TH8061的電壓調節(jié)器是具有p-FET傳輸晶體管的低壓降調節(jié)器（LDO）。這種調節(jié)器具有一個基本極點，該極點是由內部頻率補償引起的。附加極點取決于負載電阻器和負載容量。這個額外的極點會導致調節(jié)器的性能不穩(wěn)定。

為了補償該極點，必須將其插入零位。這必須通過與負載容量串聯(lián)的外部電阻器來完成。為了進行這種補償，使用了負載容量的等效串聯(lián)電阻（ESR）。該ESR電阻值是每個實際電容的特性，并在環(huán)路放大內產生零，因此可以補償負移的影響。

結論是，調節(jié)器僅在包括有效ESR范圍的負載電阻RL和負載容量CL的定義限制內顯示穩(wěn)定的行為。負載電阻的范圍由應用定義，因此只能通過調整CL和ESR來進行補償。

負載電容選擇

穩(wěn)壓器由輸出電容器CL穩(wěn)定。TH8061在5 V輸出上至少需要2.2 μF的電容。為了確保穩(wěn)定性，該電容器應在整個應用溫度范圍內將其ESR保持在ESR曲線的穩(wěn)定區(qū)域（圖1）。輸出電容器應在溫度，電壓和頻率范圍內具有良好的容差。這意味著，隨著工作溫度的降低，這些電容器類型會降低容量并增加ESR。

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