點(diǎn)。

2020年5月13日，武漢新芯宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPINOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線量產(chǎn)，產(chǎn)品容量覆蓋16Mb到256Mb。武漢新芯運(yùn)營(yíng)中心副總裁孫鵬先生表示，XM25QWxxC系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)的50nm FloaTIng Gate工藝，在性能和成本方面進(jìn)一步提高了競(jìng)爭(zhēng)力。針對(duì)快速發(fā)展的IoT和5G市場(chǎng)，武漢新芯將持續(xù)投入研發(fā)自有品牌的閃存產(chǎn)品，不斷拓展產(chǎn)品線，為客戶帶來更多高性價(jià)比的產(chǎn)品與解決方案。

2020年5月22日，東芯半導(dǎo)體宣布公司進(jìn)行自主研發(fā)、改良，升級(jí)，全新打造出的48nm Serial NOR Flash 產(chǎn)品正式上線，東芯當(dāng)時(shí)表示該48nm NOR Flash 產(chǎn)品已經(jīng)開始給客戶送樣測(cè)試，預(yù)計(jì)今年下半年開始量產(chǎn)。東芯總經(jīng)理陳磊對(duì)電子發(fā)燒友表示，“在低功耗1.8V的產(chǎn)品規(guī)劃上，目前公司已經(jīng)有了從64Mb到256Mb的產(chǎn)品，下一步將會(huì)向更高容量的512Mb產(chǎn)品延續(xù)，包括1Gb的SPI NOR FLASH。”

2020年4月，恒爍半導(dǎo)體推出了第一款面向物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的 50nm 128Mb 高速低功耗 NOR Flash 存儲(chǔ)芯片，恒爍半導(dǎo)體呂向東6月份在接受電子發(fā)燒友采訪的時(shí)候表示，50nm128Mb NOR Flash芯片客戶驗(yàn)證已經(jīng)通過，預(yù)計(jì)Q3在很多應(yīng)用市場(chǎng)大量出貨。呂向東談到，128Mb的產(chǎn)品是公司在50nm工藝下量產(chǎn)的第一款產(chǎn)品，今年年底計(jì)劃推出256Mb、64Mb的產(chǎn)品，明年會(huì)將全線產(chǎn)品都切入50nm技術(shù)工藝下。

2020年7月31日，上海華力微電子有限公司與珠海博雅科技有限公司共同宣布，博雅科技研發(fā)的50nm 256M ETOX NOR Flash于2020年初在上海華力領(lǐng)先流片成功，現(xiàn)已成功量產(chǎn)。該產(chǎn)品是國(guó)內(nèi)首顆50nm 256M NOR Flash，產(chǎn)品性能參數(shù)指標(biāo)和國(guó)際一線品牌同類產(chǎn)品相比，達(dá)到同一水平甚至更高，其成功量產(chǎn)標(biāo)志著國(guó)內(nèi)NOR Flash高容量產(chǎn)品正式邁入50nm時(shí)代。

七、TWS等可穿戴設(shè)備帶動(dòng)NOR Flash市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)

NOR Flash芯片應(yīng)用領(lǐng)域極其廣泛，幾乎所有需要存儲(chǔ)系統(tǒng)運(yùn)行數(shù)據(jù)的電子設(shè)備都需要使用NOR Flash。當(dāng)前在新興應(yīng)用的推動(dòng)下，市場(chǎng)對(duì)NOR Flash需求非常旺盛。

以TWS耳機(jī)為例，據(jù)央視報(bào)道， 剛過去的“雙十一”購(gòu)物狂歡節(jié)，TWS耳機(jī)銷量再創(chuàng)新高，蘇寧易購(gòu)深圳大區(qū)消費(fèi)電子公司總經(jīng)理張維在央視采訪中表示，雙十一期間，無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)全渠道銷售額同比增長(zhǎng)116％，其中AirPods Pro同比增長(zhǎng)了360％。

Counterpoint數(shù)據(jù)顯示，2017年、2018年、2019年，TWS耳機(jī)出貨量增速為118％、130％、183％，呈現(xiàn)飛速發(fā)展?fàn)顟B(tài)。根據(jù)Counterpoint的預(yù)測(cè)，2020年TWS耳機(jī)的出貨量有望達(dá)2。3億臺(tái)。

TWS耳機(jī)為了存儲(chǔ)更多固件和代碼程序，必須外擴(kuò)一顆串行NOR Flash，一對(duì)TWS耳機(jī)則需要兩顆NOR Flash。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，以及相關(guān)企業(yè)為了保證自家TWS耳機(jī)具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，TWS耳機(jī)功能將會(huì)持續(xù)增加，而功能的增加也就意味著NOR Flash容量需求的增多。

八、數(shù)據(jù)中心等企業(yè)級(jí)需求將持續(xù)帶動(dòng)DRAM、NAND市場(chǎng)增長(zhǎng)

今年年初，因?yàn)橐咔樵颍€上教育、線上娛樂、線上辦公等需求帶動(dòng)服務(wù)器需求大增，三星、美光等存儲(chǔ)芯片廠商也因此受益，以美光為例，2020年7月，美光公布截至5月28日的第三季度業(yè)績(jī)顯示，公司第三季度營(yíng)業(yè)收入為54.4億美元，同比增長(zhǎng)13.6%，高于市場(chǎng)53.1億美元的預(yù)期。

