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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展趨勢值得關(guān)注

我快閉嘴 ? 來源:聯(lián)合晚報 ? 作者:聯(lián)合晚報 ? 2020-09-28 16:12 ? 次閱讀
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Gartner預(yù)估2020年,AI相關(guān)產(chǎn)值包含產(chǎn)品及服務(wù)將達(dá)3,000億美元,2021年前產(chǎn)業(yè)將有30%新增營收與AI相關(guān)技術(shù),包含處理器、網(wǎng)路架構(gòu)、HPC、個人終端裝置、機(jī)器人、無人機(jī)自動駕駛車等等,帶動整體相關(guān)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

宏遠(yuǎn)投顧副總陳國清說,因此看好臺積電、聯(lián)電、聯(lián)發(fā)科創(chuàng)意、智原、世芯、譜瑞、祥碩、晶心科、瑞昱、聯(lián)詠等公司發(fā)展。智慧型手機(jī)新趨勢改變,帶動屏下指紋、高階Sensor、TWS等產(chǎn)業(yè),臺股受惠廠商包含瑞昱、原相、矽創(chuàng)、聯(lián)發(fā)科、神盾、臺積電等等。

此外,電動車產(chǎn)業(yè)與5G產(chǎn)業(yè)興起,帶動功率元件需求增加,其中較看好耐壓性較高、轉(zhuǎn)換效率較好的WBG材料產(chǎn)品;臺股受惠廠商臺積電、世界先進(jìn)、漢磊、嘉晶等廠商。

據(jù)SEMI預(yù)測,由于DRAM及NAND Flash價格仍看跌,記憶體廠今(2019)年資本支出計畫謹(jǐn)慎保守,加上晶圓代工廠的新廠裝機(jī)時間遲延到下半年,造成北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額出現(xiàn)連續(xù)六個月年減。根據(jù)SEMI報導(dǎo),2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售金額為621億美元,而2019年受到代工景氣與記憶體跌價等因素影響,預(yù)估全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售金額596億美元,整體衰退金額為4%。

研調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)測,2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值預(yù)估將達(dá)4,290億美元、年減9.6%,這是去年第四季以來第三度下修預(yù)估值。由于美中貿(mào)易戰(zhàn)、記憶體晶片跌價等因素,將使全球半導(dǎo)體營收寫下10年以來最大衰退幅度。

陳國清說,接下來發(fā)展趨勢有幾大領(lǐng)域值得關(guān)注:

●臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)優(yōu)于全球市場:臺積電首推出7nm制程,快速搶占高階手機(jī)AP、GPU、AI、CPU等應(yīng)用晶片市場;臺灣記憶體業(yè)者持續(xù)提高先進(jìn)制程比例,持續(xù)深耕利基型市場,產(chǎn)能維持于高檔。

●AI將帶動半導(dǎo)體動起來:根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)調(diào)查,年復(fù)合成長率約57%,預(yù)估到2025年達(dá)368億美元規(guī)模,帶動車用、深度學(xué)習(xí)、語音辨識與記憶體等半導(dǎo)體產(chǎn)品需求大增。

●AMOLED滲透率提升帶動屏下指紋大幅成長:由于AMOLED大量滲透到高階智慧型手機(jī),帶動屏下指紋辨識模組大幅成長,預(yù)期今年約1億套,大幅成長。

●TDDI為驅(qū)動IC廠最大成長動能:隨著內(nèi)嵌式面板滲透率不斷提升,帶動TDDI需求不斷成長,2018年出貨量約4億顆,預(yù)估2019年TDDI數(shù)量約成長至5~6億顆以上。

●全面屏趨勢帶動高階P-Sensor大幅成長:受惠智慧型手機(jī)全面屏趨勢已形成,2018年出貨量約5億只,預(yù)估2019年出貨量大幅攀升至8億只,帶動高階P -Sensor成長。

●TWS為耳機(jī)應(yīng)用新趨勢:AirPods熱賣帶動TWS(真無線立體聲)藍(lán)牙耳機(jī)市場需求大增,市場調(diào)查機(jī)構(gòu)預(yù)估,TWS耳機(jī)全球出貨將從2018年的6,500多萬支,上升至2019年的1億支,復(fù)合成長率53%。

●2019年5G手機(jī)成為聚光燈焦點:MWC 2019各業(yè)者展示多款5G終端,類型包含家用網(wǎng)路設(shè)備(Router、CPE)、行動分享器(Hotspot)、及小型基地臺(Small Cell)、手機(jī)等,其中以智慧手機(jī)為發(fā)布重點。

●車用市場興起,功率半導(dǎo)體需求大增:MOSFET(金屬氧化半導(dǎo)體場效電晶體),通常用于所有電子裝置的中低電壓轉(zhuǎn)換/管理,包括消費性電子、電腦、工業(yè)、再生能源、通訊及汽車等。IGBT(絕緣柵雙極電晶體),通常用于高功率應(yīng)用。

●WBG(Wide Band Gap)效能遠(yuǎn)大于Silicon:WBG(Wide Band Gap)產(chǎn)品的功率元件,效能遠(yuǎn)高于矽制成的功率元件,終端產(chǎn)品節(jié)能效果將會大大提升。

電動車時代帶領(lǐng)WBG需求未來將呈現(xiàn)大爆發(fā):根據(jù)IHS分析結(jié)果來看,未來WBG產(chǎn)品將呈現(xiàn)倍數(shù)成長,其主要成長動能為電動車領(lǐng)域。
責(zé)任編輯:tzh

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