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2020年二季度Nand Flash市場排名,三星占據(jù)31%處于領(lǐng)先地位

DzOH_ele ? 來源:核芯產(chǎn)業(yè)觀察 ? 作者:核芯產(chǎn)業(yè)觀察 ? 2020-11-30 14:31 ? 次閱讀
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根據(jù)2020年二季度Nand Flash市場排名,三星占據(jù)31%,處于領(lǐng)先地位,緊跟其后的是鎧俠,占比達17%。排名第三、第四、第五、分別是西數(shù)、美光、SK海力士。以下是DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù):

電子發(fā)燒友對目前市場主要的Nand Flash廠商及其產(chǎn)品進行梳理,以下是具體內(nèi)容:

三星 1、三星SSD 980 PRO 三星電子推出首款消費類PCIe 4.0 NVMe SSD:三星SSD 980 PRO, 980 PRO采用三星1XX層 TLC NAND閃存,以及容量分別為512MB和1GB的DRAM緩存,通過內(nèi)部設(shè)計,可充分發(fā)揮PCIe Gen4的潛力。數(shù)據(jù)顯示,三星SSD 980 PRO順序讀取速度最高可達7000MB/s,順序?qū)懭胨俣茸罡呖蛇_5000MB/s。

2、870 QVO SATA SSD 三星推出了其第二代QLC閃存驅(qū)動器870 QVO SATA SSD, 870 QVO分別提供同類最佳的順序讀取和寫入速度,分別高達560 MB/s和530 MB/s,借助該驅(qū)動器的Intelligent TurboWrite技術(shù),它可以使用大型可變SLC緩沖器保持最高性能 3、eUFS 3.1 三星電子宣布已經(jīng)開始批量生產(chǎn)用于智能手機的512GB eUFS 3.1,其寫入速度為512GB eUFS 3.0的三倍,打破了智能手機存儲中1GB/s的閾值。

三星eUFS 3.1連續(xù)寫入速度超過1,200MB/s,是基于SATA SSD (540MB/s)的兩倍以上,是UHS-I microSD卡(90MB/s)的十倍以上。 KIOXIA 1、第六代企業(yè)SAS SSD 隨著其第六代企業(yè)SAS SSD系列的推出, 專為現(xiàn)代IT基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計的24G SAS將其上一代的數(shù)據(jù)吞吐率提高了一倍,同時搭載了新功能和增強功能,以達到新的應(yīng)用性能水平。 PM6系列采用鎧俠的96層BiCS FLASH 3D TLC閃存,可提供業(yè)界領(lǐng)先的高達4,300MB/s(4,101MiB/s)的SAS SSD順序讀取性能,比上一代提高了2倍以上。鎧俠的新驅(qū)動器容量高達30.72TB,使其成為業(yè)界容量最高的2.5英寸SAS SSD。

2、BiCS FLASH

鎧俠開發(fā)具有112層垂直堆疊結(jié)構(gòu)的第五代BiCS FLASH三維(3D)閃存。新產(chǎn)品具有512 Gb(64千兆字節(jié))容量并采用TLC技術(shù)。 鎧俠創(chuàng)新的112層堆疊工藝技術(shù)與先進的電路和制造工藝技術(shù)相結(jié)合,與96層堆疊工藝相比,將存儲單元陣列密度提高約20%。因此,每片硅晶圓可以制造的存儲容量更高,從而也降低了每位的成本(Bit-cost)。此外,它將接口速度提高50%,并提供更高的寫性能和更短的讀取延遲。 西部數(shù)據(jù) 1、SN550 NVMe SSD Western Digital設(shè)計的控件和固件搭配最新的 3D NAND,可始終如一地提供優(yōu)化的性能。

2、iNAND MC EU521 西部數(shù)據(jù)宣布率先基于UFS 3.1規(guī)范協(xié)議推出iNAND MC EU521嵌入式閃存產(chǎn)品,新增多項功能,并進一步提高速度、容量、降低功耗,再加上11.5x13x1.0mm小型封裝尺寸。西部數(shù)據(jù)表示,iNAND MC EU521將在3月份上市,采用主流的96層3D NAND,并充分利用UFS 3.1高帶寬以及SLC NAND緩存,可提供最高800MB/s的順序?qū)懭胨俣取?

