華瑞微半導體IDM芯片項目由南京華瑞微集成電路有限公司總投資30億元建設
近日, 安徽滁州南譙區(qū)舉行10月份重大項目集中開工暨華瑞微半導體IDM芯片項目奠基儀式。
據(jù)南譙區(qū)政府信息，華瑞微半導體IDM芯片項目由南京華瑞微集成電路有限公司總投資30億元建設，是浦口—南譙合作產(chǎn)業(yè)園區(qū)首個落戶項目。這也使得南京浦口與滁州南譙產(chǎn)業(yè)合作進一步加強。
據(jù)滁州網(wǎng)此前報道，該項目主要經(jīng)營半導體功率器件的研發(fā)及生產(chǎn)制造，項目一期總投資10億元，用地100畝，建設周期3年，建設6英寸功率器件晶圓生產(chǎn)線，全部達產(chǎn)后預計年銷售達到10億元。
此次落戶，是南譙經(jīng)開區(qū)面向“長三角”招商的重要突破，是南譙經(jīng)開區(qū)與南京江北新區(qū)達成戰(zhàn)略合作協(xié)議后取得的積極成果。
資料顯示，南京華瑞微集成電路有限公司成立于2018年5月，是一家集功率器件產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務于一體的高新技術企業(yè)。華瑞微已經(jīng)研發(fā)成功且量產(chǎn)的產(chǎn)品包括高壓VDMOS、低壓Trench MOS、超結MOS和SGT MOS，同時正在開展第三代半導體（SiC、GaN）功率器件的研發(fā)工作。
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原文標題：30億元，又一個半導體IDM項目開工
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