一、現(xiàn)象

現(xiàn)象①

你是否遇到過(guò)這樣的情況？IC芯片空載時(shí)，輸出電壓正常，但當(dāng)帶上負(fù)載后，輸出電壓馬上就會(huì)往下掉。這是怎么回事呢？

現(xiàn)象②

如圖為MOS管的驅(qū)動(dòng)波形，可以看出開(kāi)啟過(guò)程并不順利。這是為什么呢？

正常情況下，帶載后的電壓可能會(huì)比空載電壓略低，但下降幅度不明顯。如果輸出電壓下降太多，可能原因有兩種:

①后級(jí)負(fù)載短路，輸出電壓直接到地。這時(shí)候需要確認(rèn)后級(jí)電路是否有虛焊或元件損壞。

②IC驅(qū)動(dòng)能力不夠。

二、什么情況下要考慮驅(qū)動(dòng)能力?

任何情況都要考慮，包括數(shù)字信號(hào)處理的接口電路中。但是常說(shuō)的驅(qū)動(dòng)能力都是在驅(qū)動(dòng)功率器件的情況下用得比較多，比如上面提到的MOS驅(qū)動(dòng)。

三、如何判斷IC的驅(qū)動(dòng)能力？

查看芯片資料，里面都有說(shuō)明I/O口的驅(qū)動(dòng)能力。根據(jù)你的負(fù)載所需要的驅(qū)動(dòng)能力來(lái)判斷這個(gè)IC的I/O口是否符合。前面現(xiàn)象②明顯是MOS管的驅(qū)動(dòng)能力不足造成的。

由于國(guó)外器件采購(gòu)的限制，很多公司都面臨IC國(guó)產(chǎn)化問(wèn)題，我們也一樣。

拿到樣品后我們需要做相關(guān)的實(shí)驗(yàn)，例如最近有一款代替MOS管的驅(qū)動(dòng)芯片。大概說(shuō)明一下測(cè)試方法（之前我有一篇文章寫(xiě)的是關(guān)于如何估算MOS的驅(qū)動(dòng)電流的文章，如果不是替代實(shí)驗(yàn)，不知道驅(qū)動(dòng)電流大概多少的可以看一下。）

可以先估算MOS管的驅(qū)動(dòng)電流，假設(shè)300mA。同等條件下，再對(duì)比兩款芯片帶假負(fù)載后芯片的溫升及負(fù)載電壓。如果溫升和電壓差不多，就直接驅(qū)動(dòng)MOS，再做進(jìn)一步實(shí)驗(yàn)，否則不可用。

編輯：hfy