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國家隊砸重金研發(fā)內存,爭取實現(xiàn)全球第四目標

如意 ? 來源:芯智訊 ? 作者:浪劍客 ? 2020-11-13 09:47 ? 次閱讀
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11月11日晚間,兆易創(chuàng)新發(fā)布公告,宣布已與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團)有限公司(以下簡稱“合肥產(chǎn)投”)、睿力集成電路有限公司(以下簡稱“睿力集成”)共同簽署《《可轉股債權投資協(xié)議》的補充協(xié)議》,就兆易創(chuàng)以可轉股債權方式向合肥長鑫集成電路有限責任公司(以下簡稱“長鑫集成”)提供本金金額為3億元的可轉股借款事宜進行補充約定。

根據(jù)該補充約定,兆易創(chuàng)新現(xiàn)擬出資3億元人民幣,與長鑫集成、合肥石溪集電企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合伙)(以下簡稱“石溪集電”)、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司(以 下簡稱“大基金二期”)、安徽省三重一創(chuàng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金有限公司(以下簡稱“三重一創(chuàng)”)等多名投資人簽署《關于睿力集成電路有限公司之增資協(xié)議》(以下簡稱“增 資協(xié)議”)、《關于睿力集成電路有限公司之股東協(xié)議》(以下簡稱“股東協(xié)議”),共同參與睿力集成增資事項,以完成《可轉股債權投資協(xié)議》中約定的轉股投資事項。

增資之前,睿力集成的注冊資本總額為189億元,其實繳注冊資本為189億元。其中,石溪集電出資130.44億元,持股比例為69.01%;長鑫集成出資58.56億元,持股比例為30.99%。

此次增資完成后,兆易創(chuàng)新將持有睿力集成約 0.85%股權。根據(jù)兆易創(chuàng)新公告曝光的其他機構對于睿力集成的增資情況顯示,而除了兆易創(chuàng)新之外,大基金二期和安徽三重一創(chuàng)基金分別出資47.6億元,參與睿力集成此次的增資,持股比例均為14.08%。

另外,長鑫集成也增資了8.08億元,持股比例為19.72%;合肥集鑫企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合伙)出資約4.76億元,持股比例為1.41%;其他“跟進投資人”出資約38.08億元,持股比例為11.27%。

國家隊砸重金研發(fā)內存,爭取實現(xiàn)全球第四目標

總的來看,僅本輪增資,睿力集成一共完成了約148.99億元的增資,增資完成后,睿力集成獲得的股東的總出資額已累計到達337.99億元!

據(jù)了解,睿力集成主要從事集成電路及相關產(chǎn)品的生產(chǎn)、研發(fā)、設計、銷售等業(yè)務。國產(chǎn)DRAM廠商長鑫存儲技術有限公司(以下簡稱“長鑫存儲”)為睿力集成旗下僅有的一家全資子公司。

目前長鑫存儲也是國內唯一量產(chǎn)的國產(chǎn)DRAM內存廠商。顯然,此次大基金二期及兆易創(chuàng)新等投資人近150億元增資睿力集成,將進一步加速國產(chǎn)DRAM的發(fā)展。

值得一提的是,目前,兆易創(chuàng)新董事長朱一明同時也是長鑫存儲的董事長。同時,朱一明先生控制合肥石溪長鑫企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合伙)(即石溪集電的執(zhí)行事務合伙人,以下簡 稱“石溪長鑫”)。在本次增資前,石溪集電持股標的公司睿力集成 69.01%。

根據(jù)公告顯示,本公告日前 12 個月內,兆易創(chuàng)新從長鑫存儲采購的 DRAM 產(chǎn)品價值約 17,955.58 萬元,雙方產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)平臺合作產(chǎn)品價值約 1,966.68 萬元。

長鑫存儲明年四季度將超南亞科技,17nm內存明年問世

根據(jù)TrendForce公布的2020年二季度全球DRAM內存芯片市場數(shù)據(jù)顯示,三星、SK海力士、美光這前三家DRAM大廠占據(jù)了全球市場94.6%的份額。排名第四的則是南亞科技,市場份額僅3.2%,其他的廠商份額均不到1%。

顯然,在DRAM內存芯片市場,頭部的三家大廠已經(jīng)形成了強勢的壟斷地位,留給其他廠商的空間非常小。不過,在國產(chǎn)DRAM芯片廠商的努力之下,依托于國內龐大的市場需求,國產(chǎn)DRAM芯片的市場份額也在快速提升。

在11月12日由集邦咨詢(TrendForce)主辦的MTS2021存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上,TrendForce公布了2020-2021年全球內存廠商晶圓投片量的預估數(shù)據(jù)。

根據(jù)該數(shù)據(jù)顯示,自去年四季度長鑫存儲的DRAM芯片成功量產(chǎn)之后,其晶圓的投片量持續(xù)增長,今年一季度投片量雖然只有1萬片/月,但是隨著長鑫存儲的DRAM產(chǎn)品在客戶端的進一步拓展,其產(chǎn)能也在持續(xù)擴張,到今年四季度其投片量已經(jīng)快速提升到了4.5萬片/月。

而根據(jù)TrendForce的預測,到2021年四季度,長鑫存儲的投片量將達到8.5萬片/月,屆時將成功超越目前排名第四的南亞科技(7.1萬片/月),成為僅次于三星、SK海力士、美光的全球第四大DRAM芯片廠商。

當然,所謂的第四名,實際上并沒有太大的意義,因為與前三名的投片量相比差距巨大。即使第三名的美光,其明年四季度的投片量也高達35.5萬片/月,是預測中的長鑫存儲的8.5萬片/月的投片量的約4.18倍。

這樣巨大的差距也并不是短期內能夠追上的,此外在DRAM技術上,長鑫存儲與前三廠商也存在著較大的差距。

資料顯示,目前長鑫量產(chǎn)的主要是19nm工藝的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片,獲得了威剛科技、江波龍FORESEE等存儲品牌廠商的采用。

不過,在DRAM技術上,長鑫存儲相比三星等一線DRAM廠商的技術要落后2-3年時間,所以快速提升技術水平也是長鑫存儲在DRAM市場站穩(wěn)腳跟的關鍵。

根據(jù)今年7月初,安徽省發(fā)布的《重點領域補短板產(chǎn)品和關鍵技術攻關任務揭榜工作方案》文件顯示,希望2-3年內解決一些關鍵技術瓶頸,其中在內存技術方面,要求推進低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā),要面向中高端移動、平板及消費類產(chǎn)品DRAM存儲芯片自主可控需求,研發(fā)先進低功耗高速率LPDDR5 產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,依托DRAM 17nm及以下工藝,攻關高速接口技術、Bank Group架構設計技術、低功耗電源(電壓)技術、片內糾錯編碼(On-Die ECC)技術,完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)。

而目前國內已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)的DRAM內存芯片的國產(chǎn)廠商只有長鑫存儲,而且長鑫存儲也正是位于安徽省會合肥的企業(yè),顯然,這份文件上所提出的內存技術攻關要求,也正是針對長鑫存儲提出的。

另外根據(jù)此前的規(guī)劃也顯示,長鑫存儲將在2021年完成17nm DRAM的技術研發(fā)。

國家隊砸重金研發(fā)內存,爭取實現(xiàn)全球第四目標

之前曝光的長鑫存儲的路線圖也顯示,接下來長鑫存儲將會推出基于10G3工藝的DDR4/LPDDR4x和DDR5/LPDDR5,還將推出基于10G5工藝的DDR5/LPDDR5以及GDDR6。這里的10G3工藝應該指的就是17nm工藝。
責編AJX

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