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三星明年全年DRAM和NAND的供應(yīng)將嚴重不足

我快閉嘴 ? 來源:愛集微 ? 作者:Jimmy ? 2020-11-24 14:34 ? 次閱讀
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據(jù)報道,盡管存儲行業(yè)受疫情影響小于其他行業(yè),但消費產(chǎn)品仍受到負面影響,外界對前景產(chǎn)生擔(dān)憂。

三星正利用這一時期擴大領(lǐng)先優(yōu)勢,三星計劃明年將DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產(chǎn)能分別擴大3萬、6萬和2萬片。

一位投資經(jīng)理表示,明年全年DRAM和NAND的供應(yīng)將嚴重不足,從而導(dǎo)致價格和利潤回升。三星在這方面顯示出非常有吸引力的風(fēng)險回報。

他進一步表示,三星正在與零部件供應(yīng)商進行討論,確保在下訂單之前解決任何潛在問題。

三星在京畿道平澤工廠將在處理新增產(chǎn)能方面發(fā)揮核心作用。在最近公布的三季度業(yè)績電話會議上,三星表示隨著存儲芯片庫存水平的合理調(diào)整,公司收到了更多服務(wù)器芯片訂單,預(yù)計將出現(xiàn)轉(zhuǎn)機。

NH Investment分析師Do Hyun-woo表示,三星將積極生產(chǎn)NAND閃存芯片,而在DRAM方面保持保守離場??紤]到代工芯片的短缺,三星明年將向平澤和美國奧斯汀的工廠投資至少10萬億韓元。

三星對NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的需求之所以上升,是因為目前的DRAM技術(shù)能否在小于1nm的產(chǎn)品中維持存儲能力越來越令人質(zhì)疑。雖然NAND芯片在10-20nm的層面上很快將面臨挑戰(zhàn),但三星相信隨著EUV技術(shù)推進制造工藝,NAND芯片在密度和成本改善方面處于優(yōu)勢地位。
責(zé)任編輯:tzh

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