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如何提高電源系統(tǒng)的可靠性

454398 ? 來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? 作者:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? 2022-12-26 09:42 ? 次閱讀
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來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū)

產(chǎn)品和/或系統(tǒng)可靠性應(yīng)是設(shè)計(jì)和開發(fā)過程中的一個(gè)關(guān)鍵焦點(diǎn)。在設(shè)計(jì)時(shí),如果沒有了解或無法解決識(shí)別可靠性問題和評(píng)估可靠性問題的能力。在開發(fā)結(jié)束時(shí)考慮可靠性的影響太遲了。

電源要可靠,必須簡單。以簡單為目標(biāo)的設(shè)計(jì)工作將產(chǎn)生比復(fù)雜電源更可靠的電源。例如,基本的單輸出低功率轉(zhuǎn)換器比多輸出高功率轉(zhuǎn)換器具有更高的計(jì)算可靠性。雖然增加了保護(hù)電路,但會(huì)增加電源的實(shí)際使用壽命。

在開發(fā)的早期階段,電源電路應(yīng)該細(xì)分為兩塊:關(guān)鍵應(yīng)用和非關(guān)鍵應(yīng)用。這將有助于設(shè)計(jì)師了解部件選擇和降額系數(shù)。

關(guān)鍵應(yīng)用將包括故障將導(dǎo)致電源停止工作的區(qū)域。非關(guān)鍵區(qū)域是輔助應(yīng)用。對(duì)于關(guān)鍵應(yīng)用,零件必須是最高質(zhì)量的,同時(shí)盡量減少使用會(huì)隨著時(shí)間而惡化的部件,如電解電容器、風(fēng)扇和繼電器。

執(zhí)行可靠性預(yù)測的兩個(gè)公認(rèn)標(biāo)準(zhǔn)是MIL-HDBK-217和Bellcore/Telcordia技術(shù)參考TR-332。這兩種經(jīng)驗(yàn)預(yù)測方法都有幾個(gè)共同的假設(shè)——恒定失效率、熱應(yīng)力加速度系數(shù)的使用、質(zhì)量系數(shù)和使用條件。這兩種方法都是基于對(duì)歷史失效數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)曲線擬合的模型,這些數(shù)據(jù)可能是在現(xiàn)場、內(nèi)部或制造商收集的。

在通用標(biāo)準(zhǔn)中,可以根據(jù)不同的部件獲得適用于故障率的校正系數(shù)的最佳指示。這取決于使用條件、溫度、可靠性試驗(yàn)信息和“設(shè)計(jì)可靠性”信息。

例如,根據(jù)MIL-HDBK-217F建立的功率MOSFET總失效率的數(shù)學(xué)模型是其基本失效率乘以特定的溫度、應(yīng)用、質(zhì)量和環(huán)境因素。應(yīng)該注意的是,可靠性是一個(gè)介于0和1之間的因素,沒有維度。然而,故障率是特別在電子工業(yè)中測量的。設(shè)備的適合性(時(shí)間故障)是指在10億(109)小時(shí)的運(yùn)行中可以預(yù)期的故障數(shù)量??紤]到功率MOSFET適用于250W電源(基本故障率為12fit),工作溫度接近100°C(熱系數(shù)為3.7),質(zhì)量因數(shù)JANTX(根據(jù)MIL-S-19500為8),環(huán)境因數(shù)GF(接地固定為1.6),總故障率為2.312次/106h。

考慮環(huán)境因素后,由于MTTF與失效率成反比,導(dǎo)致功率MOSFET的MTTF約為470000小時(shí)。然而,在不計(jì)算環(huán)境和熱因素的情況下,初始MTTF約為83000000小時(shí)。

為了提高M(jìn)OSFET和電源的可靠性,設(shè)計(jì)者可以選擇增加器件的熱降額。通過顯著冷卻零件并將MOSFET的工作溫度設(shè)置為80°C而不是100°C,熱系數(shù)將從3.7降到2.7,使MTTF 643000小時(shí)提高36%。

在預(yù)先設(shè)定的操作和環(huán)境條件下,通過仔細(xì)分析電應(yīng)力和熱應(yīng)力因子以正確確定功率MOSFET的尺寸,才能降低故障率。這可以通過檢查降額計(jì)劃來實(shí)現(xiàn),使用從HALT(高加速壽命試驗(yàn))試驗(yàn)中收集的數(shù)據(jù),可以計(jì)算出可靠性數(shù)據(jù),具有很好的精確度。盡管要測試的樣本數(shù)量通常是有限的,但測試站的數(shù)量是固定的,運(yùn)行測試的可用時(shí)間是有限的。這會(huì)影響設(shè)計(jì)師希望計(jì)算參數(shù)落下的“置信區(qū)間”。為了簡單起見,在兩種特殊情況下重現(xiàn)了“單邊低置信區(qū)間”的計(jì)算函數(shù):“有替代中斷的試驗(yàn)”和“無替代中斷的試驗(yàn)”。第一種情況主要涉及在從現(xiàn)場返回的情況下真實(shí)MTTF的計(jì)算,盡管這種方法不令人滿意,因?yàn)橹圃焐滩恢肋@些裝置已經(jīng)運(yùn)行了多久,也不知道運(yùn)行條件。高加速應(yīng)力篩選,也稱為HASS,同時(shí)應(yīng)用所有應(yīng)力。根據(jù)停機(jī)極限,HASS應(yīng)力水平評(píng)估接近其工作極限的電源。

審核編輯黃昊宇

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