本應(yīng)用筆記分析了具有四個變體的ISL71091SEHxx電壓基準的總劑量測試所獲得的結(jié)果。這些測試的目的是評估零件的總劑量硬度及其劑量率和偏差敏感性。測試還增加了偏置高溫退火，以觀察零件的加速老化響應(yīng)。樣品在偏壓下進行輻照，所有引腳均以低劑量率和高劑量率接地。ISL71091SEHxx變體在高劑量率（50至300 rad（Si）/ s）和低劑量率（0.01 rad（0.01） Si）/ s），確保兩種劑量率的硬度均達到指定水平。

報告的ISL71091SEHxx的變體包括ISL71091SEH20（2.048 V標稱輸出電壓），ISL71091SEH33（3.3 V標稱輸出電壓），ISL71091SEH40（4.096 V標稱輸出電壓）和ISL71091SEH10（10.0 V標稱輸出電壓）。這些變體使用相同的基礎(chǔ)芯片，在晶片制造過程中通過幾個掩膜電平選擇輸出電壓，然后最終通過在探針和封裝電平處修整（編程熔絲）進行調(diào)整，以獲得指定的輸出電壓。該封裝僅包含硅芯片，沒有用于設(shè)置輸出電壓的單獨的內(nèi)部或外部無源組件（例如，電阻器或電容器）。

ISL71091SEHxx在低劑量率和高劑量率照射下均顯示出良好的性能。所有樣品均以SMD中指定的總劑量水平通過了輻照后規(guī)范。我們在臨界輸出電壓參數(shù)中觀察到一定的劑量率靈敏度和偏置靈敏度，并且該部件被認為是中等較低的劑量率靈敏度。我們還看到在經(jīng)過該程序的零件中有趣的偏向高溫退火響應(yīng)，并且還將討論這些響應(yīng)。

部分說明

ISL71091SEHxx是一款低噪聲精密基準電壓源，具有4.6 V至30 V的寬電源電壓范圍（3.3 V型號），通過不同的掩蔽電平和片上微調(diào)選擇了四個輸出電壓選項。ISL71091SEHxx建立在Intersil PR40鍵合晶圓工藝之上，該工藝使用介電隔離來改善電氣和SEE性能。ISL71091SEHxx提供四個輸出電壓選項，包括2.048 V，3.3 V，4.096 V和10.0 V，并具有6 ppm /°C的溫度系數(shù)以及出色的線路和負載調(diào)節(jié)能力。該器件實現(xiàn)了低于5.2μV的峰峰值（0.1 Hz至10 Hz，3.3 V變型）噪聲，其初始電壓精度在+25°C時為±0.05％，在整個輻射范圍內(nèi)為±0.25％。該器件以8引線密封扁平包裝和管芯形式提供。應(yīng)用范圍包括儀器儀表，

測試說明

輻照設(shè)施

使用位于佛羅里達州Intersil設(shè)施Palm Bay的Gammacell 220?60Co輻照器以68 rad（Si）/ s的標稱劑量率進行了高劑量率測試。使用Intersil Palm Bay N40全景低劑量率60Co輻照器以0.01 rad（Si）/ s的速度進行低劑量率測試。使用設(shè)置在+100°C的小型溫度室進行輻照后的高溫偏置退火。

測試夾具

圖1顯示了用于偏置輻射的配置。接地輻射以相同的夾具類型執(zhí)行，但所有引腳都硬接地。輻照后的高溫偏壓退火也使用這種配置進行。

圖1 ISL71091SEHxx的偏置輻射配置

表征設(shè)備和程序

使用生產(chǎn)自動化測試設(shè)備（ATE）在輻射器外部執(zhí)行所有電氣測試，并在每個下降點進行數(shù)據(jù)記錄。所有下行電氣測試均在室溫下進行。每個變體使用三個或四個控制單元以驗證可重復(fù)性。

編輯：hfy