美光 美光的下一代 M500 固態(tài)硬盤采用 Micron 20 nm MLC NAND 閃存、SATA 6 Gb/s 接口,具有行業(yè)標準 512 字節(jié)分區(qū)支持功能、熱插拔功能以及功耗極低的器件休眠模式,并滿足 ATA-8 ACS2 指令集規(guī)范要求。 SK海力士 Intel 突然宣布以 90 億美元(約 601 億)的價格將旗下的 NAND 閃存業(yè)務(wù)出售給了 SK 海力士 ,后者有可能成長為新的全球第二大閃存公司,SK海力士推出Gold P31系列SSD新品,是全球首個基于128層NAND閃存的消費者SSD。Gold P31采用的是128層TLC,PCIe NVMe Gen3接口,讀取速度最高達3500MB/s,寫入速度最高達3200MB/s,以滿足長時間游戲的游戲玩家以及對性能和穩(wěn)定性有較高要求的專業(yè)創(chuàng)作者和設(shè)計師。 英特爾 Intel基于144層3D QLC閃存Arbordale Plus,容量將比Intel目前的96層產(chǎn)品提升50%。

長江存儲 128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。

長江存儲表示,X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。 每顆X2-6070 QLC閃存芯片共提供1.33Tb的存儲容量。而在I/O讀寫性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現(xiàn)1.6Gbps(Gigabits/s千兆位/秒)的數(shù)據(jù)傳輸速率。 旺宏 Macronix在2020年下半年生產(chǎn)48層3D NAND存儲器。公司計劃在2021年和2022年分別推出96層3D NAND和192層3D NAND。目前,該公司用于制造NAND的最先進技術(shù)是自2019年2月開始使用的19納米平面技術(shù),這款NAND Flash的第一個客戶將是任天堂。

華邦 1、QspiNAND Flash

華邦提供了一系列相容于SPI NOR接口的QspiNAND產(chǎn)品,華邦的QspiNAND系列產(chǎn)品內(nèi)建了ECC的功能,而且也能提供了連續(xù)好”塊”的QspiNAND,這些都能讓使用者并不需要額外的控制器。 2、OctalNAND Flash 全球首款采用x8 Octal接口的NAND Flash—華邦OctalNAND Flash產(chǎn)品可望提供車用電子與工業(yè)制造商高容量的儲存內(nèi)存產(chǎn)品,華邦電子首款采用全新接口的NAND產(chǎn)品,1Gb W35N01JW,連續(xù)讀取速度最高可達每秒240MB, W35N-JW OctalNAND Flash采用華邦通過驗證的46nm SLC NAND制程,提供卓越的數(shù)據(jù)完整性,且數(shù)據(jù)保存期更可達10年以上。此產(chǎn)品寫入/抹除次數(shù)(Program/Erase Cycle)可達10萬次以上,可符合關(guān)鍵任務(wù)型車用與工業(yè)應(yīng)用所需的高耐用性與高可靠性。 兆易創(chuàng)新 GD5F4GM5系列采用串行SPI接口,引腳少、封裝尺寸小,相比于上一代NAND產(chǎn)品,大大提升了讀寫速度,最高時鐘頻率達到120MHz,數(shù)據(jù)吞吐量可達480Mbit/s,支持1.8V/3.3V供電電壓,能夠滿足客戶對不同供電電壓的需求;同時提供WSON8、TFBGA24等多種封裝選擇。

北京紫光存儲 北京紫光存儲Raw NAND顆粒是符合業(yè)界標準的閃存產(chǎn)品,適用于各類固態(tài)存儲解決方案。Raw NAND顆粒需要搭配閃存控制器使用。全系采用業(yè)界領(lǐng)先的3D TLC閃存芯片。支持ONFI 4.0,最高讀寫支持667MT/s。采用業(yè)界領(lǐng)先的3D TLC閃存芯片,相比2D閃存芯片單位面積下容量大幅提升。 北京君正 公司Flash產(chǎn)品線包括了目前全球主流的NOR FLASH存儲芯片和NAND FLASH存儲芯片,其中NAND FLASH存儲芯片主攻1G-4G大容量規(guī)格。 ISSI 系一家原納斯達克上市公司,于 2015年末被北京矽成以7.8億美元私有化收購,之后北京君完成對北京矽成100%股權(quán)收購。ISSI Introduces SLC NAND高性能4Gb SLC NAND主要用于嵌入式市場,能夠滿足工業(yè)、醫(yī)療,主干通訊和車規(guī)等級產(chǎn)品的要求,具備在極端環(huán)境下穩(wěn)定工作、節(jié)能降耗等特點。 東芯 東芯串行NAND Flash產(chǎn)品為單顆粒芯片設(shè)計的串行通信方案,引腳少和封裝尺寸小,且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器,帶有內(nèi)部ECC模塊。使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時,既節(jié)約了空間,提升了穩(wěn)定性,也讓其在成本上也極具競爭力,且提升了性價比。產(chǎn)品分為3.3V/1.8V兩種電壓,不僅能滿足常規(guī)對功耗不敏感的有源器件,也使其在目前日益普及的移動互聯(lián)網(wǎng)及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中,有足夠的發(fā)揮空間。產(chǎn)品擁有多種封裝,可更靈活的滿足很多應(yīng)用場景,比如常規(guī)的光貓,路由器,網(wǎng)絡(luò)攝像監(jiān)控,物聯(lián)網(wǎng)及智能音箱等。

責任編輯:lq

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原文標題:Nand Flash主要廠商及其產(chǎn)品

文章出處:【微信號:elecfanscom,微信公眾號:核芯產(chǎn)業(yè)觀察】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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