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詳細(xì)解讀長(zhǎng)江存儲(chǔ)致鈦SSD、3D NAND的故事

454398 ? 來(lái)源:驅(qū)動(dòng)之家 ? 作者:驅(qū)動(dòng)之家 ? 2020-11-25 16:28 ? 次閱讀
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作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)的佼佼者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn),引發(fā)普遍關(guān)注,尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個(gè)消費(fèi)級(jí)SSD品牌“致鈦”。

今天,長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)品工程與測(cè)試工程處副總裁陳軼做了一次官方科普,詳細(xì)解讀了致鈦SSD、3D NAND的故事。

首先值得一提的是,長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司注冊(cè)成立于2016年,但其實(shí)早在2014年,武漢新芯就已開(kāi)始研發(fā)3D NAND,所以長(zhǎng)江存儲(chǔ)的歷史已經(jīng)有六年。

產(chǎn)品方面,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的致鈦系列SSD首批有兩款產(chǎn)品,其中SC001寫(xiě)入壽命170-680TBW不等,PC005則是200-640TBW不等。

從參數(shù)上看,致鈦系列的寫(xiě)入壽命相比同類(lèi)產(chǎn)品一點(diǎn)也不短,甚至比很多還要更長(zhǎng),而產(chǎn)品所做的測(cè)試認(rèn)證也是完全基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。

SSD的寫(xiě)入壽命取決于多個(gè)方面,比如閃存質(zhì)量、固件算法等。

致鈦系列的算法是業(yè)界通用的,不過(guò)寫(xiě)入放大是需要顆粒來(lái)承載的,而長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking架構(gòu)確實(shí)可以間接幫助提高寫(xiě)入壽命。

這是因?yàn)?,Xtacking架構(gòu)將閃存陣列的工藝和CMOS邏輯器件工藝分割隔離,從這一程度上講,利用Xtacking技術(shù)可以更容易地調(diào)整優(yōu)化閃存陣列的工藝,壽命也相對(duì)會(huì)更長(zhǎng)一些。

另外,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的磨損均衡管理同業(yè)界使用的方法是一致的,失效模型(defect modeling)同業(yè)界其他友商也是相當(dāng)?shù)?,在有些方面甚至還可能更好一些。長(zhǎng)江存儲(chǔ)會(huì)使用冗余度更低的方法來(lái)進(jìn)行壞塊管理,而冗余度降低了,寫(xiě)入壽命自然也就提高一些。

未來(lái)規(guī)劃方面,PCIe 4.0方興未艾,長(zhǎng)將存儲(chǔ)也在積極籌備,不過(guò)因?yàn)镻Cle 4.0還比較新,長(zhǎng)江存儲(chǔ)會(huì)考慮推出低中高端不同系列的產(chǎn)品,會(huì)有性能、價(jià)格上的分割,并盡量降低功耗。

說(shuō)到3D NAND閃存,如今全球各大閃存廠(chǎng)商都在堆疊更多的層數(shù),美光最近就官宣了176層,長(zhǎng)江存儲(chǔ)也做到了128層。

3D NAND的容量有幾個(gè)指標(biāo),一是看芯片里有多少塊(block),二是看每個(gè)塊里面有多少閃存晶體管,而層數(shù)多了,自然就能讓一個(gè)塊內(nèi)的容量變大。

不過(guò),并不是層數(shù)多了,整體容量就一定變大,因?yàn)榭梢酝瑫r(shí)設(shè)計(jì)更多或者更少的塊。長(zhǎng)江存儲(chǔ)每一個(gè)塊的容量就比業(yè)界其他產(chǎn)品多50%左右。

另外,每一層閃存的容量也沒(méi)有統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn),只能說(shuō)大致統(tǒng)一,所以不同廠(chǎng)商的堆疊層數(shù)沒(méi)有直接可比性。

其實(shí),3D NAND層數(shù)的堆疊也面臨一些挑戰(zhàn),比如隨著層數(shù)的增加,越來(lái)越難以達(dá)到孔所需要的長(zhǎng)寬比,早先預(yù)計(jì)只能到100層左右,現(xiàn)在已經(jīng)大大突破了這個(gè)僅限,但是難度也越來(lái)越高。

這就像半導(dǎo)體工藝,7nm、5nm在十多年前是幾乎不可想象的,但現(xiàn)在已經(jīng)實(shí)現(xiàn),3nm、2nm也在不斷取得重大突破,但挑戰(zhàn)難度是指數(shù)級(jí)增加的。

利用更好的設(shè)備、更好的工藝調(diào)校能力,長(zhǎng)江存儲(chǔ)最終達(dá)到了128層閃存,而未來(lái)達(dá)到256層、300層、500層都是有可能的。

當(dāng)然,3D NAND也不可能進(jìn)行無(wú)限堆疊,基于目前的堆疊方式,預(yù)計(jì)極限大概在500層左右,但屆時(shí)肯定能找到全新的方法、設(shè)備或是理論,突破到500層以上也是很有可能的。

編輯:hfy

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