濾波器、以及能夠動(dòng)態(tài)調(diào)控光場(chǎng)的超表面器件。耦合模理論(CoupledMode Theory, CMT)在超表面設(shè)計(jì)中的應(yīng)用非常廣泛,它主要用于分析和設(shè)計(jì)超表面的電磁行為,尤其是在處理光波與超表
發(fā)表于 06-05 09:29
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氬離子拋光技術(shù)作為一種先進(jìn)的材料表面處理方法,該技術(shù)的核心原理是利用氬離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行精細(xì)拋光,通過(guò)精確控制離子束的能量、角度和作用時(shí)間,實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品表面的無(wú)損傷處理,從而獲得高質(zhì)量
發(fā)表于 03-10 10:17
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掃描電鏡作為一種用于微觀結(jié)構(gòu)分析的重要儀器,在材料科學(xué)、生命科學(xué)、地質(zhì)科學(xué)、電子信息等多個(gè)領(lǐng)域都有重要作用。它具有以下顯著特征:1.高分辨率成像:能夠清晰呈現(xiàn)樣品表面的細(xì)微結(jié)構(gòu),分辨率可達(dá)納米級(jí)
發(fā)表于 02-12 14:42
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,影響其性能和可靠性。因此,IGBT的熱管理成為保障其長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。導(dǎo)熱材料在IGBT的熱管理中扮演著至關(guān)重要的角色,本文將詳細(xì)探討IGBT導(dǎo)熱材料的作用、種類、特性以及應(yīng)用
發(fā)表于 02-03 14:27
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上回書(英飛凌芯片簡(jiǎn)史)說(shuō)到,IGBT自面世以來(lái),歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭,標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2,溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4,
發(fā)表于 01-15 18:05
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目前正在做一個(gè)項(xiàng)目,使用ads1298采集人體表面的表面肌電信號(hào)。能否請(qǐng)大家提供一個(gè)簡(jiǎn)單的demo參考學(xué)習(xí)?
發(fā)表于 12-20 07:05
#請(qǐng)問(wèn)L7805穩(wěn)壓管后面的470uF電容有什么作用
發(fā)表于 08-17 01:03
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的特點(diǎn),具備高電壓、大電流和高速開關(guān)等優(yōu)良性能。IGBT的基本結(jié)構(gòu)可以分為表面柵極結(jié)構(gòu)和體Si結(jié)構(gòu)兩部分,以下是對(duì)其結(jié)構(gòu)的詳細(xì)解析。
發(fā)表于 08-08 09:46
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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片與IGBT模塊在電力電子領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、功能、應(yīng)用及性能等方面存在顯著的差異。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)探討,旨在全面而深入地解析這一話題。
發(fā)表于 08-08 09:37
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于高頻電源領(lǐng)域。在高頻電源中,IGBT具有許多重要作用,以下是對(duì)這些作用的分析: 高效率:
發(fā)表于 08-07 17:08
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。 IGBT模塊的作用 IGBT模塊在電力電子領(lǐng)域具有重要的作用,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 2.1 高電壓、大電流的功率
發(fā)表于 08-07 17:06
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Transistor)是一種絕緣柵雙極型晶體管,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT焊機(jī)是一種利用IGBT作為主要功率器件的焊接設(shè)備,具有高效、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。 二、IGBT焊機(jī)驅(qū)
發(fā)表于 08-07 15:58
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)緩沖電路在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。其原理和作用涉及多個(gè)方面,包括抑制過(guò)電壓、過(guò)電流、降低開關(guān)損耗、提高器件可靠性和系統(tǒng)穩(wěn)定性等。以下是對(duì)
發(fā)表于 08-05 15:17
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、電磁兼容性等方面都有重要影響。 IGBT驅(qū)動(dòng)電阻的作用 IGBT驅(qū)動(dòng)電阻的主要作用是限制驅(qū)動(dòng)電路向IGBT輸入端提供的電流,以防止過(guò)大的電
發(fā)表于 07-25 10:50
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊和IGBT驅(qū)動(dòng)是電力電子領(lǐng)域中非常重要的兩個(gè)組成部分。它們?cè)谠S多應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽(yáng)能
發(fā)表于 07-25 09:15
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評(píng)論