美光致力于銷售利潤(rùn)更高的固態(tài)硬盤，該公司表示，第三財(cái)季硬盤銷量創(chuàng)下歷史新高，而四分之三的NAND芯片是作為其高附加值產(chǎn)品給公司帶來了極大的利潤(rùn)。美光表示，預(yù)計(jì)到2020年下半年，消費(fèi)者對(duì)智能手機(jī)和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求將低于最初的預(yù)期，但數(shù)據(jù)中心需求強(qiáng)勁，因此美光計(jì)劃將DRAM和閃存芯片的供應(yīng)從智能手機(jī)市場(chǎng)轉(zhuǎn)向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)。

事實(shí)上今年服務(wù)器存儲(chǔ)芯片用市場(chǎng)需求增長(zhǎng)跟年初疫情有關(guān)，但是當(dāng)前5G、云計(jì)算、人工智能等快速發(fā)展，持續(xù)帶動(dòng)服務(wù)器需求擴(kuò)張，根據(jù)TrendForce集邦咨詢，明年服務(wù)器的出貨量大概還會(huì)持續(xù)6%到7%的成長(zhǎng)，從DRAM市場(chǎng)來看，數(shù)據(jù)中心的落實(shí)是近年DRAM需求的主要推手，全年占DRAM市場(chǎng)五成以上的消耗量與三成以上的出貨量。

九、大基金二期等資本增資存儲(chǔ)企業(yè)，加速國(guó)產(chǎn)化推進(jìn)

2020年11月11日消息，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)母公司睿力集成獲得149億元增資，根據(jù)出資方兆易創(chuàng)新公告顯現(xiàn)，該公司擬出資3億元與長(zhǎng)鑫集成、石溪集電、大基金二期、三重一創(chuàng)等多名投資人簽署協(xié)議，共同參與睿力集成增資事項(xiàng)，增資完成后，公司持有睿力集成約0.85%股權(quán)。

本次增資前，睿力集成的注冊(cè)資本為189億元，其中石溪集電持股69.01%，長(zhǎng)鑫集成持股30.99%；本次增資后，睿力集成的注冊(cè)資本將增至337.99億元，石溪集電和長(zhǎng)鑫集成的持股比例分別將降至38.59%和19.72%，大基金二期和兆易創(chuàng)新將各自持股14.08%。

目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)唯一量產(chǎn)國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存的廠商，成立于2016年，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，當(dāng)前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)完成首顆國(guó)產(chǎn) DDR4 內(nèi)存芯片的量產(chǎn)和銷售，并已推出第四代超低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器LPDDR4X及第四代高速模組DDR4模組。

另外大基金二期還出資9.50億元參與設(shè)立沛頓存儲(chǔ)，沛頓存儲(chǔ)投資總額30.67億元，注冊(cè)資本30.60億元，其中，沛頓科技、大基金二期、合肥經(jīng)開投創(chuàng)和中電聚芯分別現(xiàn)金出資17.10億元、9.50億元、3億元和1億元。

沛頓存儲(chǔ)是存儲(chǔ)先進(jìn)封測(cè)與模組制造項(xiàng)目的主體，該項(xiàng)目將主要建設(shè)包括DRAM存儲(chǔ)芯片封測(cè)、存儲(chǔ)模組、NAND存儲(chǔ)芯片封裝業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)全部達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能分別4800萬(wàn)顆、246萬(wàn)條、320萬(wàn)顆，建設(shè)期3年，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值28.63億元。

可以預(yù)見，隨著大基金二期等資本陸續(xù)投資存儲(chǔ)企業(yè)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在資本的加持下，將有更多能量繼續(xù)前進(jìn)。

十、更高的176層3D NAND，預(yù)計(jì)明年4月份量產(chǎn)

從全球范圍來看，NAND Flash廠商主要有三星、鎧俠、美光、英特爾、西部數(shù)據(jù)、SK海力士，以及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的旺宏、華邦，以及國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新、東芯半導(dǎo)體、北京君正（收購(gòu)北京矽成）等。

目前三星、鎧俠、美光、英特爾、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)推出或量產(chǎn)3D NAND產(chǎn)品。128層是目前已經(jīng)量產(chǎn)的最高層數(shù)，三星、SK海力士已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。美光公司在今年二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中表示，公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND存儲(chǔ)器（128層）的量產(chǎn)工作，按計(jì)劃將于2020 Q3 開始生產(chǎn)，Q4 向客戶發(fā)貨。

另外國(guó)產(chǎn)領(lǐng)先NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)也已于今年4月份發(fā)布128層3D NAND產(chǎn)品，并將于今年年底或明年年初量產(chǎn)128層3D NAND。與2D NAND 相比，3D NAND 能夠?qū)崿F(xiàn)更高的容量和性能、更低的功耗和成本，因此提高3D NAND層數(shù)，產(chǎn)品的容量和性能將更高。

這也是為什么眾多廠商都在積極研發(fā)和推出更高層數(shù)的3D NAND產(chǎn)品，據(jù)了解，英特爾預(yù)計(jì)將在今年年底實(shí)現(xiàn)更高層數(shù)144層產(chǎn)品的量產(chǎn)，三星正在開發(fā)176層第七代V-NAND，計(jì)劃明年4月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2020年存儲(chǔ)行業(yè)充斥著諸多變化，2021年可以預(yù)見將會(huì)有更多挑戰(zhàn)和突破。

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