那么，像Spin Memory這樣的MRAM公司在DRAM領域能做什么呢？事實證明，開發(fā)超高密度、高性能MRAM存儲與垂直外延晶體管有很大關系，這在DRAM設計中非常有用。特別是，它們可以消除行錘攻擊，這些攻擊在較新的DRAM設計中可能是慢性的。

與靜態(tài)內(nèi)存不同，DRAM需要一個刷新周期來維護內(nèi)存單元的內(nèi)容。放棄刷新太久，內(nèi)容變成垃圾。傳統(tǒng)的系統(tǒng)通過定期的刷新周期防止發(fā)生這種情況，因此內(nèi)容不會降級到導致錯誤的程度。

盡管如此，還是會出現(xiàn)降級問題，甚至鄰近的訪問也會影響相鄰的數(shù)據(jù)行。行錘擊是一種快速循環(huán)附近行的技術。對于系統(tǒng)攻擊者來說，訣竅是在他們想要破壞的數(shù)據(jù)附近運行這些事務，導致軟件以一種攻擊者可以利用的方式失敗。解決方案是隔離行，使附近事務的影響最小，允許定期刷新周期來維護數(shù)據(jù)。

IRPS 2020技術項目主席Charlie Slayman表示，Row hammer是影響DRAM可靠性和安全性的主要問題之一，長期以來一直是內(nèi)存行業(yè)的一個令人煩惱的難題。作為DRAM長期以來的主要干擾問題，排錘只會隨著細胞的縮小而變得越來越嚴重。自旋存儲器的通用選擇器提供了一種設計垂直電池晶體管的新方法，并已提交給JEDEC任務組評估解決行錘擊問題的方案。

已經(jīng)有一些軟件方法可以減輕row錘擊的效果，但它傾向于與攻擊者玩“打地鼠”的游戲。

通用選擇器

當然，僅僅減輕對DRAM的攻擊是有效果的，但是自旋存儲器提供的通用選擇器架構還有其他優(yōu)點，特別是當開發(fā)人員繼續(xù)縮小芯片設計的規(guī)模時。該方法總體上提高了DRAM軟錯誤率。4F2 （4F2） DRAM位元配置也可以提高20%到35%的陣列密度。

該技術適用于新興的內(nèi)存技術，包括MRAM、ReRAM和PCRAM。這里，通用選擇器允許創(chuàng)建6F2 - 10F2 （6F2 - 10F2）的1T1R內(nèi)存位單元。這相當于在相同區(qū)域增加了5倍的內(nèi)存，而只需要最小的晶片處理成本。

Spin Memory首席執(zhí)行官湯姆·斯帕克曼表示，當今最創(chuàng)新、最苛刻的技術需要更先進的內(nèi)存來跟上計算需求。對于運行在邊緣的復雜應用程序來說，速度和可靠性是必要的，比如自動駕駛汽車或健康可穿戴設備——在這些地方，準確和實時的決策可能決定生死。除了推動MRAM進入主流市場之外，他們最新的突破性創(chuàng)新還為這些技術帶來了令人興奮的新進展和能力！
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