我國(guó)一站式IP定制芯片企業(yè)芯動(dòng)科技（INNOSILICON）近日宣布：已完成全球首個(gè)基于中芯國(guó)際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試，所有IP全自主國(guó)產(chǎn)，功能一次測(cè)試通過。 芯動(dòng)科技擁有自主全系列高帶寬高性能計(jì)算IP技術(shù)，曾多次在芯片先進(jìn)工藝上填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。自2019年開始，芯動(dòng)科技在中芯國(guó)際“N+1”工藝尚待成熟的情況下，技術(shù)團(tuán)隊(duì)全程攻堅(jiān)克難，投入數(shù)千萬元進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，基于中芯國(guó)際“N+1”制程的首款芯片經(jīng)過持續(xù)數(shù)月、連續(xù)多輪的測(cè)試迭代，成功助力中芯國(guó)際突破“N+1”工藝良率瓶頸，從而向著實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)邁出了堅(jiān)實(shí)一步。

在今年3月底，中芯國(guó)際也表示，先進(jìn)工藝正是中芯國(guó)際今年發(fā)展的重點(diǎn)，接下來該公司會(huì)轉(zhuǎn)向下一代工藝——N+1及N+2代FinFET工藝的研發(fā)。 2019年初，中芯國(guó)際投資額達(dá)100億美元，完成中芯國(guó)際南方FinFET晶圓廠的建設(shè)，該晶圓廠將用于領(lǐng)先的制造技術(shù)，并將在設(shè)備中投入使用。一旦該晶圓廠準(zhǔn)備投入商業(yè)運(yùn)營(yíng)，中芯國(guó)際將能夠使用其14nm和N＋1 FinFET制造技術(shù)來提高芯片產(chǎn)量。 在2019年第四季度，中芯國(guó)際首次開始使用其14 nm FinFET制造工藝開始大規(guī)模生產(chǎn)芯片。由于只有很少的公司設(shè)法開發(fā)了依賴于此類晶體管的制造工藝，因此中芯國(guó)際的FinFET生產(chǎn)線比其他代工廠要小得多。中芯國(guó)際的前代制造技術(shù)為28nm，因此14nm工藝切實(shí)提高了晶體管的密度，提高了性能，并降低了功耗，這自然使該公司能夠生產(chǎn)出更復(fù)雜，更昂貴的芯片，而這些芯片原本可以外包給更大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，加之國(guó)內(nèi)對(duì)少數(shù)公司開發(fā)了依賴于此類晶體管的制造工藝，中心國(guó)際的芯片競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)并不顯著。 從那時(shí)起，該公司一直在努力開發(fā)其下一個(gè)主要節(jié)點(diǎn)，稱為N +1。該技術(shù)具有與競(jìng)爭(zhēng)性7 nm工藝技術(shù)相當(dāng)?shù)哪承┕δ?，但中芯?guó)際希望明確表明N + 1不是7nm制程工藝。 與中芯國(guó)際的14 nm制程技術(shù)相比，N + 1將功耗降低了57％，性能提高了20％，邏輯面積減少了63％。盡管此過程使芯片設(shè)計(jì)人員能夠使SoC變得更小，更節(jié)能，但適度的性能改進(jìn)無法使N + 1與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的7nm技術(shù)及其派生產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)。因此，中芯國(guó)際將其N + 1定位為便宜的芯片技術(shù)。 中芯國(guó)際發(fā)言人說：“我們對(duì)N + 1的目標(biāo)是低成本應(yīng)用，與7nm相比，它可以將成本降低約10％。因此，這是一個(gè)非常特殊的應(yīng)用?！?值得一提的是，中芯國(guó)際的N + 1沒有使用極端紫外光刻（EUVL），因此制造商無需從ASML購(gòu)買其他昂貴的設(shè)備。但這并不是說該公司尚未考慮EUV（該公司確實(shí)獲得了EUV逐步掃描系統(tǒng)），但尚未安裝。據(jù)悉，中芯國(guó)際的N + 2將使用EUV。

責(zé)任編輯：xj

原文標(biāo)題：全自主國(guó)產(chǎn) | 基于中芯國(guó)際N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試完成

文章出處：【微信公眾號(hào)：微波射頻網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。